二氟甲烷分子3a1和2b2轨道的电子动量谱

借助电子动量谱学结合量子化学理论和其他方法可以给出轨道电子在整个空间的分布信息,由此给出电子运动的完备描述[1,2 ] .清华大学电子动量谱学实验室近几年已成功地对甲烷[3] 、异丁烷[4 ] 、环戊烷[5] 、二乙酰等[6 ] 分子的轨道电子动量分布进行了测量.我们利用第二代电子动量谱仪首次对CH2 F2 分子3a1和2b2 轨道的电子动量谱进行测量,并与理论计算结果作了比较.同时还计算了坐标空间和动量空间中电子在x - y平面的密度分布.电子动量谱学最基本的过程是(e ,2e)反应,即电子与靶粒子碰撞而发生的电离过程.而对于(e ,2e)反应,含有大量信…     

级联三能级原子与单模场相互作用下的腔场谱

研究了高Q腔内级联三能级原子与单模光场相互作用模型的腔场谱.结果表明,原子初态处于上能级时，随R=g2/g1的增大,真空场的拉比峰个数按2→6→4→2→4的规律变化，在R1时，所有的拉比峰都消失.在初始场较弱时,腔场谱可出现3峰、5峰或7峰.在初始场很强时,腔场谱中只有单一的经典共振峰.如果原子初态处在中能级且R=1,腔场谱为简单的对称双峰结构，与标准J-C模型的谱相似. 关键词： 级联三能级原子 单模光场 腔场谱     

硅光电二极管激光损伤阈值随激光脉宽的变化

 对飞秒激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了实验测量，对从1s到60fs不同脉宽激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了讨论。实验数据表明，在1s到10ns脉宽范围内损伤所需能量密度近似而非严格地与脉宽的平方根成正比。信号分析表明硅光电二极管的损伤主要由热效应造成，而60fs激光辐照下的损伤阈值为0.1J/cm2，明显偏离普通温度分布预言的趋势。     

B(X)上保持算子拟仿射性或值域稠性的线性映射

设X和y是无限维的复Banach空间,φ是从B(X)到B(y)保单位的线性满射.本文证明了φ双边保算子的拟仿射性当且仅当φ为同构或反同构;φ双边保算子的值域稠性当且仅当φ是同构.     

硅基两维光子晶体的制备和光子带隙特性

利用反应离子束刻蚀设备制备了硅基的两维空气柱光子晶体，并用红外显微镜测试了样品的 反射谱. 理论上用时域有限差分(FDTD)方法计算了样品的光子带隙，从测试结果看光子带隙 和理论计算的光子带隙符合得很好.  关键词： 光子晶体 光子带隙 反射谱 时域有限差方法     

非负矩阵与有向图的谱半径

本文给出非负矩阵的谱半径的上界、下界,由此给出有向图的谱半径的界.     

求解极限环的谱展开法

提出了一种求解自治非线性常微分方程周期解的方法－谱展开法，它直接把解形式上写成Ｆｏｕｒｉｅｒ级数，其频率和各谐波成份待定，而将原非线性微分方程问题变换成求解相应的非线性代数方程组，还以ａｖｎ ｄｅｒ Ｐｏｌ方程和神经元群平均场方程为例对该方法进行说明和讨论。     

溴分子[^2Π3／2]4d里德堡态的转动谱的计算模拟

对溴分子在６８８００－７２００ｃｍ＾－１范围内的两个被观察到的［＾２Π３／２］４ｄ偶宇称里堡态的转动光谱进行了计算模拟，确定了转动常数，并且证实了原先对实验光谱的传动结构和电子角动量的标识。     

硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶性质的研究

利用硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶, 在Si单晶内形成一些单空位和双空位, 通过其光吸收谱观察到了带电状态为V02的双空位缺陷, 以及团簇效应对缺陷的影响, 正电子湮灭及TRIM程序模拟计算都表明团簇效应的存在.