全文获取类型
收费全文 | 6031篇 |
免费 | 2263篇 |
国内免费 | 1932篇 |
专业分类
化学 | 2886篇 |
晶体学 | 141篇 |
力学 | 166篇 |
综合类 | 102篇 |
数学 | 104篇 |
物理学 | 6827篇 |
出版年
2024年 | 35篇 |
2023年 | 143篇 |
2022年 | 135篇 |
2021年 | 163篇 |
2020年 | 99篇 |
2019年 | 168篇 |
2018年 | 131篇 |
2017年 | 153篇 |
2016年 | 162篇 |
2015年 | 191篇 |
2014年 | 588篇 |
2013年 | 336篇 |
2012年 | 400篇 |
2011年 | 495篇 |
2010年 | 502篇 |
2009年 | 622篇 |
2008年 | 498篇 |
2007年 | 453篇 |
2006年 | 434篇 |
2005年 | 433篇 |
2004年 | 522篇 |
2003年 | 526篇 |
2002年 | 365篇 |
2001年 | 331篇 |
2000年 | 291篇 |
1999年 | 225篇 |
1998年 | 216篇 |
1997年 | 173篇 |
1996年 | 190篇 |
1995年 | 178篇 |
1994年 | 161篇 |
1993年 | 174篇 |
1992年 | 168篇 |
1991年 | 135篇 |
1990年 | 137篇 |
1989年 | 117篇 |
1988年 | 52篇 |
1987年 | 52篇 |
1986年 | 28篇 |
1985年 | 19篇 |
1984年 | 15篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 4篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
22.
23.
采用同步辐射能量色散X射线衍射技术、激光加热技术和金刚石对顶砧(DAC)高压装置,在温度为2 000 K和压力为23 GPa的范围内,对采自地幔二辉橄榄岩中的顽火斜方辉石,进行了原位的高温高压能量色散X射线衍射(EDXRD)测量。实验结果表明:当压力为15.3 GPa、温度为1 600 K时(相当于地球内部410 km处的地震波不连续界面的温压环境),顽火斜方辉石转变为橄榄石的β相——瓦兹利石(Wadsleyite)相;继续加温加压至2 000 K、23 GPa时(相当于地球内部670 km处的地震波不连续界面的温压环境),顽火斜方辉石相变为钛铁矿(Ilmenite)结构和钙钛矿(Perovskite)结构的混和相。实验结果进一步证明,在地幔中存在的两个地震波不连续界面是由橄榄石、顽火斜方辉石等矿物的相变引起的。 相似文献
24.
25.
利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献
26.
27.
28.
29.
30.
在2004年的实验中,首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理,在这种硅化器壁的条件下,对轻重杂质的线辐射进行了研究,并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中,通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗,研究了硅化对氢再循环的影响。 相似文献