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51.
对于NO分子轨道的能级次序现有两种不同的说法,不少人根据NO与O_2~+是等电子体,由O_2~+分子的能级次序确定NO分子组态。本文用NO和O_2~(+)从头计算结果以及NO的紫外光电子能谱相结合的方法说明NO的5σ轨道是弱成键轨道,5σ的轨道能稍高于1π轨道能,也就是说NO的能级次序是与N_2分子相同的;NO与O_2~+虽是等电子体,但是能级次序并不相同,因此由O_2~+的能级次序确定NO分子的电子组态是不妥的。 相似文献
52.
53.
C30卡宾三叶结分子结构与稳定性的理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
三叶结分子是最简单的非平凡纽结分子, C30卡宾三叶结分子是由一条闭合的(C≡C—)15 sp杂化碳链组成的, 是具有D3对称性的拓扑手性分子. 本文用密度泛函方法[DFT/RB3LYP/6-31G(D)]对分子结构和光谱性质进行了研究, 在优化构型的基础上通过自然键轨道(NBO)方法和轨道能级研究了它的共轭性、成键情况和稳定性, 并与平面型C30卡宾环分子进行了比较. 计算结果表明三叶结分子的三叶弧上形成了非平面的C≡C共轭和扭曲的内螺旋结构, 交叉处具有弱成键作用, 且分子轨道也发生了扭曲; 三叶结分子比卡宾环的共轭性和赝Jahn-Teller效应都明显小, 而总能量高. 因此, 分子打结是一个能量升高的过程. 相似文献
54.
Ru_n(n=2~8)金属团簇的结构和能级分布的DFT研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用密度泛函理论中的广义梯度近似(DFT/GGA)方法,对Run团簇(n = 2~8)的几何结构与稳定性、束缚能以及能级分布的关系进行了研究,并分析了随着团簇原子数的增加,团簇的几何结构和费米能级的变化,结果表明:Ru簇的几何结构在4个原子以前是平面结构,而从5个原子开始为空间立体的稳定结构,束缚能随金属原子数的增加而增加。能级结构呈明显的分立特征,费米能级随原子个数的增加而增加,但从Ru7开始又有所降低,且团簇的能量间隙逐渐减小,趋近于大块金属的能级特征。 相似文献
55.
采用内收缩的多参考组态相互作用并加Davidson修正的icMRCI+Q方法和大基组分别构建了稀有气体化合物HXeCl和HXeF分子的基态三维势能面, 研究了它们的稳定性和解离能垒. 研究表明, 三体离解通道是HXeCl分子的主要离解通道; 而对于HXeF分子, 两种离解反应可能同时发生并存在竞争关系. 此外采用Lanczos算法计算了HXeCl和HXeF分子的振动能级. 计算的H—Xe伸缩振动基频在考虑Xe基质效应的校正后为1666.6 cm-1, 仅高于实验值17.6 cm-1, 较好地解释了HXeCl分子的实验结果. 相似文献
56.
57.
本文采用Hartree-Fock自洽场方法,从理论上计算了铜到钼的类钠离子1s~22s~22p~6nl(n=3~6,l=O~5)各能级能量。给出了有可能实现软X射线激光的跃迁(5g—4f,5f—4d,6g—4f,6f—4d)的光谱性质:跃迁波长、振子强度,并和实验值进行了比较,跃迁波长的相对误差不超过千分之二。从计算结果可知,Se的6f—4d跃迁,Br的6g—4f跃迁,Zr的5f—4l跃迁,Nb的5g—4f跃迁都已进入水窗波段。 相似文献
58.
采用SCC-DV-Xα方法对α-Keggin结构硅钼二电子还原态杂多蓝阴离子[SiMo2(V)Mo10(VI)O40]6-和它的混合型钒取代物[SiV2(V)Mo10(VI)O40]6-进行了量子化学计算,获得了轨道能级、费米能级、各原子价电子布居、自由价态密度分析和分子轨道成分等信息.理论分析表明该杂多阴离子中所有原子Si、Mo、V、Oa、Ob、Oc和Od都参与反应,Oc和Od的成键能力较强,化学活性较大,有力地支持了实验结果.中心硅氧四面体结构发生畸变很小,但构成三金属簇的八面体结构都发生了较明显的畸变,其整体仍然保持α-Keggin结构.钒的取代增强了Mo2VO13三金属族中Od的活性.预测这两种杂多阴离子都有被继续还原和取代的趋势,[SiMo2(V)Mo10(VI)O40]6-的趋势更强. 相似文献
59.
随着市场反弹,私募业绩出现起色,少数优秀私募甚至已经借助今年以来的反律行情一举弥补了去年的损失。2012年,反弹成为市场关键词,截至3月14日,沪深300指数收于2605.11点,短短2个多月,A股已经迅速收复2011年部分失地。但与此同时,私募基金的反弹之路则走得有些崎岖。 相似文献
60.
为了研究AlGaN量子阱层和垒层中Al组分不同对AlGaN基深紫外发光二极管(LED)光电性能的影响,本文利用MOCVD生长、光刻和干法刻蚀工艺制备了AlGaN量子阱层和垒层具有不同Al组分的270/290/330nm深紫外LED,通过实验和数值模拟计算方法发现,量子阱层和垒层中具有低Al组分紫外LED的AlGaN材料具有较低的位错密度、较高的光输出功率和外量子效率。通过电流-电压(I-V)曲线拟合出的较大的理想因子(3.5)和能带结构图表明,AlGaN深紫外LED的电流产生是隧穿机制占据主导作用,这是因为高Al组分AlGaN量子阱中强极化场造成了有源层区域较大的能带弯曲和电势降。 相似文献