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81.
我们利用稀土直接掺杂工艺 ,通过向带隙宽为 4~ 5eV的ⅡA ⅥA族化合物中掺入稀土离子Eu、Sm ,合成了电子俘获材料 (ETM ElectronTrap pingMaterial)CaS :Eu ,Sm。该材料具有红外上转换和光存储特性 ,其红外响应光谱宽 ( 0 .8~ 1 .6μm)、量子转换效率高达 76% [1 ,2 ] 、热稳定性好、使用方便 (室温下工作 ,不需制冷 )、造价低 ,并且具有“常光充能”特性 ,即不需紫外线预激发就能在室温下将红外光 ( 0 .8~ 1 .6μm)直接转换为醒目的可见红光 ,是一种优良的红外探测材料 ,利用该材料制作的… 相似文献
82.
简述了宇宙中的暗物质分类、候选者及对其观测研究的意义.综述了冷暗物质粒子观测方法与结果,及其发展趋势.特别评述了Beijing–Rome合作组DAMA的有关实验与新成果.给出作用截面与冷暗物质粒子质量参数平面内目前世界上最低的排除域,以及首例的冷暗物质粒子年调制效应:其平均值m>=0.037±0.008cpd/kg·keV,参量估计其质量约为60GeV/c2,这可能隐含着冷暗物质粒子的存在.为确认之,尚需更高统计量的验证和重复性的检验. 相似文献
83.
84.
采用外腔式电光开关,调制主动照明探测光源,使光电倍增管处于脉冲工作状态下,以提高光电倍增管的输出幅度和动态范围,改善信号的信噪比,同时避免样品和探测器长时间受强激光照射。对滨松H6780光电倍增管进行了调试,使其线性输出电流由静态的0.1mA提升到脉冲状态的4.4mA,信噪比提高到6.6倍。 相似文献
85.
文章用缀饰原子研究电磁感应透明,为分析探测光强度的破坏性干涉提供了一个清晰的物理图象,用这种方法可更乘法地研究驱动场失谐对电磁感应透明的影响。 相似文献
86.
为满足中国散裂中子源(China Spallation Neutron Source,CSNS)工程材料衍射谱仪的探测器需求,CSNS探测器组设计并研制了基于硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPM)读出的闪烁体探测器。本工作针对该探测器,选取了Sensl MicroFJ-30035-TSV和Hamamatsu S13363-3050NE-16两种型号的SiPM,开展了其击穿电压、增益、温度特性、暗计数率等关键性能的测试。测试结果显示,两者单光子分辨能力,增益、暗计数率等性能均可满足当前闪烁体探测器需求,相同过偏压下,前者增益高于后者,且Hamamatsu SiPM增益对温度更敏感。测试了两SiPM的温度补偿系数分别为22.0 mV/℃(Sens1)和53.6 mV/℃(Hamamatsu),为后续SiPM温度补偿电路设计奠定了基础。利用研制的探测器工程样机,在CSNS BL09下测试了两种SiPM读出的探测器对2.8 ?中子探测效率分别为76%和68%,为目标探测器及同类型探测器的SiPM选型提供了参考。 相似文献
87.
报道了软X光能诺仪探别元件的能量响应曲线标定工作.实验利用北京同步辐射装置-3W1B束经及反射率计靶室,在束流40—80mA、贮存环电子能量2.2GeV专用光运行模式下,在150—1500eV能区的四个能段,做了铝阴极X射线二权管、滤光片及擦入射平面反射镜能量响应标定实验,通过实验数据比对及分析,最终给出X射线二极管在不同能量段最大可能的测量误差范围。 相似文献
88.
混合结构的石墨烯/半导体光电晶体管因其超高的响应度而备受关注。然而,该类光电晶体管通过源-漏电极测试得到的比探测率(D*)容易受到1/f噪声的限制。本文制备了混合结构的石墨烯/GaAs光电探测器,通过源-栅电极测得D*大约为1.82×1011 Jones,与通过源-漏电极测量相比,D*提高了约500倍。这可归因于界面上肖特基势垒对载流子俘获和释放过程的屏蔽作用。此外,探测器的上升时间和下降时间分别是4 ms和37 ms,响应速度相应地提高了2个数量级。该工作为制备高比探测率和高速的光电探测器提供了一种新的思路。 相似文献
89.
90.
N-乙基吡咯是吡咯分子的一个乙基取代衍生物,它的激发态衰变动力学目前为止很少被研究. 本文利用飞秒时间分辨光电子成像的实验方法研究N-乙基吡咯分子S1态的衰变动力学. 实验采用241.9和237.7 nm的泵浦激发波长. 在241.9 nm激发下,得到5.0±0.7 ps,66.4±15.6 ps和1.3±0.1 ns三个寿命常数. 在237.7 nm激发下,得到2.1±0.1 ps和13.1±1.2 ps两个寿命常数. 所有寿命常数都归属为S1态的振动态. 本文并对不同S1振动态的弛豫机理进行了讨论. 相似文献