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随着涡流检测技术的不断发展,不仅要求准确检测出缺陷,且还需对缺陷进行定量、定性评价。涡流检测中阻抗信号变化是进行缺陷检测和定量分析的依据:测量或计算缺陷的阻抗信号,称为涡流检测的正向问题;从阻抗信号推断出缺陷的定量定性特征,则是逆向问题。借助于有限元模拟方法,对涡流检测时的正向问题进行了求解计算;利用傅里叶变换和神经网络方法,对涡流检测时的逆向问题进行了分析。 相似文献
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对磷酸二氢钾(KDP)晶体中Na取代K点缺陷的几何结构及电子结构进行了第一性研究。计算的形成能约为0.46 eV,因此在KDP晶体中此类缺陷比较容易形成。Na取代K以后没有在带隙中形成缺陷态,但在价带中引入两个占据态。它们分别位于费米面以下49 eV和21.5 eV处,这两个占据态分别由Na原子的s和p轨道形成。相对于K来说,由于它们位于价带深处,具有很低的能量,因此Na在KDP中比K稳定。Na在KDP晶体中与周围氧原子的重叠布居仅为0.09, 故它不与主体原子发生共价作用,仅以静电库仑力影响周围原子,此缺陷周围晶格仅发生微小畸变。 相似文献
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分析了制作高功率连续激光反射镜材料的热性能、缺陷及其加工工艺, 提出了制作高功率激光反射镜应考虑的几个关键问题: 反射镜材料的综合热性能比值S, 材料的微观结构、缺陷的大小和晶向的选择, 以及加工工艺的设计。并介绍了实验结果。 相似文献
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文章在紧束缚势模型基础上系统地研究了非手性单壁碳纳米管上单原子空位缺陷结构和电子结构性质.计算表明,单原子空位缺陷会自发地形成5-1DB型缺陷,且该缺陷的局域结构和形成能强烈地依赖于碳纳米管的尺寸、旋度和电学性质.同时作者发现这类缺陷在费米能级以上约0.2eV处产生局域的电子态. 相似文献
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利用射频磁控溅射系统在不同N2分压的条件下,制备了一系列ZrN/WN纳米多层膜.借助慢正电子湮没技术分析了样品的缺陷性质,采用纳米压痕仪研究了多层膜的力学性能.结果发现:N2分压为0.4Pa的多层膜具有最小的空位型缺陷浓度,其中心层和膜基结合层的平均S参数分别为0.4402和0.4641,而较低或较高的N2分压都可能导致空位型缺陷浓度的增加.随着空位型缺陷浓度的减小,多层膜的硬度和临界载荷增大.对于空位型缺陷浓度最小的多层膜,其硬度和临界载荷达到最大值,分别为34.8GPa和100mN,说明较低的缺陷浓度有利于提高多层膜的力学性能.
关键词:
ZrN/WN纳米多层膜
缺陷性质
力学性能
慢正电子湮没 相似文献
89.
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Electronic properties of both Pb and S vacancy defects in PbS(1^-00) have been studied using the first-principles density functional theory (DFT) calculations with the plane-wave pseudopotentials. It is found that the density of states (DOS) near the top of the valence band and the bottom of the conduction band is significantly modified by these defects. Our calculation indicates that in the case of S vacancy defects the Fermi energy shifts to the conduction band making it as an n-type PbS (donor). However, in the case of Pb vacancy, because of the appreciable change of the DOS, the system acts as a p-type PbS (accepter). In addition, the structural relaxation shows that the defect leads to outward relaxation of the nearest-neighbouring atoms and inward relaxation of the next-nearest neighbouring atoms. 相似文献