| 高能氩离子辐照硅产生的缺陷研究 |
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| 引用本文： | 朱智勇,侯明东,金运范,李长林,刘昌龙,张崇宏,孙友梅.高能氩离子辐照硅产生的缺陷研究[J].中国物理 C,1999,23(12):1248-1252. |
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| 作者姓名： | 朱智勇 侯明东 金运范 李长林 刘昌龙 张崇宏 孙友梅 |
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| 作者单位： | 中国科学院近代物理研究所!兰州７３００００(朱智勇,侯明东,金运范,李长林,刘昌龙,张崇宏),中 (孙友梅) |
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| 基金项目： | 中国科学院"九五"重点基金!KJ952－S1－423,博士后科学基金 |
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| 摘 要： | 在室温下750MeV氩离子对本征单晶硅进行辐照,通过用正电子湮没寿命测量技术、电子顺磁共振技术以及红外光吸收方法研究了辐照产生的缺陷.结果表明:电中性双空位是辐照产生的主要空位团;在4.3×1014ions/cm2的高剂量下未见样品发生非晶化转变;虽然在离子射程末端双空位的浓度随剂量的增加而显著增大,但在以电离激发过程为主要能损方式的区域里双空位的浓度基本不变.据此可以认为,电子能损过程对辐照产生的缺陷有退人作用.
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| 关 键 词： | 单晶硅 离子辐照 缺陷 |
| 收稿时间： | 1998-12-11 |
Study of Defects in Silicon Irradiated With High Energy Ar Ions |
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| Zhu Zhiyong,Hou Mingdong,Jin Yunfan,Li Changlin,Liu Changlong,Zhang Chonghong,Sun Youmei.Study of Defects in Silicon Irradiated With High Energy Ar Ions[J].High Energy Physics and Nuclear Physics,1999,23(12):1248-1252. |
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| Authors: | Zhu Zhiyong Hou Mingdong Jin Yunfan Li Changlin Liu Changlong Zhang Chonghong Sun Youmei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | single crystalline silicon ion irradiation defects |
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