全文获取类型
收费全文 | 124篇 |
免费 | 244篇 |
国内免费 | 84篇 |
专业分类
化学 | 97篇 |
晶体学 | 34篇 |
力学 | 1篇 |
综合类 | 4篇 |
数学 | 6篇 |
物理学 | 310篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2023年 | 6篇 |
2022年 | 10篇 |
2021年 | 3篇 |
2020年 | 9篇 |
2019年 | 13篇 |
2018年 | 8篇 |
2017年 | 24篇 |
2016年 | 16篇 |
2015年 | 21篇 |
2014年 | 49篇 |
2013年 | 41篇 |
2012年 | 26篇 |
2011年 | 34篇 |
2010年 | 31篇 |
2009年 | 27篇 |
2008年 | 20篇 |
2007年 | 13篇 |
2006年 | 17篇 |
2005年 | 10篇 |
2004年 | 4篇 |
2003年 | 8篇 |
2002年 | 8篇 |
2001年 | 9篇 |
2000年 | 5篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 3篇 |
1996年 | 4篇 |
1995年 | 4篇 |
1994年 | 3篇 |
1993年 | 5篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 2篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
排序方式: 共有452条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
采用拉曼热测量技术结合有限元热仿真模型,分析比较新型铜/石墨复合物法兰封装与传统铜钼法兰封装的GaN器件的结温与热阻,发现前者的整体热阻比铜钼法兰器件的整体热阻低18.7%,器件内部各层材料的温度分布显示铜/石墨复合物法兰在器件中的热阻占比相比铜钼法兰在器件中的热阻占比低13%,这证明使用高热导率铜/石墨复合物法兰封装提高GaN器件热扩散性能的有效性.通过对两种GaN器件热阻占比的测量与分析,发现除了封装法兰以外,热阻占比最高的是GaN外延与衬底材料之间的界面热阻,降低界面热阻是进一步提高器件热性能的关键.同时,详细阐述了使用拉曼光热技术测量GaN器件结温和热阻的原理和过程,展示了拉曼光热技术作为一种GaN器件热特性表征方法的有效性. 相似文献
52.
盐酸黄连素作为脱氧核糖核酸荧光染料染色效果的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
考察了盐酸黄连素(berberine hydrochloride)的荧光强度与双链DNA的相关性;优选盐酸黄连素在琼脂糖凝胶电泳中的最佳条件;将其染色效果与溴化乙锭(EB)进行比较;并从相对迁移率角度研究盐酸黄连素对DNA凝胶电泳的影响。结果显示,双链DNA对盐酸黄连素有明显的荧光增强作用,荧光强度与dsDNA的浓度正相关;凝胶中10mg/L的盐酸黄连素可分辨出10ng的100bp DNA条带,在完全相同的操作条件下,对于小片段dsDNA,其灵敏度略低于EB。因盐酸黄连素在碱性溶液中带正电荷,使DNA相对迁移率减小,但较染料EB的影响小。该研究为盐酸黄连素在日常分子生物学研究中的应用提供了理论依据。盐酸黄连素可以作为琼脂糖凝胶电泳中DNA的荧光染料,其荧光强度能够满足常规应用,可以替代强致癌性染料EB。 相似文献
53.
采用原子层淀积(ALD)方法,制备了Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。在栅压为-20 V时,MOS-HEMT的栅漏电比Schottky-gate HEMT的栅漏电低4个数量级以上。在栅压为+2 V时,Schottky-gate HEMT的栅漏电为191μA;在栅压为+20 V时,MOS-HEMT的栅漏电仅为23.6 nA,比同样尺寸的Schottky-gate HEMT的栅漏电低将近7个数量级。AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅压摆幅达到了±20 V。在栅压Vgs=0 V时, MOS-HEMT的饱和电流密度达到了646 mA/mm,相比Schottky-gate HEMT的饱和电流密度(277 mA/mm)提高了133%。栅漏间距为10μm的AlGaN/GaN MOS-HEMT器件在栅压为+3 V时的最大饱和输出电流达到680 mA/mm,特征导通电阻为1.47 mΩ·cm2。Schottky-gate HEMT的开启与关断电流比仅为105,MOS-HEMT的开启与关断电流比超过了109,超出了Schottky-gate HEMT器件4个数量级,原因是栅漏电的降低提高了MOS-HEMT的开启与关断电流比。在Vgs=-14 V时,栅漏间距为10μm的AlGaN/GaN MOS-HEMT的关断击穿电压为640 V,关断泄露电流为27μA/mm。 相似文献
54.
在TCAD半导体仿真环境中,建立了0.25 m栅长的AlGaAs/InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器与微波脉冲作用的仿真模型,基于器件内部的电场强度、电流密度和温度分布的变化,研究了1 GHz的微波从栅极和漏极注入的损伤机理。研究结果表明,从栅极注入约40.1 dBm的微波时,HEMT内部峰值温度随着时间的变化振荡上升,最终使得器件失效,栅下靠源侧电流通道和强电场的同时存在使得该位置最容易损伤;从漏极注入微波时,注入功率的高低会使器件内部出现不同的响应过程,注入功率存在一个临界值,高于该值,器件有可能在第一个周期内损伤,损伤位置均在漏极附近。在1 GHz的微波作用下,漏极注入比栅极注入更难损伤。 相似文献
55.
56.
Motoyoshi Nakano Yudai Ishimur Riki Hott Daiki Hebiguchi Toshiaki Nagat Fuminori Misaizu 《化学物理学报》2019,32(2):193-199
本文通过离子迁移质谱法研究了氧化钠团簇阳离子(NanOm+,n≤11)的稳定结构. 质谱结果表明化学计量组成Na(Na2O)(n-1)/2+ (n=3、5、7、9和11)系列是稳定的,并且NaO(Na2O)(n-1)/2+ (n=5、7、9和11)系列作为二级稳定系列. 为了获得这些团簇离子的结构,通过离子迁移率测量实验测定离子和氦缓冲气体之间的碰撞截面. 同时计算了这些组合物优化结构的理论碰撞截面. 结果表明,Na(Na2O)(n-1)/2+和NaO(Na2O)(n-1)/2+的结构除了n=9之外,其它具有相似结构框架. Na(Na2O)(n-1)/2+所有的化合键位于钠和氧之间. 另一方面,NaO(Na2O)(n-1)/2+中除了Na-O键之外,还存在一个O-O氧键,表明NaO(Na2O)(n-1)/2+具有过氧化物离子(O22-)作为Na(Na2O)(n-1)/2+的氧化物离子(O2-) 的替代物. Na(Na2O)(n-1)/2+和NaO(Na2O)(n-1)/2+两种稳定系列都是闭壳组合物. 这些闭壳特征对氧化钠簇阳离子的稳定性具有强烈影响. 相似文献
57.
使用金属有机化学气相沉积法生长了AlGN/GaN高电子迁移率晶体管.研究了生长压力和载气组分对AlGaN势垒层及AlGaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率的影响.原子力显微镜(AFM)光谱和SEM-EDS用于表征外延层的质量.结果表明随着反应室压力从50torr提高到200torr,AlGaN势垒层的表面形貌先变好,随后开始变差.在反应室压力100torr情况下得到最好的表面形貌.同时发现在生长AlGaN势垒层时,同时适当的氢气会提高AlGaN层的质量.在反应室压力100torr、氢气组分59;时得到AlGaNHEMT的最大二维电子气迁移率为1545 cm2/V·s. 相似文献
58.
59.
60.
制作了底栅极顶接触有机薄膜晶体管器件,60 nm的pentacene被用作有源层,120 nm热生长的SiO2作为栅极绝缘层.通过采用不同自组装修饰材料对器件的有源层与栅极绝缘层之间的界面进行修饰,如octadecyltrichlorosilane (OTS),phenyltrimethoxysilane (PhTMS),来比较界面修饰层对器件性能的影响.同时对带有PhTMS修饰层的OTFTs器件低栅极电压调制下的场效应行为及其载流子的传输机理进行研究.结果得到,当|V
关键词:
有机薄膜晶体管
自组装单分子层
场效应迁移率
低栅极调制电压 相似文献