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11.
本文基于牛顿冷却规律给出了“冰的熔解热实验”中用外推法修正温度的完整的理论依据.采用Matlab编程实现了修正温度时面积补偿的要求,将其用于数字温度计所得实验数据的处理,计算得到的熔解热值基本符合预期.通过理论分析和数值计算发现,采用外推法处理实验数据基本上不依赖于冰、水质量以及投冰时水温等实验参数的设置,而环境温度测量虽然影响散热系数的计算,但对温度的修正与熔解热的计算影响很小,因此,基于该方法的熔解热测量很适合在实验条件要求不高的物理实验教学中推广应用. 相似文献
12.
在变压器中,当环境温度高于灌封温度时,绝缘油对容器壁产生很大的压力,易导致密封处渗漏和壳体变形。为解决以上问题,一方面通过实验研究了密封容器内油的压强随温度的变化规律,另一方面用易压缩的空心胶囊的方法补偿油的热胀冷缩,实验研究了其减压效果,并理论分析计算影响胶囊减压效果的因素。由于胶囊是绝缘体,其大小、数量和安放位置可根据实际情况灵活安排。 相似文献
13.
针对常规空气源冷水机组评价系统无法进行低环境温度空气源冷水机组的低环境温度制冷工况测试而设计了低环境温度空气源冷水机组评价系统,详细论述了该评价系统的测试原理、调节设备等关键性问题。在对低环境温度制冷工况测试数据进行分析后可知:低环境温度空气源冷水机组评价系统不仅使常规空气源冷水机组评价系统实现了低环境温度空气源冷水机组的低环境温度制冷工况测试,同时采用冷凝热回收技术有效地降低了评价系统的运行费用和能源消耗,而且整个评价系统工况控制稳定、设备运行可靠。较高的调节精度,有效地保证测试时数据的稳定和准确,完全可以为低环境温度空气源冷水机组的研发提供依据。 相似文献
14.
利用数值方法模拟O2分子在短脉冲激光场中的转动波包,从理论上研究了在两束短脉冲激光驱动下O2分子的取向程度.在相同的环境温度下,与单脉冲激光驱动相比,通过优化两束激光脉冲的强度比和时间延迟,可以有效提高O2分子的取向程度.研究表明,当两束激光脉冲的强度比约为1:3,时间延迟为11.73 ps时,O2分子可以达到很好的取向效果. 相似文献
15.
为提高动力电池散热能力,优化工作性能,本文采用数值模拟方法,分析环境温度、对流换热系数对填充相变材料动力电池散热效果的影响,并对比分析导热系数为0. 21 W/(m·℃)的纯石蜡和导热系数为16. 6 W/(m·℃)的复合相变材料散热性能。结果表明,环境温度升高,电池温升速率加快,相变材料相变时间点提前,相变时间缩短,电池冷却效果变差;对流换热系数增加5 W/m~2,相变材料相变时间延长2 000 s,电池温升推迟,但当电池持续工作、相变材料完全融化时,电池温度不再受控制,这说明单一的相变冷却已不能满足电池散热要求,须外加空气冷却、液体冷却辅助散热。 相似文献
16.
17.
Tong Zhou Xianghui Qi Qing Wang Wei Xiong Jun Duan Xiaoji Zhou Xuzong Chen 《中国光学快报(英文版)》2010,(5):496-498
<正>Two extended-cavity diode lasers at 780 nm which are longtime frequency-stabilized to Rb~(87) saturated absorption signals are reported.A high-performance frequency-locking circuit module using a first-harmonic detection technique is designed and achieved.Two lasers are continuously frequency-stabilized for over 100 h in conventional laboratory condition.The Allan standard deviation of either laser is estimated to be 1.3×10~(-11) at an integration time of 25 s.The system environment temperature drift is demonstrated to be the main factor affecting long-term stability of the stabilized lasers based on our correlation study between beat frequency and system environment temperature. 相似文献
18.
采用水浴法研究环境温度对硅太阳能电池的开路电压、短路电流及填充因子等参量的影响.研究结果表明,随着环境温度的升高,开路电压逐渐上升,而短路电流、填充因子和最佳负载对应的最大输出功率都逐渐减小. 相似文献
19.
Mg-doped AlxGa1-xN epilayers were grown on AlN/sapphire templates by metal organic chemical vapor depo- sition (MOCVD) using an indium-assisted growth method. At room temperature, the resistivity of Mg-doped Alo.43Gao.57N epilayer grown under indium (In) ambient is of the order of 10^4Ω.cm, while the resistivity of Mg-doped Al0.43Ga0.57N grown without In assistance is of the order of 10^6Ω.cm. The ultraviolet light-emitting diodes (UV-LEDs) using the In-assisted Mg-doped Al0.43Ga0.57N as the p-type layers were fabricated to verify the function of indium ambient. It is found that there are a lower turn-on voltage and a lower diode series resistance in the UV-LEDs fabricated with p-type Al0.43Ga0.57 N layers grown under In-ambient. 相似文献
20.