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Effect of Indium Ambient on Electrical Properties of Mg-Foped AlxGa1-xN
Authors:XU Zheng-Yu  QIN Zhi-Xin  SANG Li-Wen  ZHANG Yan-Zhao  SHEN Bo  ZHANG Guo-Yi  ZHAO Lan  ZHANG Xiang-Feng  CHENG Cai-Jing  SUN Wei-Guo
Institution:[1]State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871 [2]Luoyang Optoelectronic Institute, PO. Box 030, Luoyang 471009
Abstract:
Keywords:
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