中国环流器新一号（HL—1M）装置研制

ＨＬ－１Ｍ装置是由ＨＬ－１托卡马克改建成的，从１９９４年１０月起，已成功地投入运行。它们是一个中型圆截面托马克装置，但去掉了铜导体壳，以 便以地等 体进行高功率辅助加热，低杂波电流驱动和弹丸注入等研究。     

重离子碰撞两体关联输运理论V.等级截断

讨论了两体关联输运理论在不同的等级截断下对中能重离子碰撞动力学过程的描述. 不同的等级截断对动力学过程尤其是耗散过程的描述是不同的.     

HL-1M边缘等离子体静电湍流扰动

对HL－1M边缘等离子体静电湍流扰动进行了初步的实验研究。获得了扰动的基本特征量，估计了低杂波引起的径向粒子流的变化。在加低杂波（2．45GHz)前、后，电子密度扰动和极向电场扰动的幅度及其关联性变化不大。虽然低杂波部分抑制了静电湍流，但在数量上不能解释粒子约束改善的实验结果。     

一类非线性单调型方程的区域分裂法

本文考虑了一类非线性单调问题的加性Schwgrz交替法和异步平行算法,并得到了在能量模意义下的收敛性结果,最后还讨论了格式的有限元离散。     

密度泛函估计的重对数律，中心极限定理和不变原理

设X_1,…,X_n是从分布密度为f(单变量实值函数)的总体中抽出的iid.样本.μ=EX_1。本文研究了密度泛函θ=f(μ)的核型估计为通常的Rosenblatt-Parzen核估计)的大样本性质。     

牛顿弦截法预估校正迭代格式的收敛阶

研究如下形式的牛顿弦截法的预估校正(P.C.)格式:P(预估):~xk+1=xk-(xk-xk-1)f(xk)f(xk)-f(xk-1)C(校正):xk+1=xk-(~xk+1-xk)f(xk)f~(xk+1)-f(xk)证明了它的收敛阶为2.618.     

一种“类耗散系统”中的“类Ⅴ型阵发”

一类不连续不可逆保面积映象可以展示类似耗散的行为,因此可称其为“类耗散系统”.在一种类耗散系统中观察到了椭圆周期轨道及其周围的椭圆岛与映象不连续边界碰撞而消失的现象.周期轨道消失后,经过一系列过渡椭圆周期轨道之后,系统的行为由一个混沌类吸引子主导.在混沌类吸引子刚刚出现时,混沌时间序列呈现层流相与湍流相的无规交替.这一切都与不连续耗散系统中发生的Ⅴ型阵发的相应性质十分相似,因此可称为“类Ⅴ型阵发”.然而,当混沌类吸引子刚刚出现时,仅可以找到最后一个过渡椭圆岛的“遗迹”,并不存在它的“鬼魂”,因此类Ⅴ型阵发不遵从Ⅴ型阵发的特征标度规律.反之,混沌类吸引子的鬼魂却存在于最后一个过渡椭圆周期轨道的类瞬态过程中,因此在类Ⅴ型阵发导致混沌运动的临界点之前,由此“类瞬态混沌奇异集”中逃逸的规律就成为标志这一种临界现象的标度律.这与Ⅴ型阵发又根本不同. 关键词： 类耗散性 类混沌吸引子 类Ⅴ型阵发     

宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展

本文系自1979年以来，宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面：第一，系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射；第二，创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想；第三，深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用，为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径；第四，研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射；第五，CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理；第六，ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。     

19F+27Al耗散反应中双核系统的转动与形变

测量了¹⁹F+²⁷Al耗散反应产物B,C,N,O,F和Ne的激发函数,入射束流的能量从110.25MeV到118.75MeV, 能量步长为250keV. 从产物的 能量自关联函数中提取了反应中所形成的中间双核系统的转动惯量, 与相粘模型计算的刚体转动惯量相比较, 结果表明形成的双核系统有大的形变.     

Interferences in Photodetachment of a Negative Molecular Ion

The photodetachment of a negative molecular ion is studied theoretically using a two-center model. The detached electron wave function is obtained as a superposition of two coherent waves originating from each center. The photo-detached electron flux is evaluated on a screen placed at a large distance from the negative molecular ion. The electron flux on the screen displays strong interferences, the peak positions are related to the distance between the two centers in the negative molecular ion. We a/so obtained a simple analytical formula for the total photodetachment cross section. It approaches one and two times of the cross section for the one-center system in the high and lowphoton energy limits respectively.