PLD法生长n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结的电学性能研究

用高功率脉冲激光轰击Zn1-xCoxO,得到锌、钴和氧的原子、分子和团簇等混合体,并在p型单晶Si表面反应生成n型Zn1-xCoxO.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究表明,这层材料是结构致密均匀、呈c轴高度择优取向的薄膜,与p型Si材料形成n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结.在Zn1-xCoxO中加入H,生成了Co-H-Co聚合体,异质结的势垒高度随着Co含量的增加而增加,同时深能级的Co-d轨道捕获作为浅施主的间隙H提供的电子,造成的体系n型半导体层的载流子浓度降低,电阻率提高,使得n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结在6.5V时漏电流降致6×10-3 mA,反向击穿电压超过20V,电学性能得到显著改进.     

P(α,α′)πN反应中N(1440)激发的蒙特卡罗研究

在P(α,α′)πN反应的几种反应机制中研究N^*(1440)激发, 利用蒙特卡罗模拟的办法重现N^*(1440)共振峰的位置, 我们在给定入射能量情况下模拟出末态各出射粒子的动量, 角分布情况. 计算结果可以在πN的不变质量谱中观察到明显的N^*(1440)共振峰, 同时达里兹图中在πN系统能量平方为2100MeV²附近事件分布密集, 而别的组态却没有观察到这些情况, 这都说明了πN共振粒子N^*(1440)的产生.     

sl玻色子体系在U(2l+1)O(2l+2)过渡区的严格解

利用无穷维李代数方法得到了相互作用sl玻色子体系在U( 2l+ 1 ) O( 2l+ 2 )过渡区的能谱和波函数的严格解 .给出了该系统Bethe假定方程的数值解法 .     

Slutsky定理在样本分位数的极限分布证明上的应用

为了更好地理解和应用样本分位数的极限分布,利用Slutsky定理,推导了样本分位数的极限分布.     

序列式MESO紧空间的闭Lindelof逆象(英文)

证明了正则空间中闭Lindelof映射逆保持序列式meso紧性,从而改进了Mancuso V J关于正则空间中完备映射逆保持meso紧性这一结果;进一步我们指出定理条件中原象空间的正则性不可被省略而象空间的正则性可以用原象空间的正规性来替代.     

$M$-半群的直觉$(S,T)$-模糊$M$-子半群的性质

K.T.Atanassov在1986年首先引入直觉模糊集的概念,本文利用s-范数和t-范数,引入M-半群的直觉(S,T)-模糊M-子半群的概念,刻画其性质和特征,我们再进一步给出了直觉(S,T)-直积的概念,并由此探讨了一些有意义的相关结论。     

Stone代数的Cayley表示定理

首先通过集代数得到了Stone代数的表示定理,然后证明了每一个Stone代数均嵌入到某个集合X上的一个Stone映射类S中.     

四维Minkowski空间中类时超曲面的de Sitter Gauss映射的奇点分类

本文通过类时超曲面与超平面的切触关系, 对类时超曲面的de Sitter Gauss映射的奇点进行了分类.     

Mg,Si和S同位素链的壳反常

采用考虑轴向形变的相对论平均场理论,以双中子、双质子分离能隙δ_2n/δ_2p作为壳封闭的特征,分析了Mg,Si和S同位素链的壳封闭和壳反常,发现Mg同位素链在N=12,16处,Si同位素链在N=14,S同位素链在N?=16处出现明显的壳封闭结构,Si同位素链在N=28处壳层结构并没有消失.Mg,Si和S同位素链在N=20处壳效应并不太明显.     

关于非光滑不变凸多目标规划的Wolfe型对偶

本文讨论定义在Banach空间上的,既具有等式约束又具有不等式约束的,非光滑(F,P)不变凸多目标规划的Wolfe对偶性,Mond-Weir型对偶性可类似讨论之。