PLD法生长n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结的电学性能研究

用高功率脉冲激光轰击Zn1-xCoxO,得到锌、钴和氧的原子、分子和团簇等混合体,并在p型单晶Si表面反应生成n型Zn1-xCoxO.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究表明,这层材料是结构致密均匀、呈c轴高度择优取向的薄膜,与p型Si材料形成n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结.在Zn1-xCoxO中加入H,生成了Co-H-Co聚合体,异质结的势垒高度随着Co含量的增加而增加,同时深能级的Co-d轨道捕获作为浅施主的间隙H提供的电子,造成的体系n型半导体层的载流子浓度降低,电阻率提高,使得n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结在6.5V时漏电流降致6×10-3 mA,反向击穿电压超过20V,电学性能得到显著改进.     

固体氧化物燃料电池综合实验的设计

设计了一个综合性实验——固体氧化物燃料电池制备及性能测试。实验内容包括电解质和电极粉体的制备、电池片压制、对称电极制备，以及采用X射线衍射对粉体结构进行表征，采用电化学工作站对电池化学性能进行测试分析。本实验不仅可以锻炼学生的基本实验操作技能，还可以提高学生的学习兴趣和动手能力，培养学生的创新意识和团队协作精神。     

通过氧化物前驱体非真空方法制备高质量CuInSe2薄膜

通过非真空工艺利用CuO、In₂O₃混合氧化物制备CuInSe₂薄膜太阳能电池中的吸收层CuInSe₂薄膜. 利用柠檬酸法制备出粒径在100 nm以下的CuO、In₂O₃混合氧化物纳米粉，在浆料中加入过量的硒，用来创造非平衡的反应条件促进氧化物的还原和硒化. 考察了影响硒化的几个反应条件，最优的硒化条件为1.9 kPa的Se蒸汽压中，550 °C硒化60 min.     

颗粒弥散Ba0.5Sr0.5Co0.8Fe0.2O3-δ基复合透氧膜材料的制备、结构与性能研究

通过外加等摩尔分数的ZrO2 和过量BaO,原位生成一定比例的BaZrO3 基第二相颗粒复合的制备法,对具有较高氧渗透率的Ba0. 5Sr0. 5Co0. 8Fe0. 2O3-δ进行了原位引入Ba(Sr)Zr(CoFe)O3 第二相颗粒的改性研究发现引入的第二相颗粒不但具有抑制基相晶粒的生长、细化和均化基相晶粒的作用,同时减小了基相高温氧脱量而起到稳定相结构的作用.引入5%ZrO2 和5%过量BaO复合物的抗弯强度比纯相提高68%;引入10%Zr和10%过量BaO、20%ZrO2 和20%过量BaO的复合物(均为摩尔分数),在850℃以下具有更高的氧渗透率;合物的电导率随第二相颗粒含量的增加而减小;氧脱附量较小的复合物的载流子浓度相对稳定,因而升降温过中电导率热回滞峰较小.     

Metal Precursor Influence on Performance of CuIn1-xGaxSe2 Films

在镀有Mo的纳钙玻璃衬底上顺序溅射沉积CuGa/In/CuGa层，然后在真空下520 oC硒化40 min，制备成CIGS薄膜. 通 过调整预制层的底层和表层的溅射沉积CuGa层的厚度比，制备不同的CIGS薄膜. 通过X射线衍射谱、拉曼谱、电子能谱、平面和断面SEM的分析， 揭示出CIGS薄膜是黄铜矿相的结构， 晶粒0.5～2 μm，且由硒化CuGa/In/CuGa厚度比为7:20:3的金属预制层后的CIGS薄膜的结晶性最好. 拉曼光谱表明，没有In-Se二元化合物相和有序缺陷化合物相.     

金属锌促进羰基化合物水相嚬呐偶合反应

报道了一种简便、有效的水相嚬呐偶合反应。在含有少量季铵盐或季磷盐的氯化铵水溶液中,用金属锌促进羰基化合物进行水相嚬呐偶合反应,其中加入的少量季铵盐或季磷盐有助于显著提高反应产率,嚬呐醇产率由53%提高到87%。但嚬呐偶合反应的产率受羰基周围环境的立体位阻影响较大,在此条件下,金属锌可有效地促进芳香族醛化合物进行水相嚬呐偶合反应,得到产率较高的嚬呐醇,但非对映异构体选择性差,而脂肪族醛化合物得到的嚬呐醇产率较低,在同样条件下,酮类化合物不能顺利进行嚬呐偶合反应。     

化学浴沉积法制备CdS多晶薄膜

利用化学浴沉积法制备适合于铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料的CdS多晶薄膜,研究了在不同温度和不同时间下沉积薄膜的性质．薄膜生长开始由ion-by-ion机制控制,随着时间的进行,cluster-by-cluster机制占据主导．薄膜的生长速度随着沉积温度的升高而快速增加,直到达到饱和厚度．并且饱和厚度随温度升高而相应降低．SEM表明随沉积时间增加以及温度升高,薄膜表面形貌从多孔到粗糙的不均匀转变．XRD结果显示,薄膜由立方和六方两相结构组成,控制沉积时间对薄膜的主要晶相结构很关键．所有温度下沉积的CdS     

Pulsed Laser Deposition ZnS Buffer Layers for CIGS Solar Cells

采用脉冲激光沉积(PLD)技术，在20、200、400和600 oC下制备出了高质量的ZnS薄膜．XRD分析结果表明，PLD法制备的ZnS多晶薄膜为立方闪锌矿结构而并非Murali报道的六方的纤锌矿结构，并沿(111)方向择优取向生长．Raman光谱进一步证明了在350 cm-1出现了立方相ZnS薄膜的A1振动模式．通过ZnS薄膜的SEM平面和断面图可观察到采用PLD技术生长出了非常密实、光滑、均匀的薄膜．PLD生长的ZnS薄膜的颗粒远小于化学浴沉积的CdS颗粒，这也是影响其电池效率的主要原因．XRF化学组成分析结果表明ZnS薄膜符合化学计量比，但略微富S．最后通过光吸收谱测得不同温度下的ZnS薄膜的光学带隙在3.2～3.7 eV，并随薄膜沉积温度的升高，光学带隙反而增加．采用宽带隙的ZnS缓冲层材料，与CdS(2.4 eV)相比，可以增加电池蓝波段的响应．     

Ba0.5Sr0.5Co0.8Fe0.2O3-δ晶格缺陷、电性能与氧渗透研究

对新型氧渗透材料Ba0 .5 Sr0 .5 Co0 .8Fe0 .2 O3 -δ(BSCF)进行了O2 TPD表征、非化学计量 (δ)测定、电导率 (σ)测量和氧渗透性能测试的研究 .结果表明 ,经纯氧气氛处理后的BSCF ,其O2 TPD谱存在三个失氧峰 :低温峰对应于晶格中V O 位置上的吸附氧 ,高温区两个峰对应于晶格中两种不同位置的晶格氧 ;σ对温度的实验表明 ,不论在升温还是降温过程中 ,σ在 470℃左右均出现极大值 ,可能与BSCF体系的δ值随温度变化相关 ;氧渗透实验表明 ,850℃以上 ,BSCF的氧渗透率JO2 较大 ,达到 1μmol/cm2 s ,活化能较低 ,Ea =63 .1kJ/mol ,而低于 850℃时 ,存在相分解     

热处理对CuIn(S,Se)2薄膜断面成分均匀性的影响

用同时硒硫化共溅射Cu-In预制层的方法制备了CuIn(S,Se)₂薄膜．为了了解热处理对CuIn(S,Se)₂薄膜断面成分均匀性的影响,对经"一段式"热处理(500 ℃)和"二段式"热处理(250 ℃保温然后500 ℃)的样品进行了研究．XRD测试结果表明,经过"一段式"热处理后的样品XRD(112)峰出现劈裂现象,而经过"二段式"热处理的样品XRD(112)峰比较匀称．GIXRD和EDS测试证明样品经过"二段式"热处理后断面成分均匀性较好．通过XRD 和Raman测试对两种热处理下的反应机理进行了研究,阐述了两种热处理对CuIn(S,Se)₂薄膜断面成分均匀性的影响的内在原因．