Hg1-xCdxTe/Cd1-zZnzTe的X射线反射率及半峰全宽的动力学研究

X射线衍射摇摆曲线的计算机模拟是一种获得材料晶体质量参量的有效方法，其中材料本征摇摆曲线的计算是计算机模拟的基础。用X射线动力学理论计算了Hg1-xCdxTe和Cd1-zZnzTe本征反射率曲线，并研究了组分、膜厚分别对本征反射率和半峰全宽的影响。结果表明Hg1-xCdxTe和Cd1-zZnzTe的本征反射率和半峰全宽与材料组分和厚度有明显的依赖关系，且该依赖关系取决于X射线在材料中的散射和吸收的相对强弱。薄膜的厚度也是直接影响本征摇摆曲线峰形、半峰全宽和反射率的重要因素，当薄膜厚度小于穿透深度时，表征本征反射率曲线的各个参量均与薄膜厚度有直接的关系。对于(333)衍射面，碲镉汞材料厚度大于7μm后，本征反射率和半峰全宽将不再发生明显变化。     

电极电势φ对电化学反应速率的影响

讨论电极电势ψ与电化学反应速率之间的关系,并对电化学中经常遇到的概念、公式进行论述.针对ψ、η、 0、 t0、k、kt0、ψe、β等容易混淆的符号及含义,通过详尽推导,加以澄清,强调了电化学与动力学之间的联系.     

小阶跃反应性输入时点堆中子动力学方程的解析解

对小阶跃反应性输入（0<ρ,０<β）且有温度反馈时点堆中子动力学方程进行了研究. 导出任意初始功率条件下核反应堆功率、反应性与时间的解析表达式. 分析和讨论了初始功率与输入小阶跃反应性的大小对功率、反应性变化规律的影响，得到了一些新的结果. 关键词： 中子动力学 反应性 点堆 温度反馈     

ON INTERACTION OF SHOCK AND SOUND WAVE （I）

This paper studies the interaction of shock and gradient wave (sound wave) of solutions to the system of inviscid isentropic gas dynamics as a model for the corresponding problems for nonlinear hyperbolic systems. The problem can be reduced to a boundary value problem in a wedged dormain, By using the method of constructing asymptotic solutions and Newton‘siteration process it is proved that if a weak shock hits a gradient wave, then the grandient wave will split into two gradient waves, while the shock continuses propagating. In this paper the author reduces the problem to a standard form and constructs asymptotic solution of the problem. The existence of the genuine solution will he given in the following paper.     

高温超导体磁通动力学和混合态相图(Ⅱ)

（上接2006年第1期第16页） 5涡旋态相图的发展 随着理论和实验工作的不断进展，高温超导体混合态相图变得丰富多彩．首先在涡旋玻璃态理论出现后，相图就较常规超导体有了很大的变化．在常规超导体中，相图上就只有两根标志相边界的线。     

量子色动力学非微扰传播子

本文在链近似下计算了QCD非微扰夸克和胶子完全传播子.我们仅考虑最低维非微扰效应即夸克凝聚<Ω│ψψ│Ω>和胶子凝聚<Ω│G²│Ω>对传播子的贡献,胶子凝聚通过作为<Ω│Aαμ(x)Abv(y)│Ω>在洛伦兹规范下展开级数的系数而引入.与采用固定点规范相比,胶子凝聚的引入没有破坏平移不变性.因而,我们计算出了夸克完全传播.如采用固定点规范不能做到这一点.     

湍流Prandtl数

依据J.O.Hinze的理论,研究湍流Prandtl数随分子Prandtl数和流动条件参数变化的规律,并解释有关实验结果。     

SiH4激光等离子体内自由基反应动力学研究

本工作采用时间分辨的OES(Optics Emission Spectroscopy)技术,研究横向激励大气压(TEA)CO₂激光诱发的SiH₄等离子体内碎片反应动力学过程。实验结果表明,等离子体内某些碎片的发光特征谱线主峰位置明显不同。据此,讨论了各碎片的产生及反应过程。比较各碎片发光的持续时间及综合其它OES结果,我们认为SIH₄激光等离子体的最终反应通道为产生Si的通道。 关键词：