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61.
对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜. 关键词: 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染  相似文献   
62.
冲蚀过程是一个与颗粒反复冲击物体表面而移除物质相关的表面现象.本文研究了玻璃的冲蚀坑的几何尺寸和体积,给出了冲蚀移除物质如何依赖于颗粒流动速度、颗粒尺寸和冲击角的理论关系.通过理论与实验结果相比较,定义了一定冲蚀坑尺度的有效域.  相似文献   
63.
不等式组与变分不等式的极大熵函数方法   总被引:1,自引:1,他引:0  
利用极大熵函数方法将不等式组及变分不等式的求解问题转化为近似可微优化问题,给出了不等式组及变分不等式问题近似解的可微优化方法,得到了不等式组和变分不等式问题的解集合的示性函数.  相似文献   
64.
Bush连续不可微函数的分形性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文对用递推关系确定的Bush连续不可微函数,找出了迭代函数系(IFS),从而得到它的级数表达式和所具有的自仿射分形的有关性质.最后还计算出函数图象的Hausdorff 维数的准确值.  相似文献   
65.
66.
复方单硝酸异山梨酯-阿司匹林双缓释微丸胶囊的研制(Ⅱ)   总被引:2,自引:0,他引:2  
以乙基纤维素、丙烯酸树脂Ⅱ和丙烯酸树脂Ⅲ为骨架材料分别制备单硝酸异山梨酯和阿司匹林混合骨架缓释微丸,并通过包薄膜衣进一步控制药物的释放。通过测定微丸的释放度对处方工艺进行评价,选择最佳微丸灌装胶囊.胶囊中两种药物均达到良好的缓释效果。符合中国药典对缓释制剂的要求.其体外释放过程同时符合Higuchi方程和一级释药方程,R^2值均在0.995以上。  相似文献   
67.
金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
利用磁控溅射产生金属Cu团簇,同时蒸发半导体介质CdS,将Cu团簇包埋在CdS介质中,制备出金属颗粒 半导体膜.团簇大小可通过改变溅射气压控制.用TEM研究了嵌埋团簇的结构.分析表明:CdS很好地包埋了Cu团簇,都呈多晶结构;团簇尺寸在5—20nm,Cu晶格发生了膨胀,膨胀量在7%左右 关键词:  相似文献   
68.
建立了一个把增强颗粒球和基体空心球嵌入等效复合介质空腔中的“双层嵌套模型”,研究了颗粒增强材料自高温冷却下来时,不同相中热应力的分布特点。推出了热应力在弹性和弹塑性状态的各种表达式。研究表明,随着温度降低,增强体受到压应力,基体材料中存在的静水应力为拉应力。温度继续下降,将出现自增强颗粒与基体界面向外扩展的屈服区。随增强相体积分数增大,增强颗粒受到的压应力和基体中的静水拉应力减小,增强颗粒与基体界面屈服的起始温差增大,而基体材料全面屈服的温差却减小。  相似文献   
69.
微裂纹扩展中的分形现象及其计算机仿真   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文探讨了采用仿真技术研究微裂纹连接过程和生成分形断口表面的可行性,发展了用于仿真微裂纹随机生长行为的GO模型的基本构相,并进行了计算机仿真实验,由此得出了一此有的结论。  相似文献   
70.
本文采用激光衍射法和光学显微计算机图像系统及自行开发的软件,测量了三个典型煤在快速加热初期燃烧、等温加热燃烧和火焰燃烧方式的颗粒尺寸,运用分数维理论,建立了煤燃烧颗粒破碎理论,实验和理论研究揭示了煤燃烧中颗粒尺寸变化的本质,理论计算和实验结果符合良好。  相似文献   
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