微球板电子倍增器基体制备技术研究

新型微球板电子倍增器和微通道板相比具有高增益、无离子反馈、制备简单、造价低廉等优点。介绍了微球板电子倍增器的工作原理、特点和广阔的应用前景。由于微球板基体的形成技术是微球板制备的关键技术，论文从理论上研究了微球板基体烧结过程中的烧结速率。并采用自行设计组分的高铅玻璃，用立式炉成珠设备进行了玻璃微珠的制备。探索了微球板制备过程中玻璃微珠的分级技术、微球板电子倍增器基体成型工艺和技术。制备出基本满足要求的微球板电子倍增器基体。给出了制造的样品和文献上样品结构的SEM对比照片，最后对实验过程中的一些现象进行了分析，并给出了实验的结论。     

平面交叉玻璃波导型微透镜阵列光学性能研究

介绍了平面交叉玻璃光波导型半球形微透镜阵列的制作方法.利用积分形式的光线方程式讨论了半球形微透镜的光学特性,得到了半球形微透镜的光线轨迹方程式和焦距表示式,理论结果与实验数据是一致的.     

甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc_Si∶H）薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明：μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O，O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a_Si:H）薄膜. 关键词： 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染     

不等式组与变分不等式的极大熵函数方法

利用极大熵函数方法将不等式组及变分不等式的求解问题转化为近似可微优化问题，给出了不等式组及变分不等式问题近似解的可微优化方法，得到了不等式组和变分不等式问题的解集合的示性函数．     

Bush连续不可微函数的分形性质

本文对用递推关系确定的Bush连续不可微函数,找出了迭代函数系(IFS),从而得到它的级数表达式和所具有的自仿射分形的有关性质.最后还计算出函数图象的Hausdorff 维数的准确值.     

复方单硝酸异山梨酯-阿司匹林双缓释微丸胶囊的研制(Ⅱ)

以乙基纤维素、丙烯酸树脂Ⅱ和丙烯酸树脂Ⅲ为骨架材料分别制备单硝酸异山梨酯和阿司匹林混合骨架缓释微丸，并通过包薄膜衣进一步控制药物的释放。通过测定微丸的释放度对处方工艺进行评价，选择最佳微丸灌装胶囊．胶囊中两种药物均达到良好的缓释效果。符合中国药典对缓释制剂的要求．其体外释放过程同时符合Higuchi方程和一级释药方程，R^2值均在0．995以上。     

Fluorescence Microscopy of Nanoscale Silver Oxide Thin Films

The experimental conditions for photoactivated intermittent fluorescence from nanoscale silver oxide were studied with fluorescence microscopy.Strong fluorescence was observed from the Ag2O particles with size of 10-20nm excited with both blue and green light .We observed the saturation of Photoexcitation with blue light and explained the experimental results using the model of agglomeration of silver atoms to form small clusters and the fluorescence of Ag2 and Ag3 clusters.     

Sobolev空间H~s(R~n)上矩阵伸缩的多尺度分析特征刻画

本文对高维Sobolev空间Hs(Rn)上具有矩阵伸缩的多尺度分析特征进行了 刻划,特别给出了稠密性特征的一个充分必要条件,从而解决了文献[4]中提出的一个 问题.所得结果覆盖了这方面的已知结论.     

微裂纹扩展中的分形现象及其计算机仿真

本文探讨了采用仿真技术研究微裂纹连接过程和生成分形断口表面的可行性，发展了用于仿真微裂纹随机生长行为的ＧＯ模型的基本构相，并进行了计算机仿真实验，由此得出了一此有的结论。