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11.
非晶态镍磷—镍钨磷双层组合镀层的耐蚀性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文对比研究了镍磷镀层、镍钨磷镀层及非晶态镍磷和镍钨磷双层组合镀层的耐蚀性能,分别进行了各种镀层的浸渍腐蚀实验,镀层的X射线衍射图象、镀层的扫描电镜图象、以及在工厂实际的腐蚀环境里进行的腐蚀实验。实验结果表明镍磷及镍钨磷双层组合镀层的耐 性优于镍磷镀层、镍钨磷镀层的耐蚀性。  相似文献   
12.
化学镀广泛应用于非金属的电镀、电铸前的施加导电层。化学镀沉积层质量与其在零件上的附着力有着密切的关系 ,重视对化学镀沉积层内应力的研究 ,开发一个低温、低内应力的化学镀镍工艺 ,对于化学镀沉积层的推广应用有着十分重要的意义。本文采用正交实验方法对低温、低内应力化学镀镍工艺进行了系统研究 ,开发出了一个低温、低内应力的化学镀镍工艺。在实验过程中发现沉积层内应力同其在零件上的结合力具有密切关系并对其进行了初步探讨。1 实验方法1 1 正交实验根据探索性实验结果分析 ,影响化学镀镍层内应力σ和沉积层速率r的主要因…  相似文献   
13.
非晶态Fe-W合金镀层的表面改性   总被引:2,自引:0,他引:2  
将Fe-W非晶态镀层在铬酸盐钝化液中进行化学钝化与电化学钝化,使之形成含铬钝化膜。阳极极化曲线说明,钝化后镀层的孔蚀电位向正向移动了约1.68V;Fe-W非晶镀层在氯化钠溶液中浸泡近1h表面发生严重腐蚀,而经钝化处理的镀层浸泡1个月,表面无变化,仍具有金属光泽。  相似文献   
14.
比较了H_4SiMo_(12)O_(40)、H_3PW_(12)O_(40)、H_4SiW_(12)O_(40)、H_3PMo_(12)O_(40)及铬酸盐对镀锌层钝化效果。H_3PMo_(12)O_(40)钝化的最佳条件为:H_3PMo_(12)O_(40)5g/L,pH 1.1,钝化时间35秒,温度15℃,空留时间10秒,封闭温度100℃(水)。经扫描电镜、XPS、AES、IR和Raman光谱等测定,表明在锌表面形成了一种含有P、Mo、O及Zn的耐蚀性膜。其中钼以Mo(Ⅵ)、Mo(Ⅴ)和Mo(Ⅳ)存在,P/Mo比为1:3.0。推测锌表面形成了一种形如Zn_x(PMo_3)_rO_z/ZnO/Zn的复杂钝化膜。  相似文献   
15.
光亮镀锡工艺由于成本低、无毒、镀层稳定性好而广泛应用于电子元器件引线的电镀.但因锡镀层与基体之间会发生原子的相互扩散,致使产品在储存、焊接或使用期间因温度效应而使某些重要的物理和化学性能,如钎焊性、导电性和防腐性变差。金属界面原子的热扩散行为与金属晶体的结构缺陷密切相关,因此应用正电子湮没寿命谱法研究锡镀层在热处理过程中缺陷的运动规律,在理论和工艺方面都具有重要的意义。  相似文献   
16.
Fe26Cr1Mo不锈钢在900℃氧化时,生成的氧化层在冷却过程中大量剥落,经表面共电沉积NiLa2O3复合镀层后,抗热循环能力明显提高。  相似文献   
17.
电沉积条件对锌镀层织构的影响   总被引:14,自引:1,他引:14  
许书楷  杨防祖 《电化学》1995,1(4):408-414
采用XRD方法研究添加剂,络合剂,以及电流密度对锌酸盐镀锌层的织构和晶粒尺寸的影响,结果表明,添加剂AA-1的存在有利于(101)晶面取向;而DIE则使镀层转变为110择优;两种添加剂同时存在下,可在一定的电流密度范围内获得高择优取向的锌镀层,而当又有络合剂TEA和EDTA同时存在时,则可在更宽广的电流密度范围内制得日 粒细密、表面光亮、择优系数TC(110)在985以上的高择优取向锌沉积层。  相似文献   
18.
A new activation method has been developed for electroless copper plating on silicon wafer based on palladium chemisorption on SAMs of APTS without SnCl2 sensitization and roughening condition.A closely packed electroless copper film with strong adhesion is successfully formed by AFM observation.XPS study indicates that palladium chemisorption occurred via palladium chloride bonding to the pendant amino group of the SAMs.  相似文献   
19.
(110)晶面全择优取向Cu镀层的制备及其条件优化   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了添加剂聚乙二醇(PEG)、氯离子(Cl-)和电流密度对Cu的电沉积过程的影响, 着重探讨了制备(110)晶面全择优取向Cu镀层的电沉积条件及其形成机理. 循环伏安(CV)结果表明, PEG阻化Cu的电沉积, Cl-加快Cu的电沉积速率. XRD实验结果表明, PEG和Cl-在一定浓度范围有利于(110)晶面择优取向; 这两种不同特性的添加剂的协同作用可以制得(110)晶面全择优取向的较薄的Cu镀层; 所制备的全择优Cu镀层较稳定. 全择优取向Cu镀层形成的机理在于PEG和Cl-吸附过程联合起作用, 在不同晶粒的不同晶面进行选择吸附, 改变了晶面的生长速率及晶粒的快生长方向.  相似文献   
20.
研究了1-4丁炔二醇和乙二胺作为添加剂对在离子液体1-甲基-3-甲基咪唑三氟甲磺酸盐中电沉积Cu的影响。紫外可见光吸收光谱结果表明,当采用1-4丁炔二醇作为添加剂时,1-4丁炔二醇吸附在工作电极表面且未与溶液中的Cu2+形成配合物。扫描电镜测试结果表明由于1-4丁炔二醇与离子液体的正离子的竞争吸附使得Cu的沉积电势发生正移并使镀层表面更加均匀平整。当采用乙二胺作为添加剂时,紫外可见光吸收光谱和循环伏安测试结果表明乙二胺与溶液中的Cu2+离子形成带有正电荷的络合离子使得Cu的沉积电势发生正移,扫描电镜和原子力显微镜测试结果表明得到了更加均匀的镀层。当同时加入1-4丁炔二醇和乙二胺时,Cu的沉积电势仍然发生正移并得到具有纳米粒径的镀层。  相似文献   
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