石墨烯/聚苯胺复合材料的制备及其电化学性能

以苯胺和氧化石墨烯(GO)为原料, 采用电化学方法制备了石墨烯/聚苯胺(GP)复合材料. 利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、拉曼(Raman)光谱、X射线光电子能谱分析(XPS)对其结构、微观形貌进行了表征,并对复合材料电化学性能进行了测试. 结果表明, 复合材料保持了石墨烯的基本形貌, 聚苯胺颗粒均匀地分散在石墨烯表面, 复合材料在500 mA·g^-1的电流密度下比电容达到352 F·g^-1, 1000 mA·g^-1下比电容为315 F·g^-1, 经过1000 次的充放电循环后容量保持率达到90%, 远大于石墨烯和聚苯胺单体的比电容. 复合材料放电效率高, 电解质离子易于在电极中扩散和迁移.     

纳米炭黑复合涂料的制备及其耐蚀性能

纳米炭黑复合涂料的制备及其耐蚀性能;纳米炭黑;复合涂料;制备;耐蚀性     

模板组装Fe纳米线阵列及其微结构

铝在硫酸溶液中经直流阳极氧化,得到多孔铝阳极氧化膜(AAO). 以AAO膜为模板,通过交流电沉积的方法,在AAO模板孔内成功组装了Fe纳米线.TEM分析表明,Fe纳米线的长度约为2.5 μm,其长度分布十分均匀；粗细均匀,直径约为25 nm. XRD实验分析证实,所制备的Fe纳米线为α-Fe.选区电子衍射（SAED）实验分析表明,α-Fe纳米线具有单晶结构.     

从氨性柠檬酸溶液中电沉积Ni-Mo的机理研究

含钼大于约27％（质量分数）Ni－Mo合金，具有较高的耐蚀性，特别是在盐酸和硫酸溶液中，其耐蚀性优于SUS304不锈钢［1］．因此，人们对该种合金的电沉积进行了广泛的研究［1－4］．对合金共沉积机理也作了一定的研究．一般认为，钼不能单独进行电沉积，但它可以同铁族元素共沉积［5］．对钼与铁族元素的共沉积机理，人们已提出了几种假设．一般认为［3］，钼可能是多步还原，即六价钼首先被电化学还原成低价钼化合物，而后由吸附在诱导金属（铁族元素）上的原子氢进一步还原成合金中的零价钼，为了进一步弄清Ni－Mo合金的共沉积机理，本…     

铜在ρ-Si上激光诱导电沉积过程的研究

由于在微电子器件制造，成像系统及太阳能电池等领域里具有广阔的应用前景，激光诱导化学及电化学沉积金属的研究，最近几年引起了极大兴趣［1－3］，例如Zahavi［4］报道了Pd，Au，Ni－Pd在氩离子激光作用下可以不加偏压实现在半导体Si，InPGaAs上的无掩膜选择性沉积，金属沉积只发生在光照部位．大多数研究工作是围绕应用技术而开展的，理论研究，尤其是光电化学方面的研究尚十分欠缺．我们认为对于普通电镀液中的激光诱导电沉积来讲，既使不需外加偏压，沉积过程也必然伴随着溶液中金属离子与半导体能带之间的电荷传递，因此可以通…     

非晶态Fe－W合金镀层的表面改性

将Ｆｅ－Ｗ非晶态镀层在铬酸盐钝化液中进行化学钝化与电化学钝化，使之形成含铬钝化膜。阳极极化曲线说明，钝化后镀层的孔蚀电位向正向移动了约１．６８Ｖ；Ｆｅ－Ｗ非晶镀层在氯化钠溶液中浸泡近１ｈ表面发生严重腐蚀，而经钝化处理的镀层浸泡１个月，表面无变化，仍具有金属光泽。     

电化学合成CoP-Cu复合丝及其巨磁阻抗效应

电化学合成CoP-Cu复合丝及其巨磁阻抗效应;钴磷非晶合金;电沉积;巨磁阻抗;复合丝     

电化学法制备Ni-W-P纳米线阵列电极及其催化析氢性能

采用二次氧化法制备了多孔阳极氧化铝(AAO)模板, 通过控制电位沉积技术在AAO模板内组装了Ni-W-P合金纳米线阵列. 在扫描电子显微镜(SEM)下观察到Ni-W-P纳米线表面光滑, 长约20 μm, 直径均匀(约为100 nm), 与AAO模板孔径基本一致. 阴极极化曲线和交流阻抗图谱(EIS)的测试结果表明, Ni-W-P合金纳米线阵列电极析氢反应(HER)电阻减小, 具有更高的催化析氢活性, 电流密度为10 mA·cm^-2时, 析氢极化电位较Ni-W-P合金电极正移约250 mV.     

模板法制备CdSe纳米材料及其光电性能

采用电化学沉积法,在阳极氧化铝（AAO）模板中成功制备出CdSe纳米管和纳米线。利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射分析（XRD）和能量色散X射线光谱仪（EDS）对材料的形貌、结构和元素组成进行了表征。借助紫外-可见吸收光谱等对材料光催化活性进行了研究。结果表明：通过控制沉积电量可成功制备CdSe纳米管和纳米线;CdSe纳米材料为立方晶型与六方晶型的混合,经350℃退火处理后,CdSe纳米材料中由立方晶型向六方晶型转变,光照开路电位差值明显增强,在0 V（vs SCE）电位下的光照电流密度也有所提高,光电转换性能增强;CdSe纳米线的吸收边在710 nm左右,禁带宽度约为1.85 eV,CdSe纳米管相对于CdSe纳米线具有更高的光电转换性能和光催化活性,经7 h光照后,罗丹明B降解效率高达53.93%。另外,本文还讨论了CdSe纳米材料在AAO模板孔壁的生长机理。     

光诱导转化法制备单晶Ag纳米三棱体和立方体

分别以柠檬酸三钠 (TSC)及N 聚乙烯吡咯烷酮 (PVP)为稳定剂 ,首先采用KBH4化学还原法制得球形Ag纳米粒子溶胶 (粒径 12～ 18nm) ;再将两种溶胶置于 5 0 0W卤钨灯下进行光诱导转化实验 ,一定转化时间后 ,球形Ag纳米粒子分别转化为单晶Ag纳米三棱体 (边长 80～ 12 0nm)和立方体 (边长 90～ 2 0 0nm) .利用透射电子显微镜 (TEM )、电子衍射 (ED)和紫外 可见吸收光谱 (UV Vis)等手段对单晶Ag纳米三棱体和立方体进行了表征 ,对光转化过程中Ag粒子由球形到三棱体和立方体的转变原因进行了初步的分析和探讨 .认为主要原因在于不同种类稳定剂在Ag的不同晶面吸附作用不同 ,从而形成沿某一晶面取向生长的Ag单晶体 .