不同能级加速过滤电弧沉积四面体非晶碳膜的结构和性能

采用过滤阴极真空电弧技术，通过施加0—2000 V衬底负偏压使沉积离子获得不同能级的入射能量，在单晶硅上制备了四面体非晶碳薄膜.拉曼光谱分析表明，薄膜的结构为非晶sp³骨架中镶嵌着平面关联长度小于1 nm的sp²团簇.原子力显微镜研究表明：在低能级、富sp³能量窗口和次高能级，薄膜中sp³的含量越多，其表面就越光滑，应用sp³浅注入生长机制能够圆满地解释薄膜表面形态与离子入射能量之间的关系；但在高 关键词： 四面体非晶碳 过滤阴极真空电弧 能级     

Cr,Mg:GSGG 晶体生长、光谱性能及Cr4+形成机理的研究

采用传统提拉法单晶生长技术成功生长出了Cr,Mg:GSGG晶体, 并对生长出的晶体样品进行了氧化气氛和还原气氛退火处理. 通过对比分析退火处理前后样品吸收光谱的变化, 推断出晶体中四面体配位Cr⁴⁺离子的形成机理为: 晶体生长和高温氧化气氛退火的过程中, 四价Cr⁴⁺离子首先在八面体格位上形成, 然后在热激发作用下与邻近四面体格位上的Ga³⁺离子发生置换反应, 从而形成一定浓度的四面体配位Cr⁴⁺离子. 实验结果还表明, 随着电荷补偿离子Mg²⁺离子浓度的增大, 更有利于提高四面体配位Cr⁴⁺离子的浓度.     

椭偏法表征四面体非晶碳薄膜的化学键结构

采用自主研制的双弯曲磁过滤阴极真空电弧(FCVA)技术,在不同衬底负偏压下制备了四面体非晶碳(ta-C)薄膜。通过分光光度计和椭偏(SE)联用技术精确测量了薄膜厚度,重点采用椭偏法对不同偏压下制备的ta-C薄膜sp3 C键和sp2 C键结构进行了拟合表征,并与X射线光电子能谱(XPS)和拉曼光谱的实验结果相对比,分析了非晶碳结构的椭偏拟合新方法可靠性。结果表明,在-100V偏压时薄膜厚度最小,为33.9nm;随着偏压的增加,薄膜中的sp2 C含量增加,sp3 C含量减小,光学带隙下降。对比结果发现,椭偏法作为一种无损、简易、快速的表征方法,可用于ta-C薄膜中sp2 C键和sp3 C键含量的准确测定,且在采用玻璃碳代表纯sp2 C的光学常数及拟合波长选取250～1700nm时的椭偏拟合条件下,拟合数值最佳。     

Ca₂BO₃Cl:Ce³⁺,Tb³⁺:A novel tunable emitting phosphor for white light-emitting diode

<正>Ca₂BO₃Cl:Ce³⁺,Ca₂BO₃Cl:Tb³⁺,and Ca₂BO₃Cl:Ce³⁺,Tb³⁺ phosphors are synthesized by a high temperature solid-state reaction.The emission intensity of Ce³⁺ or Tb³⁺ in Ca₂BO₃Cl is influenced by the Ce³⁺ or Tb³⁺ doping content,and the optimum concentrations of Ce³⁺ and Tb³⁺ are 0.03 mol and 0.05 mol,respectively.The concentration quenching effect of Ce³⁺ or Tb³⁺ in Ca₂BO₃Cl occurs,and the concentration quenching mechanism is d-d interaction for either Ce³⁺ or Tb³⁺.The Ca₂BO₃Cl:Ce³⁺,Tb³⁺ can produce colour emission from blue to green by properly tuning the relative ratio between Ce³⁺ and Tb³⁺,and the emission intensity of Tb³⁺ in Ca₂BO₃Cl can be enhanced by the energy transfer from Ce³⁺ to Tb³⁺.The results indicate that Ca₂BO₃Cl:Ce³⁺,Tb³⁺ may be a promising double emission phosphor for UV-based white light emitting diodes.     

Weakened acute type condition for tetrahedral triangulations and the discrete maximum principle

We prove that a discrete maximum principle holds for continuous piecewise linear finite element approximations for the Poisson equation with the Dirichlet boundary condition also under a condition of the existence of some obtuse internal angles between faces of terahedra of triangulations of a given space domain. This result represents a weakened form of the acute type condition for the three-dimensional case.

     

Growth and self-frequency doubling laser output of Nd : Ca4Gd0.275Y0.725O(BO3)3 crystal

In this letter, Nd : Ca₄Gd_0.275Y_0.725O(BO₃)₃ (Nd : GdYCOB) single crystal with good optical quality and large size has been grown by the Czochralski method. The absorption and fluorescence spectra have been measured. The self-frequency doubling (SFD) laser output of Nd : GdYCOB at 0.53 μm has been demonstrated when a Nd : GdYCOB crystal sample with dimensions of 3 mm×3 mm×7 mm (the phase-matched angle is θ=78.8°, Φ=90°) is pumped by a cw Ti : sapphire laser.     

Ln7O6（BO3）（PO4）2：Eu（Ln=Al,Gd,Y）的UVU—UV激发和辐射发光

本文报道了Ln7O6(BO3)(PO4)2:Eu(Ln=La,Gd,Y)在UVU－UV区的激发光谱及Eu^3 在可见区的发射光谱,其激发光谱包括基质在真空紫外区的激发带和激活剂离子在紫外区的Eu^3 -O^2-电荷迁移带,随着La^3 ,Gd^3 ,Y^3 离子半径逐渐减小,Eu^3 -O^2-电荷迁移带的重心位置逐渐向高能量方向移动,Gd7O6(BO3)(PO4)2:Eu和Y7O6（BO3）（PO4）2：Eu在真空紫外区的吸收与Eu^3 -O^2-电荷迁移带位于紫外区的吸收的比值要高于在La7O6(BO3)(PO4)2:Eu中的这个比值,激发能可被基质吸收,传递给激活剂离子,得到Eu^3 的红光发射,在Gd7O6(BO3)(PO4)2:Eu中,^5D0→^7F1的发射强度较强,在Y7O6（BO3）（PO4）2：Eu中,^5D0→^7F2和^5D0→^7F3的跃迁较强。     

石榴石固体电解质Li3BO3界面改性研究

石榴石固体电解质由于其高的离子电导率,对锂金属稳定等优点成为了下一代高性能锂电池的重要研究方向之一.但锂金属负极界面浸润性与锂枝晶问题限制了其应用.本文通过简单的液相沉积结合高温烧结的方法,在石榴石固体电解质片表面构建了一层稳定的硼酸三锂(Li3BO3)修饰层.研究表明,Li3BO3 修饰层可以有效改善石榴石固体电解质...     

Eu3+/Dy3+共掺Sr3Y2(BO3)4荧光粉的发光性质研究

稀土掺杂发光材料一直是科研领域研究的热点,被广泛应用于白光LED、温度传感、显示显像、新能源和激光等领域。基质的结构对于稀土离子光致发光特性有非常重要的影响,在众多发光基质材料中,硼酸盐具有透光范围宽、光学损伤阈值高、较好的热稳定性和化学稳定性等优点。碱土-稀土金属硼酸盐Sr₃Y₂(BO₃)₄具有出色的光学性能,对其发光性能的研究具有重要意义。稀土离子Eu³⁺具4f⁶电子层,是一种典型的下转换发光中心离子,常被选作红色发光材料的激活剂。Dy³⁺具4f⁹电子层,也是一种典型的下转换发光中心离子,在紫外光激发下,在蓝色光区和橙色光区有较强的荧光发射。采用高温固相法合成了Sr₃Y₂(BO₃)₄∶Eu³⁺/Dy³⁺荧光粉,通过XRD和SEM对样品的结构和形貌进行了表征,XRD结果表明,1 0...     

BaZr(BO3)2:Eu的合成及发光性能研究

用硝酸盐热分解法成功制备了BaZr(BO3)2:Eu(Eu3+的掺杂量为摩尔分数5%)荧光材料,并研究了其在254及147 nm光束激发下的发光特性.254 nm光束激发下的发射主峰位于612 nm处,归属于Eu3+的5D0-7F2的电偶极跃迁,但在147 nm光束激发下的发射主峰位于592 nm处,归属于Eu3+的5D0-7F1的磁偶极跃迁.通过激发光谱分析,上述现象归因于在紫外激发下占据非对称格位Ba2+的Eu3+被优先激发,而在真空紫外激发下占据对称格位Zr4+的Eu3+被优先激发.结果表明BaZr(BO3)2:Eu并不适合作为等离子平板显示器用红色发光材料.