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991.
992.
从麦克斯韦方程和流体理论出发,推导了填充磁化等离子体慢波结构的基本方程.在大磁场情况下,对等离子体填充盘荷波导的色散特性和耦合阻抗作了研究,结果表明填充等离子体使色散曲线上移,耦合阻抗提高.等离子体填充产生出模式谱非常丰富的周期性低频等离子体模式(TG模式).当等离子体密度增加到一定程度后,场模TM01模的频率范围和TG01模的频率范围相近,两个模式互相耦合产生出新的混合模G1,G2.如果相对论行波管工作在混合模上,将会产生新的工作机理.
关键词:
盘荷波导
等离子体填充
色散特性
相对论行波管 相似文献
993.
采用时域有限差分法数值求解Maxwell方程组,分析了平面随机介质中光波模式的频谱时间演化特性.随机介质的特征可以用散射颗粒的随机构形、介质参数(如颗粒的尺寸和填充率等)以及介质形态等因素来描述.这些因素决定了随机介质在准稳态下模式的频率特性与数量,但具有不同因素的随机介质中模式的产生、选择与演化,具有大致相同的特征与速度.平面随机介质的这些冷腔特性,与传统光腔中模式的产生、选择和演化的特征非常相似.
关键词:
激光物理
随机激光器
无序介质中的光学特性 相似文献
994.
用国产Bi2223/Ag带(西北有色金属研究院提供)设计的中心场3.0T.贮能35kJ的传导冷却高温超导磁体正在建造中.磁体由绕组内径150mm.外径272mm的32个双饼磁体组成.磁体在温度T=20K下.设计临界电流Ic=132A.额定运行电流I=100A.在T=20K附近进行四双饼组合磁体实验,得到磁体Ic=140A,中心场Bcc=1.14T,相应Bi2223/Ag带上最大轴向场Brmax=1.91T.Bi2223/Ag带上最大垂直场Brmax=1.14T.四双饼组合磁体的实验结果预示:35kJ HTS贮能磁体的设计目标能够达到. 相似文献
995.
采用紧束缚模型研究了悬挂端对单壁碳纳米管电子输运特性的影响.结果表明:有限长悬挂端开口碳纳米管的电导在费米能级附近作周期性振荡.椅型(armchair)碳纳米管的振荡同时具有快、慢两个准周期,而锯齿型(zigzag)碳纳米管的振荡仅有一个周期;碳纳米管电导在费米能级附近的振荡周期随着悬挂端的增长而减小.研究还发现:有限长悬挂端开口碳纳米管的平均电导随探针与碳纳米管间耦合强度的增加而增大,其大小约为无限长悬挂端开口碳纳米管平均电导的两倍.
关键词:
输运特性
碳纳米管
紧束缚模型 相似文献
996.
997.
InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温CaN表面生长了一层低温岛状GaN.形成表面形貌的起伏,进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其徽观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明:InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥,其密度约10^11cm^-2。室温下,InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料。这些现象表明,用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜.有望获得发光效率更高的GaN基发光器件。 相似文献
998.
激发双参数变形奇偶相干态的压缩特性 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了激发奇qs相干态a+mqsα〉oqs和激发偶qs相干态a+mqsα〉eqs的压缩特性,数值计算了参数m,s和q对qs压缩函数的影响.结果表明:(1)当q或s偏离1较远时,态a+mqsα〉oqs和a+mqsα〉eqs都能呈现出强烈的qs压缩,而且随着r2的增大qs压缩函数出现振幅和周期都递增的振荡现象,其振幅不但随q或s的减小而急剧增大,而且也随着m的增大而急剧增大,其周期随q或s的减小而增大但与m无关,从控制光场的压缩效应来看,场模上光子数增加数m可作为第三个独立的调节参数来使用;(2)对于大多数r,qs压缩函数对s的敏感度大于对q的敏感度,即通过调节参数s来控制光场的压缩效应要比通过调节参数q更有效. 相似文献
999.
含Eu3+离子的Na2O-K2 O-SiO2-Al2O3系统玻璃的制备及其变温发射光谱与结构特性 总被引:5,自引:3,他引:2
通过高温熔融法制备了含Eu^3 离子的Na2O-K2O-SiO2-Al2O3系统玻璃。在488nm波长光的激发下,系统地研究了上述玻璃从77K到700K温度范围的变温发光特征。发现总的荧光强度首先随温度的升高而大幅度升高,然后随温度的升高而减少,用声子辅助吸收与热激活过程及温度淬灭效应定性地解释了上述强度的变化,同时测量与分析了Eu^3 离子的晶格场参量。结果表明,Eu^3 离子与氧离子的距离随着温度升高而变短,而Eu^3 离子的配位数不随温度而变化。 相似文献
1000.