半导体量子点及其应用(Ⅰ)

量子点，又称“人造原子”，它是纳米科学与技术研究的重要组成部分，由于载流子在半导体量子点中受到三维限制而具有的优异性能，构成了量子器件和电路的基础，在未来的纳米电子学、光电子学，光子、量子计算和生命科学等方面有着重要的应用前景，受到人们广泛重视，文章分为Ⅰ、Ⅱ两个部分：第Ⅰ部分介绍了半导体量子点结构的制备和性质；第Ⅱ部分介绍了量子点器件的可能应用。     

Improved Performance of Solid-State Gratzel Solar Cell by Cosensitization of Quantum Dot and Dye

We report a new cosensitization utilizing quantum dot (QD) PbS and Cis-(SCN)2Bis(2,2‘-bipyridyl-4,4‘-dicarboxylate) ruthenium (N3) dye on the nanoporous Ti02 film. Solid-state Gratzel solar cells with the cosensitized films show an improved overall efficiency by 200% relative to the cells assembled with only N3 sensitization and an extremely high open-circuit voltage of 840mV, and a fill factor of 70.5~. Back reaction characteristics of the above cells are also investigated, demonstrating a great suppression of recombination due to cosensitization. It seems that the cosensitization also facilitates the electron injection into the conduction band of TiO2.     

InAs/GaAs自组织量子点的DLTS谱

将DLTS用于对InAs/GaAsQD结构样品的测量,测定了QD能级发射载流子的热激活能;获得了QD能级俘获电子过程伴随有多声子发射(MPE)、QD能级存在一定程度的展宽、以及在某些特定的生长条件下,存在亚稳生长构形的实验证据.结果表明:DLTS在QD体系的研究中有其特有的功能     

光抽运双光子激光朗之万量子理论

本文采用朗之万量子理论获得光抽运双光子激光具有双光子损耗时的朗之万方程,进一步获得稳态平均光子数、频率牵引、线宽和动态斯塔克效应,对激光增益来源的分析表明,非相干抽运仅有单双光子两步过程有贡献,而相干抽运,除上述过程外还有单双光子一步过程有贡献,而且,上述两个过程都受到负反馈和饱和因子的制约,线宽与稳态平均光子数无关。 关键词：     

直接耦合双耦合环高温超导dcSQUID中增大有效面积的图形设计

设计和制作了一种新型的双耦合环的直接耦合高Tc dc SQUID结构。根据Y.Zhang等在高Tc rf SQUID中用图形填充内孔使电感减小的原理，在直接耦合dc SQUID中，用在耦合环内孔中图形填充的方法减小电感，进而增大Ap/Lp，以增大总的有效面积。用双晶衬底所做的对比实验表明，对于我们所设计的几何结构，有效面积增大了17%。     

XXZ模型及其对称代数的结构

本文以具量子代数SL_q(2)对称性的XXZ Heisenberg自旋链为例,利用Temperley-Lieb代数结构,深入分析q^p=±1时SL_q(2)量子代数的有限维表示,讨论了可约而不可分解表示(Ⅰ型表示)出现的条件及其性质,并采用取极限办法得到新的状态,从而得到对应确定能量状态的完全集合.     

物理——我最好的伴侣

 我国老一辈物理学家余瑞璜说过:“我自中学以来热爱物理,从来没有一秒钟的闪念,后悔学物理.六十年来,除了有旁的事外,从早上六点到下午五点半,一直就追求隐藏在自然界的深处的真理而从来不申请奖金”.那么,八十年代的大学生、中学生,是否也象老一辈物理学家那样,对物理这门学科感兴趣?是否出自对真理的追求,选择研究物理这一艰难的道路?本刊将陆续发表同学们的来信,人们从中会得到肯定的答案.     

掠入射X射线衍射研究Si覆盖层对Ge/Si量子点微结构的影响

利用掠入射X射线衍射和常规X射线衍射研究了Si(001)上的Ge量子点在不同厚度的Si覆盖层下微结构的变化,同时用AFM研究了其形貌变化.实验结果表明在小的覆盖度下,量子点中组分的变化已十分明显,同时量子点的形状也发生了明显的变化.     

极性晶体外表面电子的量子像势及其极化子的基态能量

本从与真空接触的存在二支声子的半无限极性晶体表面附近极化子的哈密顿算符入手，应用二支模型理论，分别对GaAs和ZnO两种材料计算了外表面电子的量子像势及其极化子的基态能量，计算结果表明，利用二支模型理论求出的外表面极化子的基态能量与利用一支模型理论求出的外表在面极化子的基态能量相差较大，对GaAs，误差约为31.1%, 对ZnO，误差约为14.8%。