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| 掠入射X射线衍射研究Si覆盖层对Ge/Si量子点微结构的影响 | |
| 引用本文： | 何庆,贾全杰,姜晓明,崔健,蒋最敏.掠入射X射线衍射研究Si覆盖层对Ge/Si量子点微结构的影响[J].中国物理 C,2003,27(Z1):49-52. |
| 作者姓名： | 何庆 贾全杰 姜晓明 崔健 蒋最敏 |
| 作者单位： | 1 中国科学院高能物理研究所 北京 100039;2 复旦大学应用表面物理实验室 上海 200433 |
| 摘 要： | 利用掠入射X射线衍射和常规X射线衍射研究了Si(001)上的Ge量子点在不同厚度的Si覆盖层下微结构的变化,同时用AFM研究了其形貌变化.实验结果表明在小的覆盖度下,量子点中组分的变化已十分明显,同时量子点的形状也发生了明显的变化. |
| 关 键 词： | 量子点 组分 应变 掠入射X射线衍射 |
| 收稿时间： | 2003-11-21 |
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