Y3Al5O12：Eu^3＋磷光体的溶胶—凝胶法合成及发光特性

以金属烷氧基化合物为原料．采用溶胶-凝胶法在1000℃下合成了Eu^3 掺杂的Y3Al5O12(YAG)磷光体。利用TG-DSC，XRD和发光光谱等对样品进行了表征。结果表明，YAG：Eu^3 的晶相形成温度为991℃。Eu^3 在非晶态和晶态YAG中的发射光谱有明显差异。研究了Eu^3 含量和烧结温度对Eu^3 的^5D0→^7F1和^5D0→^7F2发射峰强度的影响。随煅烧温度的升高和Eu^3 浓度的增加，Eu^3 发射峰强度增强。     

随机需求条件下的延迟发运策略模型及性质

本针对随机需求条件下物流配送中心的库存和运输联合决策问题，在基本库存和自身运输能力不足的情况下，提出对剩余客户订货需求采取部分延迟到下一期与部分利用第三方物流立即发运两相结合的策略，并在具有一般惩罚(损失)费延迟发运量限制的条件下，建立运输和库存相关总成本数学期望最小的优化模型，论证了该模型的主要性质，在此基础上很容易构造求解该类问题的优化方法。     

基于ECC的限制性部分盲签名及离线电子现金方案

本文简述了电子现金系统的研究成果及其发展现状，针对已有的基于椭圆曲线的限制性盲签名方案提出可能的攻击手段，并在此基础上提出安全的基于椭圆曲线的限制性部分盲签名方案，同时也构建了一个与已有方案相比更富应用价值的高效离线电子现金方案．     

光学知识总结

高中物理的光学部分主要介绍了光的反射和折射，并从光的本性出发讨论了光的波动性和粒子性．高考对这部分知识的考查，总以选择题、填空题的形式出现，属于基础题，应该把这一部分分数牢牢地抓住．这一部分知识涉及知识点多，比较琐碎，不好掌握，针对这种情况笔者把本章内容做了系统总结，帮助同学们记忆．     

工艺参数对铀表面铝镀层热应力分布影响

为了防止铀的腐蚀，采用在铀表面磁控溅射镀铝，但使用中发现铝镀层内产生了较大的应力，影响镀层结合强度及使用性能。通常认为，薄膜内的应力有热应力和生长应力两种。文中通过改变沉积温度、镀层厚度以及镀层力学性能分数，研究它们对镀层热应力分布的影响，从而为改善铀表面铝镀层内热应力分布提供理论依据。     

基于部分变量反馈的混沌系统控制

提出了混沌系统部分变量逆序反馈控制器的定义，并以陈氏系统为例对该类控制器进行了研究，得出了部分变量正序和逆序控制器存在的条件，应用该条件扩展了有关文献的研究成果，得到了混沌系统的多种形式的反馈控制器.仿真结果显示，基于部分变量的混沌系统的控制是简单而有效的. 关键词： 部分变量反馈控制 逆序控制器 混沌系统     

Time—Resolved Photoluminescence Studies of AlInGaN Alloys

We study the two samples of AlInGaN,i.e.,1-μm Gan grown at 1030℃ on the buffer and followed by a 0.6μm-thick epilayer of AlInGaN under the low pressure of 76 Torr and the AlInGaN layer deposited diectly on the buffer layer without the high-temperature GaN layer,by temperature-dependent photoluminescence(PL) spectroscopy and picosecond time-resolved photoluminescence(TRPL) spectroscopy.The TRPL signals of both the samples were fitted well as a stretched exponential decay at all temperatures,indicating significant disorder in the material.We attribute the disorder to nanoscale quantum dots or discs of high indium concentration.Temperature dependence of dispersive exponent β shows that the stretched exponential decay of the two samples comes from dfferent mechanisms.The different depths of the localization potential account for the difference,which is illustrated by the results of temperature dependence of radiative recombination lifetime and PL peak energy.