6063铝合金三价铬化学转化膜的制备与电化学性能

以硫酸铬钾及磷酸为原料在6063铝合金上制备了三价铬化学转化膜. 采用极化曲线及交流阻抗技术研究了不同条件下三价铬转化膜的电化学性能. 结果表明, 温度为30-40 ℃、沉积时间为9 min、pH值为2.0-3.0、KCr(SO4)2为15-25 g·L-1及H3PO4的浓度为10-20 g·L-1的条件为最优条件. Tafel极化曲线结果表明化学转化膜比基体铝合金具有更正的腐蚀电位(Ecorr)、小孔腐蚀电位(Epit)和更低的腐蚀电流(icorr), 说明化学转化膜具有良好的耐腐蚀性能. 利用交流阻抗谱的数据建立了等效电路模型, 并拟合出了腐蚀参数, 如表面电阻(Rcoat)及电容(Ccoat), 电荷转移电阻(Rct)及双电层电容(Cdl)等. 三价铬化学转化膜的交流阻抗谱结果与极化曲线的电化学测试结果相吻合.     

超疏水表面改善铝基材料的抗海水腐蚀性能

通过聚乙烯亚胺与十四酸的反应,在铝表面构建稳定的超疏水膜。以X射线衍射,原子力显微镜,扫描电镜,接触角测量仪等手段表征超疏水表面的形成机制与表面结构特征,并利用电化学阻抗方法研究了超疏水表面对铝在海水中的腐蚀行为的影响。结果表明,在铝表面形成了一层近似珊瑚状的超疏水膜,海水的接触角大于150°。通过电化学阻抗图谱测试空白样与试样的耐腐蚀性能,表明这种特殊的表面结构的超疏水膜的确降低了铝在海水中的腐蚀速率。     

利用数字化手持技术探究“电解池阳极与原电池负极金属腐蚀速率”的大小

引入数字化手持技术设计6个实验,将金属腐蚀速率问题转换为金属腐蚀过程气体产生速率问题,进而转换为一定时间内密闭体系压强变化问题。实验关键是用气压传感器测定一定时间密闭体系气压变化,得到压强-时间曲线,根据曲线斜率分析反应速率,进而解决"金属腐蚀速率"问题。同时,还从"宏观-曲线-微观-符号"四重表征角度深入分析实验,有助于学生深入理解实验过程与反应原理。本实验研究结论是:(1)同一电解质溶液中,电解原理引起的腐蚀速率大于原电池原理引起的腐蚀速率;(2)对同种电解质溶液,在一定浓度范围内,电解质溶液浓度越大,腐蚀越快。     

热挤压AM50GdX镁合金的腐蚀力学性能研究

通过SEM、光学显微镜、失重测量、拉伸测试等方法研究了热挤压加工对不同Gd含量的AM50GdX镁合金的显微组织及腐蚀力学性能的影响。结果表明:热挤压后,合金内部出现了具有方向性的平行纤维变形组织;随着Gd含量的增加,AM50GdX镁合金组织中β-Mg_(17)A_l(12)相数量减少而Al_2Gd_3相数量和体积增加;1%Gd元素对合金耐蚀性提升作用最大;热挤压处理使合金的晶粒细化,从而使拉伸强度提升了接近50%;由于热挤压处理和1%Gd元素的存在大大改善了AM50镁合金的腐蚀剩余强度性能。     

化学腐蚀法制备荧光多孔硅及对Ag~+的检测

采用简便的化学腐蚀法在45℃下制备了橘红色荧光多孔硅(PS),通过扫描电镜(SEM)、红外光谱(FT-IR)和比表面积(BET)对PS的结构进行了表征。研究发现,Ag~+能在PS上发生氧化沉积而猝灭荧光。基于此,建立了一种快速、灵敏检测Ag~+的新方法。在优化实验条件下,Ag~+浓度与PS的荧光强度在4.5×10~(-8)~6.6×10~(-7)mol/L范围内呈良好的线性关系,检测限为2.2×10~(-8)mol/L,线性相关系数为0.991 4。该方法用于水样中Ag~的检测,结果满意。     

Z箍缩用连续型直径周期调制钨丝的制备技术北大核心CSCD

利用研制平台、激光衍射直径在线表征设备、扫描电子显微镜及力学性性能测试设备等对超细钨丝的直径周期调制成型过程及单丝性能进行研究。结果表明,正电压与零电压交替出现的电解腐蚀方法可以用于制备连续型直径周期调制钨丝;电解电压1．4V和1．6V下,100～500g·L^-1的NaOH体系下,钨丝均能表现出较明显的直径周期调制形貌;电解电压更高时,只有当NaOH浓度低于500g·L^-1时,钨丝才能呈现周期调制的形貌。钨丝电解抛光的质量损失与电流强度和腐蚀时间存在正比关系,在特定条件下超细钨丝的重量损失与电流强度、电解时间二者乘积的比值为5．35×10^-5g·C^-1。在电解液质量浓度200g·L^-1,电解电压2．0V下,以3S的腐蚀时间制得的直径调制钨丝的粗段直径为12．2μm,细段直径为9．8μm,减径率约20％,其单丝断裂力可达0．2883N。     

一种表面具有纳米孔穴的聚合物绝缘子

绝缘体表面结构和微观形貌对提高器件真空闪络特性有重要影响。首次提出了表面具有均匀分布纳米级空穴聚合物绝缘子的化学制备方法。通过本体聚合制备纳米级二氧化硅颗粒均匀分布的交联聚苯乙烯复合材料,机械加工成聚合物绝缘子后,采用氢氟酸化学腐蚀的方法将绝缘子表面氧化物颗粒去除。采用透射电子显微镜、表面电阻率和短脉冲高压测试平台分别对处理前后绝缘子的表面形貌和绝缘等性能进行了表征,结果表明:处理后的交联聚苯乙烯复合材料绝缘子的表面形成了20~50 nm直径的空穴,空穴的大小和数量分布分别由二氧化硅颗粒的粒径和加入量控制。这种具有特殊表面结构的新型绝缘子的沿面闪络电压较纯交联聚苯乙烯绝缘子提高了15%~20%,并保持了较好的力学及加工性能。研究方法和实验结果对聚合物绝缘子的表面结构设计及高性能绝缘子的研制提供了一种新的途径。     

NiNb2O6半导体电极的能级结构和腐蚀机理研究

本文通过测量伏安特性和光谱响应研究了被还原的n型NiNb₂O₆半导体单晶电极的光电化学性质及其能级结构,观察到两个吸收带,强者在3.24eV,对应于氧-锯跃迁;弱者在1.75eV,在可见光区,对应于镍-铌跃迁。探讨了阳极暗腐蚀、光腐蚀和水的光电解机理,绘出了NiNb₂O₆的电子能级图和主要的裂解能级。     

利用Cd(OH)_2选择性包覆与光分解腐蚀缩小CdS纳米微粒的尺寸分布的研究

提出结合Ｃｄ（ＯＨ）２ 选择性包覆与光分解腐蚀法缩小ＣｄＳ纳米微粒的尺寸分布, 并通过对ＣｄＳ纳米微粒发射光谱的研究证实了这一设计思想． 以多聚磷酸钠（ＨＭＰ）为稳定剂合成ＣｄＳ纳米微粒, 再通过Ｃｄ２＋ 与ＯＨ－ 的选择性包覆在大粒径的ＣｄＳ纳米微粒表面形成一层Ｃｄ（ＯＨ）２, 然后溶液置于日光下辐照处理, 数天后, 未经包覆的小粒径ＣｄＳ纳米微粒被日光腐蚀分解, 溶液中只剩下被Ｃｄ（ＯＨ）２ 包覆的大粒径ＣｄＳ纳米微粒, 这样即可达到缩小ＣｄＳ纳米微粒尺寸分布的目的．     

利用Cd（OH）2选择性包覆我分解腐蚀缩小CdS纳米微粒的尺寸分布的研究

提出结合Ｃｄ（ＯＨ）２选择性包覆与光分解腐蚀法缩小ＣｄＳ纳米微粒的 政论发布,并通过对ＣｄＳ纳米微粒发射光谱的研究产了这一设计思想,以多聚磷酸钠（ＨＭＰ）为稳定剂合成ＣｄＳ纳米微粒,再通过Ｃｄ＾２＋与ＨＯ＾－的选择民覆在大粒径的ＣｄＳ纳米表面形成一层Ｃｄ（ＯＨ）２,然后溶液置于日光下辐照处理,数天后,未经包覆的小粒径ＣｄＳ纳米微粒被日光腐蚀分解,溶液中只剩下被Ｃｄ（ＯＨ）２包覆的大粒径ＣｄＳ纳米微