ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究

用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱(ADQW)结构。通过ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果:在弱激发下,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象;在强激发下,在ADQW结构中发现了一个内建电场,它将影响激子隧穿;首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光强度随温度上升而增加的现象;首次观测到该ADQW结构中来自宽阱的光泵受激发射。     

利用Cd(OH)_2选择性包覆与光分解腐蚀缩小CdS纳米微粒的尺寸分布的研究

提出结合Ｃｄ（ＯＨ）２ 选择性包覆与光分解腐蚀法缩小ＣｄＳ纳米微粒的尺寸分布, 并通过对ＣｄＳ纳米微粒发射光谱的研究证实了这一设计思想． 以多聚磷酸钠（ＨＭＰ）为稳定剂合成ＣｄＳ纳米微粒, 再通过Ｃｄ２＋ 与ＯＨ－ 的选择性包覆在大粒径的ＣｄＳ纳米微粒表面形成一层Ｃｄ（ＯＨ）２, 然后溶液置于日光下辐照处理, 数天后, 未经包覆的小粒径ＣｄＳ纳米微粒被日光腐蚀分解, 溶液中只剩下被Ｃｄ（ＯＨ）２ 包覆的大粒径ＣｄＳ纳米微粒, 这样即可达到缩小ＣｄＳ纳米微粒尺寸分布的目的．     

浅ZnCdSe/ZnSe量子阱的光泵受激发射

本文主要研究浅ZnCdSe/ZnSe单量子阱在77K温度下的光致发光。在不同激发密度下,讨论了该结构的发光机制,把77K温度下的受激发射归结为是激子-激子散射所引起的。文中还分析了在浅ZnCdSe/ZnSe量子阱中能够实现与激子相关的受激发射的原因。     

低压-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量子阱

本文报道了用低压(LP)-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量子阱结构.通过X-射线衍射谱证实了所制备的样品具有比较好的多层结构,并通过77K下的光致发光(PL)光谱,观测到了大的垒层对电子的限制效应及由大的应变引起的阱层带边变化所导致的发光峰蓝移.     

在SiO2分子筛内CdS纳米晶的内延生长及特性研究

近年来,国际上纳米材料科学及其应用的研究非常活跃.纳米材料的尺寸效应和面效应与体材料相比有特殊的物理和化学特性,尤其是它的界面效应更为明显,因而米材料作为一种新兴的材料,受到了广泛的重视.但到目前为止,纳米材料的制备大采用化学合成的方法如悬胶法、凝胶-溶胶法等,而利用这些方法制备的纳米材料通常一定的尺寸分布,这主要是由于纳米材料在一定温度和时间下的凝结和分解等原因造的[1],因而严重地影响了纳米材料在各方面的特性.     

ZnSe0.93Te0.07-ZnSe多量子阱的光泵受激发射

宽带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体在短波长可见光范围内优越的发光特性使其在器件的研制方面有着广阔的前景.ZnSe基量子阱和超晶格结构,尤其是ZnCdSe-ZnSe量子阱已经在器件的制备方面取得了可喜的进展,因而人们研究的比较多.