自掺杂La1—δMn1—5O3化合物的晶体结构和巨磁电阻效应

采用溶胶－凝胶工艺制备了Ｌａ１－δＭｎ１－δＯ３化合物，研究了烧结条件的改变对材料的结构、磁性、导电性、磁电阻效应的影响，首次２发现Ｌａ１－δＭｎ１－δＯ３化合物的电阻－温度曲线的双峰现象。     

功能梯度材料中Stoneley波的传播特性分析

研究功能梯度弹性半空间(y≤0)和功能梯度磁电弹半空间(y≥0)界面的Stoneley波传播特性.基于两个介质的本构方程、控制方程和界面连续条件,推导出功能梯度材料界面处的Stoneley波波速方程,通过数值模拟,得到功能梯度材料中Stoneley波的色散曲线,并分析功能梯度材料中Stoneley波传播特性.     

关于开设内光电效应实验的探索与思考

介绍了开设以内光电效应为理论基础的半导体光电器件的重要性和迫切性,并详细介绍了内光电效应的理论与半导体光电器件的分类和应用前景。     

Multiferroic behaviour of epitaxial NiFe2O4--BaTiO3 heterostructures

Multiferroic NiFe2O4 （NFO）-BaTiO3 （BTO） bilayered thin films are epitaxially grown on （001） Nb-doped SrTiO3 （STO） substrates by pulsed-laser deposition （PLD）. Different growth sequences of NFO and BTO on the substrate yield two kinds of epitaxial heterostructures with （001）-orientation, i.e. （001）-NFO/（001）-BTO/substrate and （001）- BTO/（001）-NFO/substrate. Microstructure studies from x-ray diffraction （XRD） and electron microscopies show differences between these two heterostructures, which result in different multiferroic behaviours. The heterostructured composite films exhibit good coexistence of both ferroelectric and ferromagnetic properties, in particular, obvious magnetoelectric （ME） effect on coupling response.     

Dielectric Properties of Multilayered Ba0.5Sr0.5TiO3 Thin Films Deposited on ITO-Coated Corning 1737 Glass by rf Magnetron Sputtering

A new stacking method via variation ofsubstrate temperature in rfmagnetron sputter is used to fabricate polycrystalline/polycrystalline Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films with higher dielectric constant, higher breakdown strength and lower leakage current densities than those prepared by a conventionM deposition method. The improved figure of merit G （ε0εrEb） of the Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films implies that they are a feasible insulation layer for thin film electroluminescent devices.     

具有特大磁电阻效应钙钛矿材料的制备及性能分析

通过固相烧结法制备了具有特大磁电阻效应的钙钛矿材料Pr0.64Ag0.044MnAl0.2O3.利用结构和成分分析,发现此材料只有在1 100℃高温烧结下才能生成完整的钙钛矿结构,且属于立方晶系,晶格常量a≈0.386 nm.在0.4 T的外磁场下,磁电阻值在122 K处达到最大,约为19.2%,为巨磁电阻实验提供了较好的样品.     

磁性隧道结Ni80Fe20/Al2O3/Co的制备和物性

用等离子体氧化形成绝缘层的方法，重复性地制备出了Ni     

Magnetic Tunnel Junctions with MgO／Al-O Composite Barriers

Magnetic tunnel junctions (MTJs) with structures of Ta(5 nm)/Cu(30nm)/Ta(5 nm)/Ni79Fe21 (5 nm)/Ir22Mn78 (12 nm)/Co62Fe20B18 (4 nm)/MgO(d)/Al(0.8 nm)-oxide/Co62Fe20B18 (6 nm)/Cu(30 nm)/Ta(5 nm) on a thermally oxidized Si wafer substrate were fabricated by magnetron sputtering and photolithographic patterning method. The tunnel magnetoresistance (TMR) and the bias dependence of TMR at room temperature for the MTJs with different thickness d of MgO are investigated. TMR values of over 50% as high as those of the MTJs with pure Al-O barrier and the TMR-voltage curve asymmetries, which vary with the increase of d, are observed in the MTJs with hybrid barriers after annealing at 265℃ for an hour. The dependences of TMR, resistance and coercivity of the MTJs with composite barriers on temperature are also investigated.     

La2/3Ca1/3MnO3样品的磁和电子输运性质研究

实验研究了La2/3CamMnO3样品零磁场下的电阻率和低磁场下的磁化强度随温度的变化行为．结果表明，除了居里温度(Tc)外还存在另一特征温度Tonset，高于Tonset的样品为典型的顺磁绝缘体，而低于Tc的样品为典型的铁磁金属，但在Lonset和Tc之间，样品的磁化率大大偏离居里一外斯定律，同时其导电特性显示出明显的反常．对观察到的不寻常导电特性，根据铁磁金属集团在顺磁绝缘体背景上随机分布的假设，进行了分析与探讨。     

巨磁电阻效应——2007年诺贝尔物理学奖简介

瑞典皇家科学院宣布，法国科学家阿尔伯特·费尔（Albert Vert）和德国科学家彼得·格鲁伯格（Peter Grunberg），共同获得2007年诺贝尔物理学奖．获奖的原因是这两位科学家先后独立发现了“巨磁电阻”（giant magnetoresistance，GMR）效应．这个发现引发的技术进步极大地提高了计算机硬盘磁头的数据读取能力，使硬盘无论从容量还是体积上都产生了质的飞越．这个发现还导致了新一代磁传感器的出现，而且巨磁电阻被认为是纳米技术最重要的应用之一．