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应用离散变分Xa量子化学计算方法,研究了IrSb3,Ir4NdGe3Sb9和Ir4SmGe3Sb9三个skutterudites的组成、结构、化学键和热电性能之间的关系。对Ir4NdGe3Sb9和Ir4SmCe3Sb9,用多个模型研究了稀土元素振动的结构。计算结果表明,稀土原子靠近Ge原子的模型比靠近Sb原子的模型更为稳定,热导率也较低。Ir4NdGe3Sb9的共价键比Ir4SmGe3Sb9弱,Ir4NdGe3Sb9和Ir4SmCe3Sb9的共价键又比IrSb3弱,与热导率的实验测量结果一致。 相似文献
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对文献[1]中提出的导电模型进行了定量处理。该模型能解释ZnO压敏电阻的V-l曲线、C-V(偏压、DC)曲线、退化现象等。更重要的是它还能预言颗粒-颗粒结的显微结构参数、电性能参数对压敏电阻电性能的影响规律,为压敏电阻材料设计提供了理论依据。 相似文献
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Multiferroic NiFe2O4 (NFO)-BaTiO3 (BTO) bilayered thin films are epitaxially grown on (001) Nb-doped SrTiO3 (STO) substrates by pulsed-laser deposition (PLD). Different growth sequences of NFO and BTO on the substrate yield two kinds of epitaxial heterostructures with (001)-orientation, i.e. (001)-NFO/(001)-BTO/substrate and (001)- BTO/(001)-NFO/substrate. Microstructure studies from x-ray diffraction (XRD) and electron microscopies show differences between these two heterostructures, which result in different multiferroic behaviours. The heterostructured composite films exhibit good coexistence of both ferroelectric and ferromagnetic properties, in particular, obvious magnetoelectric (ME) effect on coupling response. 相似文献
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多铁性研究可上溯至1950年代,作为凝聚态与材料物理的一个研究方向也算历史悠久;但大规模研究则主要受2003年两项里程碑性成果驱动,距今正好十年。所谓"十年树木",古训赋予我们回眸十年多铁研究的一个理由。这两项成果之一是BiFeO3外延薄膜制备及磁电耦合观测,主要贡献在于将互无交叠的磁电耦合唯象理论与多铁性微观物理框架通过铁性畴层次有机结合,触发多铁性薄膜与异质结的广泛研究。另一项成果是发现TbMnO3中巨大的磁电耦合效应,开启探索一大类具有崭新物理内涵的多铁性物质之路。对多铁性薄膜异质结的研究深入细致,体现了层层盘剥、细嚼慢咽的风格。而单相多铁性的探索则百花齐放、只争朝夕。前者如能工巧匠,其足迹是精湛研究技术方法与物理理论相结合的图画。后者如春潮奔腾,所到之处气象万千,其大观是科学发现与新材料探索的范例。文章基于粗略框架,对多铁性研究十年图景粗作描绘。有关多铁性各方面的详细论述则见诸本专题之隽文秀语。多铁性研究经历分而春秋的黄金十年,正出现久分必合的迹象,令人不忍释手。 相似文献
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选用多种切型铌酸锂(LiNbO_3)单晶,研究了铁基非晶合金(Metglas)/LiNbO_3叠层复合材料基于伸缩-剪切模式的磁电耦合性能,揭示了铌酸锂单晶压电系数与复合材料剪切磁电耦合系数的对应关系,在使用铌酸锂xzt/30~?切型时得到了最优化剪切磁电系数.通过SrFe12O19薄磁带提供偏置磁场,Metglas/LiNbO_3磁电复合材料可在没有外加直流磁场时实现剪切磁电响应,并在0.991 MHz和3.51 MHz频率时分别测出了谐振磁电系数,有望将铌酸锂基剪切磁电复合材料用于高频磁场探测. 相似文献
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本文用敏感半导体陶瓷的显微物理模型描述了热敏、气敏和湿敏陶瓷的电性能。得到了一些重要的结果。这些理论结果与实验结果相符,它们为敏感陶瓷的设计提供了理论依据。可预料该模型可作为这类半导体陶瓷的统一的显微物理模型。
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