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81.
硅色敏器件对复色光色差辨识能力的数值分析 总被引:3,自引:2,他引:1
对复色光的光谱功率分布和色敏器件光谱响应的实验曲线进行了函数拟合,采用Mathematica 4.2计算了具有不同峰值波长和半高宽的高斯分布的复色光在色敏器件中产生的电流比.计算结果表明,待测复色光的峰值波长和半高宽变化对两种典型的色敏器件的输出信号影响的权重比分别为100:1和10:1。权重比说明色敏器件的输出电流比随峰值波长和半高宽的变化非常灵敏,但两者权重不同,其中峰值波长的变化影响更为显著,是影响复色光颜色变化的主要因素.数值分析的结果表明,硅双结色敏器件对复色光色差有良好的辨识能力.两种器件权重比的差异说明了器件制作工艺与其辨识能力的关系,为器件合理设计提供了理论依据. 相似文献
82.
We study the two samples of AlInGaN,i.e.,1-μm Gan grown at 1030℃ on the buffer and followed by a 0.6μm-thick epilayer of AlInGaN under the low pressure of 76 Torr and the AlInGaN layer deposited diectly on the buffer layer without the high-temperature GaN layer,by temperature-dependent photoluminescence(PL) spectroscopy and picosecond time-resolved photoluminescence(TRPL) spectroscopy.The TRPL signals of both the samples were fitted well as a stretched exponential decay at all temperatures,indicating significant disorder in the material.We attribute the disorder to nanoscale quantum dots or discs of high indium concentration.Temperature dependence of dispersive exponent β shows that the stretched exponential decay of the two samples comes from dfferent mechanisms.The different depths of the localization potential account for the difference,which is illustrated by the results of temperature dependence of radiative recombination lifetime and PL peak energy. 相似文献
83.
Modified Photoluminescence by Silicon-Based One-Dimensional Photonic Crystal Microcavities 下载免费PDF全文
photoluminescence (PL) lrom one-dimensional photonic band structures is investigated. The doped photonic crystal with microcavitles are fabricated by using alternating hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H/a-SiNy:H) layers in a plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) chamber. It is observed that microcavities strongly modify the PL spectra from active hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H) thin film. By comparison, the wide emission band width 208nm is strongly narrowed to 11 nm, and the resonant enhancement of the peak PL intensity is about two orders of magnitude with respect to the emission of the λ/2-thick layer of a-SiNx:H. A linewidth of Δλ=11 nm and a quality factor of Q=69 are achieved in our one-dimensional a-SiNz photonic crystal microcavities. Measurements of transmittance spectra of the as-grown samples show that the transmittance resonant peak of a cavity mode at 710nm is introduced into the band gap of one-dimensional photonic crystal distributed Bragg reflector (DBR), which further verifies the microcavity effects. 相似文献
84.
介绍了非晶半导体薄膜的结构特点和在光电器件上的独特性能,给出了薄膜器件的发展水平和制膜技术、制膜设备的研究现状。 相似文献
85.
86.
近年来半导体激光器的发展引人注目,已由红外波段推向可见光区,可靠性和输出功率提高而价格下降,在光谱研究方面的应用也日益广泛。文章介绍了半导体激光器的现状,频率稳定、压缩线宽和调谐波长的方法,以及半导体激光器在吸收光谱、非线性光谱、原子的冷却和光泵浦原子钟等方面的应用。 相似文献
87.
黎勇 《数学物理学报(B辑英文版)》2007,27(2):437-448
In this article, two relaxation time limits, namely, the momentum relaxation time limit and the energy relaxation time limit are considered. By the compactness argument, it is obtained that the smooth solutions of the multidimensional nonisentropic Euler-Poisson problem converge to the solutions of an energy transport model or a drift diffusion model, respectively, with respect to different time scales. 相似文献
88.
用高温气-固相置换法对ZK-4、NaANaHS3种沸石进行铝化。组成分析、尾气分析、X射线衍射、晶体形貌分析、红外光谱和^29Si高分辨魔角固体核磁结果表明,3种低硅铝比沸石铝化后骨架可能存在Al-O-Al键。 相似文献
89.
90.