硅改性ZSM—5沸石分子筛的酸性,孔径和择形催化性能的研究

在不同条件下用各种硅改性剂对ＺＳＭ－５沸石分子筛进行改性，并将其用于催化乙苯歧化生成对二乙苯的反应。实验结果表明，在合适条件下用ＳｉＣｌ４对ＺＳＭ－５改性后，可以获得高性能形选催化剂。硅改性可以有效地消除催化剂外表面酸中心，并能对分子筛孔道进行微调。根据反应结果和反应物在催化剂中的扩散系数判断，当改性后催化剂的孔道半径与ＮａＺＳＭ－５沸石孔道半径相近时，其催化选择性最佳。     

SAPO-11分子筛的合成及其晶貌

以二异丙胺或二正丙胺为模板剂用水热合成法合成SAPO-11分子筛,发现pH值及模板剂的种类对所生成的SAPO-11晶体形貌有着明显的影响,通常观察到的球形晶貌实属长形柱体的聚集体。     

钇对掺饵多孔硅体系1.54μm发光的增强作用

首次报道了用恒电位电解法将饵、钇共掺入多孔硅（porous silicons, PS） 中，经高温退火处理后，观察到了在近红外区（1.54 μm）室温下较强的光致发光 （photoluminescence, PL），并与掺饵多孔硅（erbium-doped porous silicon, PS:Er）做了比较，发现钇的共掺入对掺饵多孔硅体系1.54 μm发射起了增强作用 。研究了饵、钇共掺杂多孔硅（erbium and yttrium co-doped porous silicon, PS:Er, Y）光致发光强度随温度的变化，发现PS:Er与Si:Er材料相似，有较强的 温度猝灭效应，而PS:Er，Y体系的PL强度随温度升高趋于平稳，且有增强的趋势， 受温度影响不明显，并初步探讨了其发光机制。     

量子限制效应对多孔硅液相电致发光的影响

着重研究多孔硅在阴极偏压下过硫酸铵溶液中电压调制的电致发光现象 .随阴极偏压的增大 ,电致荧光峰位蓝移 ,荧光强度增大 ,同时发现定电压下 ,发生电致发光随时间的衰减伴随着光谱的红移现象 .通过红外光谱、AFM及电化学等手段对电致发光的电位调制机理及荧光衰减机制进行了研究 ,结果表明电致发光与光致发光具有相同的起源 ,电压选择激发不同粒径的多孔硅 ,而导致了发光峰值能量的电位选择性 .在电致发光过程中 ,强氧化剂向多孔硅注入空穴使其表面氧化导致小粒径的硅晶逐渐被剥落 ,使光谱高能部分首先衰减出现了随时间的电致发光红移现象 .这些结果支持量子限制效应在多孔硅液相电致发光中起着重要作用     

过氧铌杂多配合物位置异构体的合成、表征及催化性能

合成了6种钨硅杂多配合物异构体α、β_i-M₃H₂[SiW₁₁(NbO₂)O₃₉]·H₂O(M=Me₄N⁺(TMA),Bu₄N⁺(TBA),Et₄N⁺(TEA);β_i=β₁,β₂,β₃)。IR光谱、UV光谱、极谱、I^--S₂O₃^2-滴定证明合成的杂多配合物中有NbO₂基存在, ¹⁸³W NMR光谱证明其阴离子具有Keggin结构,催化实验结果表明,合成的化合物对烯烃环氧化反应具有催化活性,且过氧杂多配合物的催化活性高于非过氧杂多配合物,β异构体的催化活性高于α。     

二(三甲硅基环戊二烯基)二氯合锆的合成和晶体结构

在 THF中 ,通过三甲硅基环戊二烯基锂与四氯化锆反应合成了标题化合物 ,经元素分析 ,IR和 1 H NMR谱表征了其结构 ,并用 X-射线衍射测定了晶体结构 ,该晶体属于三斜晶系 ,空间群为 P1 ,晶体学参数 :a=0 .6787(6) ,b=1 .2 92 4 (2 ) ,c=1 .30 34(2 ) nm,α=67.83(1 ) ,β=82 .50 (3) ,γ=75.64 (3)°,V=1 .0 2 5nm3 ,Z=2 ,Dx=1 .41 5 g· cm-3 ,μ=8.989cm-1 ,F (0 0 0 ) =448,R=0 .0 32。质谱研究表明 ,化合物在质谱过程中发生二聚 C*p2 ZrClZr C*P2Cl(C*P=C5H4Si Me3 )。     

双-杂氮硅三环化合物的合成

杂氮硅三环是一类分子内具有N→Si配位键的化合物，作者曾报道了一系列该类化合物的合成方法和化学结构。对于一个分子内带两个对称的硅三环结构的双一杂氮硅三环化合物的合成，文献报道还很少啪。我们用下     

立方介孔相含钇氧化硅的合成与表征

以低浓度的十六烷基三甲基溴化铵为结构导向剂,在碱性条件下通过水热法合成了具有立方结构的含钇Y MCM 48介孔分子筛材料。XRD测试表明当Y/Si<0.05时可以获得典型的长程有序介孔立方结构相,随Y/Si比的增加,晶胞参数的增大和红外吸收光谱(FTIR)的变化为Y进入介孔分子筛骨架中提供了有力证据。N2吸附-脱附实验给出这种立方介孔材料的BET表面积为1180m2·g-1,BJH平均孔径为3.4nm。紫外 可见漫反射光谱(UV vis)证明钇以一种六配位的形式存在。X射线光电子能谱(XPS)进一步证明钇以三价形式存在于立方介孔分子筛骨架中。     

聚硅硫酸铁絮凝剂去除市政污水磷的研究

将自制复合絮凝剂聚硅硫酸铁(PFSS i)用于市政污水除磷,考察了影响PFSS i除磷效果的一些因素,确定了PFSS i复合絮凝剂除磷的优化配比和用量。在优化条件下,对模拟污水中磷的去除率为96.7%,浊度去除率为92%;对实际污水中磷的去除率为82.3%,浊度去除率为96.5%。结果表明该复合絮凝剂有良好的除磷、除浊性能。     

铜在ρ-Si上激光诱导电沉积过程的研究

由于在微电子器件制造，成像系统及太阳能电池等领域里具有广阔的应用前景，激光诱导化学及电化学沉积金属的研究，最近几年引起了极大兴趣［1－3］，例如Zahavi［4］报道了Pd，Au，Ni－Pd在氩离子激光作用下可以不加偏压实现在半导体Si，InPGaAs上的无掩膜选择性沉积，金属沉积只发生在光照部位．大多数研究工作是围绕应用技术而开展的，理论研究，尤其是光电化学方面的研究尚十分欠缺．我们认为对于普通电镀液中的激光诱导电沉积来讲，既使不需外加偏压，沉积过程也必然伴随着溶液中金属离子与半导体能带之间的电荷传递，因此可以通…