立方介孔相含钇氧化硅的合成与表征

以低浓度的十六烷基三甲基溴化铵为结构导向剂,在碱性条件下通过水热法合成了具有立方结构的含钇Y MCM 48介孔分子筛材料。XRD测试表明当Y/Si<0.05时可以获得典型的长程有序介孔立方结构相,随Y/Si比的增加,晶胞参数的增大和红外吸收光谱(FTIR)的变化为Y进入介孔分子筛骨架中提供了有力证据。N2吸附-脱附实验给出这种立方介孔材料的BET表面积为1180m2·g-1,BJH平均孔径为3.4nm。紫外 可见漫反射光谱(UV vis)证明钇以一种六配位的形式存在。X射线光电子能谱(XPS)进一步证明钇以三价形式存在于立方介孔分子筛骨架中。     

立方介孔相含钕氧化硅的合成与表征

以十六烷基三甲基溴化铵为结构导向剂，通过水热法合成了具有立方结构的含钕Nd-MCM-48介孔分子筛材料。XRD和TEM测试表明当n_Nd/n_Si<0.05时可以获得典型的长程有序介孔立方结构相，随n_Nd/n_Si比的增加，晶胞参数的增大和红外吸收光谱(FT-IR)的变化为Nd进入介孔分子筛骨架中提供了有力证据。N₂吸附-脱附实验给出了其BET表面积为1 195 m²·g^-1，BJH平均孔径为3.6 nm。紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis)证明钕氧形成一种八面体结构。X射线光电子能谱(XPS)进一步证明钕主要以三价形式存在于立方介孔分子筛骨架中。     

基于长链离子液体模板合成Fe(Co、Ni)-MCM-48

以两亲长链离子液体(氯化-1-十六烷基-3-甲基咪唑)为模板剂,采用水热合成方法,分别合成了含铁、钴和镍的立方介孔分子筛MCM-48。通过XRD、TEM、ICP-AES、FTIR、UV-Vis和N₂吸附/脱附实验对其结构和形态进行了表征,并考察了钴掺杂量和模板剂用量对合成立方相结构的影响。结果表明,用该方法合成的试样具有较高的比表面积和规则的立方介孔孔道结构等特征;相对于铁和镍的掺杂试样,钴物种能以四面体的结构稳定地存在于立方介孔分子筛骨架中。     

Y2O3和Nd2O3介孔薄膜的制备与表征

以聚乙烯合丁烯-嵌-聚氧乙烯嵌段共聚物(PHB-PEO)作模板, 采用蒸发诱导自组装方法, 分别制备了Y2O3和Nd2O3介孔薄膜. 用小角、广角X射线衍射和透射电子显微镜对薄膜样品在不同的热处理阶段进行了表征. 结果表明, 所制备的Y2O3和Nd2O3薄膜样品呈现一种大孔径(平均孔径分别约为11.5和12.5 nm)、有序的立方扭曲球形孔排列、稳定于450 ℃并具有部分晶态孔壁结构的介孔薄膜材料.     

非火焰原子吸收法直接测定高含量铱中微量铑

本文提出了一种无需经过基体分离直接测定高含量铱中微量铑的非火焰原于吸收分析法。实验证明,7000ngIr对0.10—10.00ng范围内的Rh测定无干扰;100ng的Pt,Pd,Ru,Au,Ni,Al,Fe,Pb,Cu、Sn或Zn对1.00ng的Rh测定无干扰。对一份高纯铱精制过程中间产品进行验证性分析,取得了预期的结果。本方法Rh的适用工作范围为0.10—6.00ng,1%吸收灵敏度为0.05ng,检出限为0.03ng。     

700例儿童发中锌钙镁铁铜的测定结果及统计分析

用原子吸收分光光度法测定了７００例学龄儿童中发锌，钙，铜，镁，铁等五种元素，对缺锌情况以及互相间的相关关系进行统计分析，结果表明我国儿童缺锌比例较大，尤其在４周岁以下的儿童缺锌比例大约占６５％～８６％，Ｚｎ与钙，镁有很好相关，这提示单纯对缺锌儿童补锌的方法并不有利。     

混合超分子液晶模板法合成六方介孔相含钛氧化硅

采用混合十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）与不同碳链的脂肪胺（CnNH2n＋3, n=8,10,12,14,16）作模板,在四甲基氢氧化胺为碱源的条件下,合成了具有六方介孔结构的含钛氧化硅Ti MCM 41分子筛材料. XRD和TEM测试表明所合成材料具有高度的长程有序结构,样品的N2吸附/脱附等温线表明,高度有序的Ti MCM 41材料展示了毛细凝聚的陡峭台阶和狭窄的介孔孔径分布.对反应物配比中Ti/Si比、脂肪胺碳链长度n对六方介孔相结构的影响进行了研究,实验发现当Ti/Si< 0.15和n< 16时,均可获得具有六方介孔结构的含钛氧化硅Ti MCM 41;而当Ti/Si≥0.15或n >16时,产物将分别发生从六方向无定形态或从六方向层状介孔相结构的转移,从混合表面活性剂的堆积参数对这种相转移现象进行了分析.     

混合表面活性剂模板法合成立方相介孔含钛氧化硅

自1992年Ｍｏｂｉｌ公司的Ｍ41Ｓ系列介孔氧化硅分子筛问世以来[1,2],借助表面活性剂液晶模板方法合成各种孔结构与不同大小孔径的硅基分子筛材料引起了人们的极大兴趣,目前多数工作仍然集中于六方相的介孔分子筛.具有双连续的三维交织立方排列孔道结构的ＭＣＭ48由于其孔道不易堵塞和良好的骨架结构稳定性[3,4],在催化、吸附和与其为载体的制备等方面具有独特的应用价值.但由于液晶模板形成立方相区的范围非常狭窄,相应的分子堆积比对模板剂分子几何结构要求较苛刻,采用单一表面活性剂为模板剂合成时,条件难以掌握,制备ＭＣＭ48十分困难.Ｈ…     

碘阴极溶出法的研究

碘阴极溶出法,曾有一些人做过研究。我们的实验结果表明,在0.01N H_2SO_4底液中,碘的溶出峰为较宽的单峰,碘的富集过程是碘在汞电极表面特性吸附作用形成第一分子层。根据实验数据算出第一分子层含汞离子数为1.41×10~(15)个/厘米~2。随着碘离子浓度增加,汞在富集电位下氧化产生Hg_2~(2+),与足够量的Ⅰ生成沉淀的富集过程逐渐变为主要的过程。碘的溶出过程是富集过程的逆过程。