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31.
该文讨论非线性系统 x=1/a(h(y)-F(x)), y=-a(x)g(x) (E)解的一些定性行为,获得了系统(E)为振动,全局渐近稳定,全局中心的充要条件和周期解的存在的充分条件. 相似文献
32.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
33.
贝克曼Allegra^TM 21R型超高速离心机开机后,操作面板上出现错误代码“28”,离心机不旋转。离心机的电机采用无刷感应驱动,由电机驱动电源模块BSMl0GD60DN2驱动离心机的电机。故障是由于电源模块BSMl0GD60DN2损坏引起的。采用东芝三相桥式IGBT电源模块MG25Q6ES42代替BSMl0GD60DN2,并更换已烧毁的栅极电阻后。开机试验,仪器恢复正常。 相似文献
34.
35.
36.
该文讨论了一类非线性抛物型方程组解的性质,利用微分方程上、下解方法证明了初值适当小时,方程存在整体解;初值适当大时,解在有限时间上爆破,推广了文献[1]的结果. 相似文献
37.
分析历年对电阻测量的高考试题可以现,在考查方式上,已经从教材中实验的考查渐过渡到设计型实验的考查;在考查内容上,经从实物连接、仪器选择的考查逐渐过渡到验原理、电路设计的考查,要求同学们能够灵地从一种实验情景迁移到另一种情景,从而分考查同学们的创新能力.下面就电阻的测量方法进行归纳。 相似文献
38.
黄龙 《新疆大学学报(理工版)》2003,20(2):130-132
用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位. 相似文献
39.
本文同时应用函数,推广了的Gronwall—Bellman不等式以及类似于文[1]引理3的方法,讨论了二类非线性中立型系统的稳定性,得到了仅依赖于方程系数的简单代数判据,推广了文[5]的结果。 相似文献
40.
温度对PSⅡCP4 7/D1/D2/Cytb559复合物荧光光谱特性的影响 总被引:3,自引:3,他引:0
采用激励光源为514.5 nm的分幅扫描单光子计数荧光光谱装置对经20℃、42℃和48℃不同温度处理后的反应中心复合物CP47/D1/D2/Cyt b559的荧光光谱特性进行了研究.经解析,获得不同温度处理后,CP47/D1/D2/Cyt b559复合物最大峰值未发生变化,均在682 nm,说明Chla670的能量都由Chla682接收,但损耗愈来愈小,在48℃时,损耗程度最小,而其荧光百分比未发生多大变化.振动副带~700 nm和~740 nm的中心波长都发生蓝移,在不同温度下分别为:20℃ 703 nm,749 nm;42℃ 697 nm,744 nm;48℃ 694 nm,740 nm.因此可以推测温度的升高,影响了CP47/D1/D2/Cyt b559色素蛋白的二级结构以及色素分子的空间位置,使最大峰值处的荧光强度逐渐降低,振动副带逐渐蓝移.42℃的温度已造成影响,48℃影响较大. 相似文献