Ga1-xInxAs/InAsyP1-y/InP异质结的MOCVD生长及表征

Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料.     

一种可获正负图像的重氮感光材料

重氮感光材料在我国已有三、四十年的历史,因其成本低,使用方便,在晒图、幻灯、缩微复制、印刷电路、印刷制版和二底图等方面得到广泛应用.国外对重氮感光材料的研究非常重     

事件空间中二阶非Четаев型非完整系统的守恒律

研究事件空间中二阶非чeTaeB型非完整系统的守恒律。提出事件空间中的Jourdain原理，引入事件空间中的Jorudain生成元，给出无限小变换下的Jourdain原理的不变性条件。在一定条件下得到事件空间中系统的守恒律。并举例说明结果的应用。     

半线性抛物型方程初边值问题解的性态

1.引言对于半线性抛物型议程的初边值问题■解的性质有许多作者进行了讨论,设λ_0是-T(D(x)T)所对应的最小特征值,φ(x)为对应的特征函数,则λ_0>0,且可取φ(x)>0,x∈Ω它们是如下问题的解     

OU—型Markov过程的单点击中概率与Range

本文着重研究OU-型Markov过程的两个问题:第一,关于单点击中概率的问题,并在此基础上进一步确定OU型Markov过程局部时的存在性条件,这个问题的研究是受Kesten,H的影响,但本文中所用方法与[1]有本质的区别。第二,关于Range方面的问题,本文阐述了几类过程以概率1具有包含区间的Range。 关于OU型Markov过程,Tokuzo,Shiga研究了其常返性的判断准则,Sato,K研究了其平稳分布,Hadjiev,D,I,研究了其初遇问题,本文涉及的单点击中概率,局部时及Range尚没人研究过。     

带耗散的一阶非线性偏微分方程组的Cauchy问题

本文采用整体迭代法证明了带小初值的一阶非线性耗散偏微分方程组的Cauchy问题的整体经典解的存在性及指数衰减性质。     

一维介观结链中电荷孤子的控制

研究了一维介观结链中的电势分布随各岛上门电压和电子数分布的变化关系,并发现在一个岛上加一个门电压会产生一个静电势孤子.通过调节门电压可以较好地控制静电势孤子的形状及其位置,从而达到对电荷孤子的有效控制. 关键词： 电荷孤子 介观结 单电荷隧穿     

软X射线位相型波带片的初步研究

简述了国内外软X射线波带片的发展及其最新研究成果。根据光波的矢量分析方法，数值模拟计算了入射波长为软X射线显微术中常用的2.3、3.2和4.5nm时，以不同材料制作的位相波带片其衍射效率随材料厚度的变化曲线，初步确定出适于制作位相波带片的几种材料。简要介绍了拟采取的制作软X射线位相波带片的方法。     

EXAFS研究负载型Ni／SiO2的区域结构

实验结果表明改进的实验室ＥＸＡＦＳ谱仪测试Ｎｉ箔的Ｋ吸收得到的ＥＸＡＦＳ谱与同步辐射上测量Ｎｉ箔得到的ＥＸＡＦＳ谱相近，利用实验室ＥＸＡＦＳ方法也可开展较好的结果测量研究，在ＳｉＯ２粉末载体上Ｎｉ负载量变化的ＥＸＡＦＳ结果表明，随着Ｎｉ负载量的降低，Ｎｉ的径向结构函数主配位峰的位置Ｒ＝０．２２０ｎｍ保持不变，但振幅强度逐渐降低。负载量从Ｎｉ箔到２．５％Ｎｉ／ＳｉＯ２，无序度因子σ由０．００６８ｎｍ     

Dirichlet型空间上的乘子

本文主要根据τ与μ的不同取值分三种情况刻划了Cn中单位球上Dirichlet 型空间上的点乘子空间M(Dτ,Dμ),并通过两个函数的构造表明:当τ≤n时,包含 关系M(Dτ)(?)Dτ和当τ>μ,τ>n-1时,包含关系M(Dτ)(?) M(Dμ)是严格的.