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21.
计算和比较了26Mg+244Cm, 27Al+243Am和32S+238U3个反应系统的俘获截面和复合核270Hs形成截面. 在俘获截面计算中, 考虑了靶核形变效应. 穿越库仑势垒后, 反应系统由熔合谷进入不对称裂变谷. 只有越过不对称裂变谷中的条件鞍点的事件才进入复合核组态. 我们用考虑中子流动和径向运动的二参量Smoluchowski扩散方程来处理中间阶段的动力学过程. 此外, 还计算了经4n蒸发形成超重核266Hs的截面. 研究表明, 入射道的势垒分布, 中间阶段的条件鞍点高度对俘获截面, 复合核形成几率, 以及最终的超重核形成截面有显著影响. 相似文献
22.
运用舍时密度泛函理论和局域密度近似方法,计算了水分子H2O在速度为12.5a0/fs的重离子C^+和C^2+作用下产生的各种电荷态的水分子离子的几率,平均逃逸电子敷和偶极矩的变化随时间的演化,计算结果表明,在重离子势最大时,电偶极矩的变化最大;重离子远离分子时,重离子的电荷态越高,产生高电荷态分子的几率反而越小。 相似文献
23.
为改进Fuzzy HX环的结果,使之包含Fuzzy商环,提出了弱Fuzzy HX环的概念,研究了它的性质与结构,并重新讨论了拟Fuzzy商环,证明了在正则条件下拟Fuzzy商环与弱Fuzzy HX环的统一性:同时也得到了一致弱Fuzzy HX环与普通Fuzzy商环的关系。 相似文献
24.
对掺有镉、硒、硫的玻璃在500—800℃退火2—24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段,600—625℃处于正常扩散生长阶段,700—800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利
关键词:
纳米晶体
生长机理
深能级缺陷 相似文献
25.
一类多线性积分算子的端点有界性 总被引:3,自引:0,他引:3
本文对一类相关于非卷积型算子的多线性算子,证明了其在端点情形上的有界性,该算子包括Littlewood-Paley算子和Marcinkiewicz算子. 相似文献
26.
27.
28.
研究无原子布氏代数的计算复杂性 .得到了下面的新定理 :定理 1 无原子布氏代数理论Δ具有完全的量词消去法 ,也就是说每一个式子都Δ等价于一个开式子 .定理 2 无原子布氏代数的初等型Γ (x1,… ,xn)是由型内的不含量词的全体开式子所唯一决定 .定理 3 无原子布氏代数的一个长度为 n的语句的判断过程所消耗的 Turing时间和空间都是属于 2 2 cn指数级 . 相似文献
29.
引进了包括分形和度量空间在内的齐型空间上的分数次Sobolev空间.这些Sobolev空间包括著名的Hajlasz—Sobolev空间为其特例,并建立了它们的各种Sharp极大函数的特征刻画.作为就用,证明了分数次Sobolev空间与某些Lipschitz型空间是一致的.此外,还给出了一些嵌入定理. 相似文献
30.
玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱 总被引:4,自引:3,他引:1
对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500~800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300~800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600~650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。 相似文献