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151.
从几何光学理论出发,详细推导了斐索型光学合成孔径成像系统的近轴非相干成像条件,即子望远系统的角放大率等于系统的线性缩放因子。对于焦平面上的像点而言,合成孔径成像系统可等效为一个带有特殊形状孔径光阑的望远系统,这要求该孔径光栏的开口形状和位置分布与合成孔径成像系统各子系统孔径大小和位置分布相一致。我们由此得到了斐索型合成孔径成像系统的主要约束条件。  相似文献   
152.
肿瘤微波热疗的温度场预示及热损伤研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文将热损伤的产生和影响引入到肿瘤的微波热疗中。运用微波能量比吸收率SAR的分布分析了微波在组织中的传输和吸收过程,并对微波热疗过程中的温度场、热损伤分布以及血液灌注率的变化进行了数值模拟。  相似文献   
153.
郝万军  李畅  魏英进  陈岗  许武 《物理学报》2003,52(4):1023-1027
研究了应用于锂二次电池正极的新型高能量密度存贮材料Li(AlxCo1-x)O2 (x=01—05)的磁性.发现Al3+的掺杂可导致Co3+中d电子自旋态发生变化,即有部分d电子进入高自旋态.伴随Co3+中电子状态的改变,材料结构演化也发生了相应变化,表现为c/a比增大明显减缓,较好地解释了材料结构对Vegard定律的正偏离.这对材料的微观结构与性能设计具有重要意义. 关键词: 锂电池材料 Li(AlxCo1-x)O2 磁性 自旋态 结构演化  相似文献   
154.
在储存环的束流传输系统中,斜四极场和纵向螺线管场是引起束流线性耦合的主要原因.由于这种耦合,使得束流的幅度和发射度发生交换,引起束流横向包络的增大,严重的将造成束流损失.从Betatron运动方程出发研究了斜四极场和螺线管场存在时束流的幅度耦合效应,分析了斜四极场存在时束流发射度的变化.  相似文献   
155.
双驱动x射线激光等离子体能谱特性研究   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
用时间积分空间分辨的平晶千电子伏谱仪测量了钽激光等离子体发射波长范围为045— 075nm的软x射线能谱,精确测量和准确辨认出类镍、类钴和类铁离子的共振线及类镍离子 的内壳层跃迁线-对实验结果处理,获得了辐射线谱的强度-通过谱线比率的诊断推断脉冲激 光时差对等离子体状态的影响,至少也可部分解释激光上能级的粒子数及等离子体的 电离程度- 关键词: 离子谱特性 软x线能谱强度 谱线辨认  相似文献   
156.
4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究,并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结,其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内,隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性,可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求. 关键词: 磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁随机存储器 4英寸热氧化硅衬底  相似文献   
157.
易忠 《数学学报》2005,48(1):185-192
本文中对一个斜群环为Dubrovin赋值环给出了一系列等价刻画,并且刻画了一个Dubrovin赋值斜群环的所有素理想.  相似文献   
158.
采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu粉末材料受到超短脉冲激光激发后,其光生电子和浅束缚态电子的衰减过程.发现Mn,Cu的浓度对导带电子的寿命有明显的影响,提高掺杂浓度会使光生电子的寿命大大缩短,还研究了掺杂浓度对光致发光强度的影响. 关键词: 发光材料 硫化锌 光电子 微波吸收技术  相似文献   
159.
陈莺飞  彭炜  李洁  陈珂  朱小红  王萍  曾光  郑东宁  李林 《物理学报》2003,52(10):2601-2606
在超高真空分子束外延(MBE)生长技术中,反射式高能电子衍射仪(RHEED)能实时显示半导体和金属外延生长过程,给出薄膜表面结构和平整度的信息,成为MBE必备的原位表面分 析仪.为了研究氧化物薄膜如高温超导(YBa2Cu3O7) 、铁电薄膜(Sr1-xBax TiO3)及它们的同质和异质外延结构的生长机理,获得高质量的符合各种应用 需要的氧化 物多层薄膜结构,在常规的制备氧化 关键词: 高温超导薄膜 RHEED  相似文献   
160.
Duffing-van der Pol振子随机分岔的全局分析   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
徐伟  贺群  戎海武  方同 《物理学报》2003,52(6):1365-1371
应用广义胞映射方法研究了参激和外激共同作用的Duffing-van der Pol振子的随机分岔.以 系统参数通过某一临界值时,如果系统的随机吸引子或随机鞍的形态发生突然变化,则认为 系统发生随机分岔为定义,分析了参激强度和外激强度的变化对于随机分岔的影响.揭示了 随机分岔的发生主要是由于系统的随机吸引子与系统的随机鞍碰撞产生的.分析表明,广义 胞映射方法是分析随机分岔的有力工具,这种全局分析方法可以清晰地给出随机分岔的发生 和发展. 关键词: 随机分岔 全局分析 广义胞映射方法 随机吸引子 随机鞍  相似文献   
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