Duffing-van der Pol振子随机分岔的全局分析

应用广义胞映射方法研究了参激和外激共同作用的Duffing-van der Pol振子的随机分岔.以 系统参数通过某一临界值时，如果系统的随机吸引子或随机鞍的形态发生突然变化，则认为 系统发生随机分岔为定义，分析了参激强度和外激强度的变化对于随机分岔的影响.揭示了 随机分岔的发生主要是由于系统的随机吸引子与系统的随机鞍碰撞产生的.分析表明，广义 胞映射方法是分析随机分岔的有力工具，这种全局分析方法可以清晰地给出随机分岔的发生 和发展. 关键词： 随机分岔 全局分析 广义胞映射方法 随机吸引子 随机鞍     

Si微电阻桥温度分布与热传导特性的显微Raman光谱研究

采用显微Raman光谱方法对红外目标模拟器中重掺杂Si微电阻桥单元的热传导特性进行研究，根据Si桥的实际特性建立相应的Raman散射模型，通过测量Raman峰位的移动得到高功率激光辐照下测量点的温度.对Si桥桥面分别进行了沿某些特殊线段的逐点线扫描和覆盖全部桥面的面扫描，得到各点的温升及其分布.用基于有限元分析的软件结合Si桥结构参数对各测量点的温升进行了模拟计算，其结果在热导分布的基本趋势上与实验相一致.实验细致地揭示了热导分布的局域起伏，反映出实际器件的不均匀性，为改进器件设计、优化器件性能提供了实验依据. 关键词： Raman光谱 Si桥 温度分布 热导     

一种新的超分辨记录点的读出技术

提出一种新的超分辨记录点的读出技术—超分辨反射膜技术，详细分析了其原理。用该技术，以Sb为超分辨反射膜，SiN为介电层，在激光波长为632．8nm和光学头的数值也径为0．40的读出光学系统中实现了直径为380nm的超分辨记录点的读出。同时研究了Sb薄膜厚度对读出信噪比的影响规律，发现最佳的Sb薄膜厚度为28～30nm，所得的信噪比为38～40dB。     

正常金属/超导/正常金属双垒隧道结中的量子相干输运

考虑到量子相干效应和界面散射效应 ,利用 L ambert理论模型 ,计算正常金属 /绝缘层 /超导 /绝缘层 /正常金属双垒隧道结中的准粒子输运系数和隧道谱。研究表明 :( 1)所有的准粒子输运系数和电导谱在超导能隙之上都随能量作周期性振荡 ,其振荡周期依赖于超导层的厚度 ;( 2 )在超导能隙之上 Andreev反射系数随能量呈现周期性消失现象 ;( 3)在绝缘层势垒强度取很大的隧道极限下 ,超导层中会形成一系列的准粒子束缚态 ,其位置由量子化条件决定 ;( 4)界面散射效应不仅能压低各子能隙电导峰 ,还能使子能隙电导峰劈裂为两个峰。     

ICP-AES同时测定混合矿物素中的磷、钙、铁、铜、锌、锰、镁、钴

采用ICP－AES法测定混合矿物素中的磷、钙、铁、铜、锌、锰、镁、钴元素含量，并对样品的溶解酸和酸用量、元素分析线的选择以及共存元素间的干扰进行了研究。该法简便、快速，精密度和准确度较好。     

Study of the pulsed laser vapor doping of Si(1 0 0) with KrF excimer laser and BCl3 gas

The properties of pulsed laser vapor doping on p-Si(1 0 0) with a KrF (248 nm) excimer pulsed laser (248 nm) and BCl₃ gas are reported in this paper. The doped samples are characterized by the resistance measured using a four-probe method, since the sheet resistance changes with the carrier concentration of the sample. The doping effects with the variation of laser energy density, pulse number, and the pressure of BCl₃ were investigated in terms of the sheet resistance. In this way, the optimized parameters were obtained and used for the positive heavy doping on p-Si(1 0 0) and p-Si(1 1 1). Then, using a square mesh under the above conditions, an image doping was completed. Finally, the metal–semiconductor Ohmic contacts were realized by plating Ag and Cu films on the doped surface.     

Characteristics and structures of weak efficient surfaces of production possibility sets

This paper studies the characteristics and structure of the weak surface of the production possibility set. We apply techniques and methods of transferring a polyhedral cone from its intersection form to its sum form, identify an intersection representation of the production possibility set. We give the structure theorem of weak surface of the production possibility set, which includes three complementary slackness conditions. We define the input weak efficiency and output weak efficiency for different DEA models according to the representation of the intersection form. It investigates the characteristics of the weak surfaces, and proves the structure theorems of input weak DEA efficiency and output weak DEA efficiency. The structure theorems establish weighted combination of inputs and outputs that are weak DEA efficient. Numerical examples are provided for illustration.     

链形线性元件电路的解题技巧

对一线性电路,若输入端的电压或电流变化,则组成电路中线性元件的电压、电流也将成比例地变化.所以,可假设输出端的电压或电流为一容易计算的值,逐步向前推导.推出假设的输入电压或电流,最后与实际电压或电流立一正比例式,即可求解.     

深能级杂质对光导半导体开关非线性特性的影响

建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程,获得了与实验现象定性吻合的电流输出,给出了平均载流子随时间演化的情况.分析结果表明,在考虑了深能级杂质的俘获、发射和碰撞电离后,有可能对非线性光导开关中发生的一系列现象做出解释,进一步的仔细分析将对非线性光导开关的设计和制作提供理论指导.     

一类Marcinkiewicz积分交换子的端点估计

本文得到Ω满足Dini型条件时,Marcinkiewicz积分交换子μΩ,b(f)的端点估计:|{x∈R~n:μΩ,b(f)(x)＞λ}|≤c‖b‖BMO∫_(R~n)(|f(x)|)/λ(1+log+(|f(x)|)/λ)dx．