人工合成铁叶啉Fe(OEP) Cl弛豫现象的穆斯堡尔研究

本文报道了人工合成铁叶啉-Fe(OEP)Cl,Fe(NO₂)(OEP)Cl和Fe(NO₂)₂(OEP)Cl,在77K、300K和室温下外加5KOe磁场时测得的穆斯堡尔谱。用电子自旋-自旋弛豫机制解释了谱线的变化,并讨论在叶淋环中位取代不同数目的(NO₂)基所引起同质异能移位的微小变化。     

开断器中的电弧现象研究

开关、断路器中的电弧研究与等离子体化学是低温等离子体两个通常的应用领域。开断器中电弧物理过程的研究结果可应用于回路开断、限止过失电流及脉冲功率系统中。脉冲功率技术可应用于原子能聚变发电及其模拟。随着电力系统的容量不断增加,对开断过程的技      

关于有源RLC电路的量子化

提出一种将有源ＲＬＣ电路量子化的方法,修正了有关文献中的错误。     

压缩真空态下介观RLC电路中电荷和电流的量子涨落

发展了一种有源RLC电路的量子力学处理方案,在此基础上研究了压缩真空态下介观RLC电路中电荷和电流的量子涨落,着重研究了电阻和压缩参数对量子涨落的影响. 关键词：     

高光谱和卷积神经网络的大白菜农残检测

针对大白菜农药残留传统化学检测手段存在前期处理过程繁琐、检测周期长等不足,提出了一种快速无损识别大白菜农药残留种类的方法.以1组无农药残留和4组含有均匀喷洒农药(毒死蜱、乐果、灭多威和氯氰菊酯)的大白菜样本为研究对象(药液浓度配比分别为0.10,1.00,0.20和2.00 mg·kg-1),经12小时自然吸收后,利用...     

An improved effective liquid drop model for cluster radioactivity

The effective liquid drop model(ELDM) is improved by introducing an accurate nuclear charge radius formula and an analytic expression for assaulting frequency. Within the improved effective liquid drop model(IMELDM), the experimental cluster radioactivity half-lives of the trans-lead region are calculated. It is shown that the accuracy of the IMELDM is improved compared with that of the ELDM. At last, the cluster radioactivity half-lives that are experimentally unavailable for the trans-lead nuc...     

化学还原法制备多形貌银纳米材料

银纳米材料因具有导热导电性能好、光电性能优良及抗菌能力强等优点而引起广泛关注,近年来其制备方法得到广泛研究。已报道的制备方法可分为化学法、物理法和生物法等,其中化学还原法可以通过使用不同的还原剂、包裹试剂及助剂,实现不同形貌及粒径的银纳米材料的快速制备。本文综述了化学还原法制备颗粒状、线形、片状、立方体及其它形貌的银纳米材料的原理及应用,并展望了银纳米材料工业化制备及应用研究的发展趋势。可控制备多形貌银纳米材料对于电子行业、医药生物以及传感器等相关领域的发展具有重要意义。     

水热法ZnO晶体特征研究

ZnO具有优良的综合性能使其成为极有前途的下一代光电材料,水热法是一种重要的生长ZnO晶体的方法.本文对水热法生长的面积约150mm2的ZnO晶体进行了报道,研究了晶体不同方向的生长速度、形貌特征和光学性能.X射线摇摆曲线表明晶体的质量较好.对于光学性质的分析表明晶体生长时加入H2O2能显著提高晶体的质量.494nm附近的发光带可能与氧空位有关.520nm的发光可能与Na或者Si所形成的杂质能级跃迁有关.     

High-performance 4H-SiC p-i-n ultraviolet avalanche photodiodes with large active area

Ultraviolet(UV) detectors with large photosensitive areas are more advantageous in low-level UV detection applications. In this Letter, high-performance 4 H-SiC p-i-n avalanche photodiodes(APDs) with large active area(800 μm diameter) are reported. With the optimized epitaxial structure and device fabrication process,a high multiplication gain of 1.4 × 10~6 is obtained for the devices at room temperature, and the dark current is as low as ～10 p A at low reverse voltages. In addition, record external quantum efficiency of 85.5% at 274 nm is achieved, which is the highest value for the reported Si C APDs. Furthermore, the rejection ratio of UV to visible light reaches about 10~4. The excellent performance of our devices indicates a tremendous improvement for largearea SiC APD-based UV detectors. Finally, the UV imaging performance of our fabricated 4 H-SiC p-i-n APDs is also demonstrated for system-level applications.