全文获取类型
收费全文 | 102篇 |
免费 | 125篇 |
国内免费 | 20篇 |
专业分类
化学 | 41篇 |
晶体学 | 56篇 |
力学 | 4篇 |
数学 | 13篇 |
物理学 | 133篇 |
出版年
2023年 | 3篇 |
2022年 | 1篇 |
2021年 | 1篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 9篇 |
2018年 | 13篇 |
2017年 | 9篇 |
2016年 | 8篇 |
2015年 | 11篇 |
2014年 | 21篇 |
2013年 | 15篇 |
2012年 | 15篇 |
2011年 | 11篇 |
2010年 | 16篇 |
2009年 | 21篇 |
2008年 | 21篇 |
2007年 | 12篇 |
2006年 | 16篇 |
2005年 | 15篇 |
2004年 | 17篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 2篇 |
1997年 | 1篇 |
排序方式: 共有247条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
12.
审计作为市场经济的自我约束机制,在经济发展中有着不可或缺的责任.本文利用随机网络技术进行分析,旨在设计出高效率的审计活动方案.首先,利用PERT技术建立了确定型的审计活动模型,在此基础上给出了时间—资源优化下的最优人员分配方案;其次,利用GERT技术建立了随机型的审计活动模型,引入矩母函数和梅森公式进行GERT解析求解求出所需的工期等指标,同时采用蒙特卡罗模拟求解验证解析求解的准确性,为审计活动的工期控制提供了理论依据.最后对于工作时间确定的GERT模型,结合PERT和GERT两种技术对其进行简化分析,从而得到了时间—资源优化下的最优人员分配方案. 相似文献
13.
14.
硅异质结(SHJ)太阳电池作为备受关注的新型高效太阳电池,是在单晶硅表面沉积非晶硅薄膜制备而成的。将绒面结构的单晶硅衬底应用于异质结太阳电池,可以减少光的反射,增强光吸收的效率,从而提高太阳电池短路电流密度。利用湿法化学腐蚀对单晶硅衬底表面进行制绒,通过优化影响绒面形貌的几个关键参数,包括异丙醇浓度、时间、衬底类型和硅酸钠的含量,最终通过在n型单晶硅衬底上制绒,使波长为1011 nm处最低反射率从制绒前的34.7%降低到了9.14%,将制绒衬底应用到异质结太阳电池上,短路电流由32.06 m A/cm-2提升到36.16 m A/cm-2,有效地改善了SHJ太阳电池的性能。 相似文献
15.
对于硅薄膜太阳电池来说, 无论是PIN型还是NIP型太阳电池, 采用绒面陷光结构来提高入射光的有效利用率是提高太阳电池效率的重要方法之一.本文采用标度相干理论对PIN和NIP型电池的绒面结构的陷光性能进行了数值模拟. 结果表明: PIN电池中前电极和NIP电池中背电极衬底粗糙度分别为160和40 nm时可获得理想的陷光效果; 在不同粗糙度背电极衬底上制备a-SiGe:H电池发现, 使用40和61.5 nm 背电极可获得相当的短路电流密度, 理论分析和实验得到了一致的结果.
关键词:
陷光结构
光散射能力
标量相干理论
硅基薄膜太阳电池 相似文献
16.
针对非晶硅锗电池本征层高锗含量时界面带隙失配以及高界面缺陷密度造成电池开路电压和填充因子下降的问题,通过在PI界面插入具有合适带隙的非晶硅缓冲层,不仅有效缓和了带隙失配,降低界面复合,同时也通过降低界面缺陷密度改善内建电场分布,从而提高了电池的收集效率. 进一步引入IN界面缓冲层以及对非晶硅锗本征层进行能带梯度设计,在仅采用Al背电极时,单结非晶硅锗电池转换效率达8.72%.
关键词:
非晶硅缓冲层
非晶硅锗薄膜太阳电池
带隙
界面 相似文献
17.
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池.电池的J-V测试结果表明:在实验的硅烷浓度和功率范围内,随硅烷浓度的降低和功率的加大,对应电池的开路电压逐渐变小;硅烷浓度的不同对电池的短路电流密 度有很大的影响,但功率的影响在实验研究的范围内不是很显著.对于微晶硅电池,N层最好 是非晶硅,这是因为一方面可以降低对电流的横向收集效应,另一方面也降低了电池的漏电概率,提高了电池的填充因子.
关键词:
微晶硅太阳电池
甚高频等离子体增强化学气相沉积 相似文献
18.
引入一个新的能量分布函数,利用该能量分布函数与粒子速度分布函数耦合来求解一个热流场. 因而,这一能量分布函数与粒子速度分布函数和Boltzmann方程构成了一个新的格子Boltzmann模型. 这一模型满足质量、动量和能量守恒的准则. 用该模型对垂直平板间的狭缝热对流进行了数值模拟,数值结果表明,在Prandtl数为1,Grashof数在1.3×102—1×106之间时,流场将出现多个旋涡结构的流型. 得出了与Lee相一致的结论.
关键词:
能量分布函数
Boltzmann方程
热对流 相似文献
19.
采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验,在分析光照前后光电特性变化规律的基础上,认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定,衰退率较少;高晶化率微晶硅材料性能稳定,基本不存在光衰退;在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退,但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池.
关键词:
射频等离子体增强化学气相沉积
硅薄膜
Staebler-Wronski(SW)效应
稳定性 相似文献
20.