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在模拟镁电解槽中,采用电解法制备出稀土含量<10%的镁稀土合金;研究了熔盐中RECl3和CaCl2的含量、电解温度和阴极电流密度对合金中RE含量和电流效率的影响。并采用循环伏安实验和还原实验研究电解制备镁稀土合金的机制。研究结果表明,电解制备镁稀土合金最佳的工艺条件为:熔盐中RECl3和CaCl2的含量分别为3%和10%(质量分数),电解温度为948 K,阴极电流密度约为8 A.cm-2。其电解过程机制为:阴极上只电解出金属镁,而后金属镁把稀土元素还原出来,形成镁稀土合金。 相似文献
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研究了染料敏化太阳能电池(DSCs)中N3/Al2O3/N749交替组装结构的作用. 该结构使用Al2O3作为介质层吸附第二层染料, 可以有效拓宽DSCs的光响应范围, 提高电池的光电转化效率. UV-Vis 吸收光谱和单色光转换效率(IPCE)谱测试结果表明, 相对于单一染料, 使用交替组装结构的电池光响应范围变宽. 电流-电压(I-V)曲线结果表明, 该结构有效增加了DSCs 电池的光电转化效率, 从单一N3 和N749 染料的4.22%和3.09%增加到了5.75%, 分别增加了36%和86%. 为了研究该结构的作用机理, 本文对其界面修饰作用及界面电子过程进行了讨论. 暗电流测试结果表明交替组装结构可以有效阻止电荷复合过程; 电化学阻抗谱(EIS)结果表明在黑暗条件下, N3/Al2O3/N749结构可以提高界面电阻, 从而抑制电荷复合过程; 本文建立了等效电路模型, 并使用该模型讨论了交替组装结构的界面电子过程; 调制强度光电流谱(IMPS)和调制强度光电压谱(IMVS)的结果表明该结构可以提高电子寿命和改善电子扩散. 相似文献
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通过仪器电路改进、程序编写等工作,成功改进了数字电流表。改进后的电流表具有量程自动切换功能,实现了对原有数字电流表的量程保护。经实验测试表明,改进后电流表运行稳定,测试结果正确。 相似文献
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超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在高掺杂时存在空穴迁移率迅速下降的问题;n型金刚石目前主流的掺杂元素是磷,还存在杂质能级深、电离能较大的问题,以及掺杂之后金刚石晶体中的缺陷造成载流子浓度和迁移率都比较低,电阻率难以达到器件的要求。因此制备高质量的p型和n型金刚石成为研究者关注的焦点。本文主要介绍金刚石独特的物理性质,概述化学气相沉积法和离子注入法实现金刚石掺杂的基本原理和参数指标,进而回顾两种方法进行单晶金刚石薄膜p型和n型掺杂的研究进展,系统总结了其面临的问题并对未来方向进行了展望。 相似文献
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A high-repetition-rate eye-safe optical parametric oscillator (OPO), using a non-critically phase-matched KTP crystal intracavity pumped by a passively Q-switched Nd:GdVO4/Cr^4+ :YAG laser, is experimentally demonstrated. The conversion efficiency for the average power is 7% from pump diode input to OPO signal output and the slope efficiency is up to 10.3%. With an incident pump power of 7,3 W, the compact intracavity OPO (IOPO) cavity, operating at 15 kHz, produces an average power of 0.57 W at 1570 nm with a pulse width as short as 6 ns. The peak power at 1570 nm is higher than 6.3 kW. 相似文献
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INFLUENCE OF C+-IMPLANTATION DOSE ON BLUE EMISSION AND MICROSTRUCTURES OF Si-BASED POROUS β-SIC 下载免费PDF全文
Crystal Si were implanted with different doses of C+ from 1011 to 1017 cm-2 at an energy of 50 keV. β-SiC precipitates were formed by thermal annealing at 1050 ℃ for 1 h and porous structures were prepared by electrochemical anodization. Under the excitation of ultraviolet, the samples, with C+ dose ≥1015 cm-2 have intense blue emission which is stronger than the photoluminescence (PL) intensity of reference porous silicon (PS), and increases as C+ dose increases; the samples with C+ dose ≤1014 cm-2 show similar PL spectra to those of PS. The blue peak intensity in PL spectra is correlated with the TO phonon absorption strength of β-SiC in infrared absorption spectra. The transmission electron microscopy study shows that the blue peak is also correlated with the microstructures. Because porous β-SiC is nanometer in size, it is suggested that the quantum confinement effect be responsible for the blue light emission. 相似文献
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