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71.
静电纺丝法制备SrTiO3多晶微纳米纤维 总被引:2,自引:0,他引:2
应用静电纺丝法并结合Sol-gel 技术制备了SrTiO3微纳米纤维. SEM, TEM及电子衍射分析结果显示, 于900 ℃煅烧获得的纤维直径分布在50~400 nm之间, 其典型直径约为280 nm. XRD分析结果表明, 纤维由立方结构的SrTiO3晶粒组成, 平均晶粒尺寸为33 nm. 相似文献
72.
73.
在不需要紧性假设下,利用拟C-凸函数及回收锥的性质,建立了向量优化问题有效点集的稳定性,获得了一列目标函数和可行集均扰动情形下的向量优化问题与对应的向量优化问题有效点集的Painlevé-Kuratowski内收敛性结果。所得结果推广和改进了相关文献(Attouch H,RiahiH.Stability results for Ekeland’s-variational principle and cone extremal solution;Huang X X.Stabilityin vector-valued and set-valued optimization)中的相应结果,并给出例子说明了所得结果的正确性。 相似文献
74.
本文采用高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)的方法,在双轴织构的Ni-5%W合金基底上制备了Sm0.2Ce0.8O1.9-x(SCO)单一缓冲层,并研究了不同退火温度对缓冲层织构和微结构的影响.研究结果表明,通过1100℃退火处理可以得到织构优良、表面致密平整,厚度可达200nm的SCO单一缓冲层.在该缓冲层上用类似的方法沉积的YBCO薄膜的临界超导转变温度Tc0为87K且Jc可达0.5MA.cm-2(在77K时).可以认为,Sm掺杂CeO2是制备单一缓冲层的一种有效的适合大规模生产的新途径. 相似文献
75.
采用化学溶液沉积法(CSD),在758℃到772℃不同温度下制备了一系列YBa2Cu3Ox(YBCO)薄膜。通过X射线衍射、扫描电镜观察和物性测量,研究了外延温度对其结构与性能的影响。研究结果表明,在760℃及770℃附近存在两个适合YBCO薄膜外延生长的温度区间,在这两个温区生长制备的YBCO薄膜具有良好的超导性能。760℃和770℃附近制备的样品的临界超导转变温度Tc分别为90K和89K,说明760℃附近的较低温区更适合YBCO薄膜的外延生长。760℃附近生长的薄膜在77K自场下的临界电流密度Jc可达到3MA/cm2。文中进一步对存在两个外延温区间的现象进行了讨论,其机制可能来源于自发形核与诱导外延生长之间的相互竞争。 相似文献
76.
本文研究了高温超导磁浮系统中由于永磁轨道的磁场分布不均匀而引起的驱动变频电源的逆变器母线电压的变化情况,将磁场分布不均匀引起的悬浮高度变化而导致的推力的变化直接简化成改变系统中直线感应电动推力的改变,采用双闭环控制器生成逆变器的驱动信号以驱动IGBT的方式调节母线电压的稳定性,用Matlab/Simulink以软件仿真的形式验证控制器器的合理性.用两种方式模拟了气隙磁场衰减辐值40%的稳压控制效果,仿真真结果表明它们对电压稳定性的控制基本没有区别,证明了文中所用控制方法适用于高温超导磁浮系统中. 相似文献
77.
Bi1-xSmxFeO3 films with x= 0, 0.03, 0.05, 0.07 and 0.10 are prepared on LaNiO3/Si(100) substrates by the sol-gel method. X-ray diffraction patterns reveal that pure phase films with random orientations are fabricated. The results of SEM indicate that films with denser surfaces are obtained by Sm substitution. At the doping level of x=0.05, remnant polarization Pr increases to 3.19 μC/cm2 from 1.12 μC/cm2 of the un-substituted BiFeO3 film and shows enhanced ferroelectricity at room temperature. Because of the low leakage current density in the high electric field region, a polarization hysteresis loop with remanent polarization of 5.15 μC/cm2 is observed in the 0.10 Sm-substituted BiFeO3 films at the applied electric field of 226 kV/cm. Through the substitution of Sm, the leakage current density is reduced for the films with x= 0.07-0.10. 相似文献
78.
79.
高纯氧化镨中痕量稀土杂质的ICP-MS测定 总被引:3,自引:0,他引:3
本文研究了用等离子质谱法测定高纯氧化镨中十三个稀土杂质。确定了仪器最佳工作条件,试验了功率,雾化器流量对基体抑制效应的影响,考察了镧、铈、镨氧化物离子及氢氧化物离子的干扰,选择了测定同位素,用标准加入法校正基体的抑制作用,以改善测量精度。通过加料回收及实际分析,认为本法具有耗样少、灵敏度高、操作简单的优点,可用于4N~6N纯度的氧化镨的分析。 相似文献
80.