| 高分子辅助化学溶液沉积法制备涂层导体Sm_(0.2)Ce_(0.8)O_(1.9-x)缓冲层 |
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| 引用本文： | 武伟,蒲明华,雷鸣,王文涛,张红,张欣,高顺天,赵勇.高分子辅助化学溶液沉积法制备涂层导体Sm_(0.2)Ce_(0.8)O_(1.9-x)缓冲层[J].低温物理学报,2009(4). |
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| 作者姓名： | 武伟 蒲明华 雷鸣 王文涛 张红 张欣 高顺天 赵勇 |
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| 作者单位： | 材料先进技术教育部重点实验室;西南交通大学超导研究开发中心; |
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| 基金项目： | 国家杰出青年基金(批准号:50588201); 国家自然科学基金项目(批准号:50672078)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 本文采用高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)的方法,在双轴织构的Ni-5%W合金基底上制备了Sm0.2Ce0.8O1.9-x(SCO)单一缓冲层,并研究了不同退火温度对缓冲层织构和微结构的影响.研究结果表明,通过1100℃退火处理可以得到织构优良、表面致密平整,厚度可达200nm的SCO单一缓冲层.在该缓冲层上用类似的方法沉积的YBCO薄膜的临界超导转变温度Tc0为87K且Jc可达0.5MA.cm-2(在77K时).可以认为,Sm掺杂CeO2是制备单一缓冲层的一种有效的适合大规模生产的新途径.
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| 关 键 词： | 单一缓冲层 高分子辅助 Sm掺杂CeO2 |
FABRICATION OF Sm_(0.2)Ce_(0.8)O_(1.9-x) SINGLE BUFFER LAYER FOR COATED CONDUCTORS USING POLYMER ASSISTED CSD(PACSD) METHOD |
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| WU Wei PU Ming-hua LEI Ming WANG Wen-tao ZHANG Hong ZHANG Xin GAO Tian-shun ZHAO Yong Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials,Southwest Jiaotong University,Chengdu.FABRICATION OF Sm_(0.2)Ce_(0.8)O_(1.9-x) SINGLE BUFFER LAYER FOR COATED CONDUCTORS USING POLYMER ASSISTED CSD(PACSD) METHOD[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2009(4). |
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| Authors: | WU Wei PU Ming-hua LEI Ming WANG Wen-tao ZHANG Hong ZHANG Xin GAO Tian-shun ZHAO Yong Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials Southwest Jiaotong University Chengdu |
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| Institution: | WU Wei PU Ming-hua LEI Ming WANG Wen-tao ZHANG Hong ZHANG Xin GAO Tian-shun ZHAO Yong Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials(Ministry of Education of China,Superconductivity R&D Center(SRDC),Southwest Jiaotong University,Chengdu 610031 |
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