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21.
利用Cd(OH)_2选择性包覆与光分解腐蚀缩小CdS纳米微粒的尺寸分布的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出结合Cd(OH)2 选择性包覆与光分解腐蚀法缩小CdS纳米微粒的尺寸分布, 并通过对CdS纳米微粒发射光谱的研究证实了这一设计思想. 以多聚磷酸钠(HMP)为稳定剂合成CdS纳米微粒, 再通过Cd2+ 与OH- 的选择性包覆在大粒径的CdS纳米微粒表面形成一层Cd(OH)2, 然后溶液置于日光下辐照处理, 数天后, 未经包覆的小粒径CdS纳米微粒被日光腐蚀分解, 溶液中只剩下被Cd(OH)2 包覆的大粒径CdS纳米微粒, 这样即可达到缩小CdS纳米微粒尺寸分布的目的. 相似文献
22.
提出结合Cd(OH)2选择性包覆与光分解腐蚀法缩小CdS纳米微粒的 政论发布,并通过对CdS纳米微粒发射光谱的研究产了这一设计思想,以多聚磷酸钠(HMP)为稳定剂合成CdS纳米微粒,再通过Cd^2+与HO^-的选择民覆在大粒径的CdS纳米表面形成一层Cd(OH)2,然后溶液置于日光下辐照处理,数天后,未经包覆的小粒径CdS纳米微粒被日光腐蚀分解,溶液中只剩下被Cd(OH)2包覆的大粒径CdS纳米微 相似文献
23.
以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性 总被引:1,自引:1,他引:0
用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S-K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效应和应变弛豫效应的联合作用。依据理论计算外延层临界厚度值的指导,用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上生长了ZnCdSe量子点,详细观测了ZnCdSe量子点的形成和演变,这些过程可用Ostwald熟化过程和形成过程的联合作用来解释。用LP-MOCVD技术,以Volmer Weber(V-W)模式,在GaAs衬底上生长了ZnSeS量子点,随着生长时间的增加,量子点尺寸增大,而量子点密度减少,这些现象可用表面自由能来解释。 相似文献
24.
用电化学沉积法制备ZnO/Cu2O异质p-n结 总被引:2,自引:1,他引:1
由于P型ZnO的制备仍然存在一定的困难,限制了ZnO在光电方面的应用,尤其是在发光二极管和激光器的实际应用,目前利用P型的透明半导体氧化物与n型ZnO制备异质p-n结,成为新的研究热点。选择P型导电Cu2O与ZnO制备出异质p-n结。Cu2O是一种典型的P型半导体材料,禁带宽度为2.1eV,可见光范围的吸收系数较高。首次利用电化学沉积的方法制备了ZnO/Cu2O异质p-n结,研究了电沉积ZnO,Cu2O的生长机制和ZnO/Cu2O异质结的结构、光学和电学特性。 相似文献
25.
分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 总被引:4,自引:4,他引:0
用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c 平面上外延生长了p型氧化锌薄膜。在实验中采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和掺杂源 ,通过射频等离子体激活进行生长。在生长温度 30 0℃ ,NO气体流量为 1.0sccm ,射频功率为 30 0W的条件下 ,获得了重复性很好的p型ZnO ,且载流子浓度最大可达 1.2× 10 19cm-3 ,迁移率为 0 .0 5 35cm2 ·V-1·s-1,电阻率为 9.5Ω·cm。 相似文献
26.
采用金属有机物化学气相沉积方法生长了立方相Mg0.56Zn0.44O:Ga薄膜,Ga在MgZnO中的摩尔分数为2.8%~4.5%。低掺杂水平的MgZnO可以保持其良好的结晶特性。随着Ga元素的摩尔分数升高至3.1%、3.3%与4.5%,立方相MgZnO中分别出现了Ga2O3、ZnO与ZnGa2O4分相。其中,Ga2O3与ZnGa2O4相的出现是由于Ga的掺杂使这两相在MgZnO基质中饱和析出,而ZnO分相被归因于Ga的引入部分破坏了立方MgZnO的亚稳态结构状态,使组分原本就处于分相区的立方MgZnO出现相分离。 相似文献
27.
28.
29.
用ZnO陶瓷靶,采用脉冲激光沉积(PLD)技术在c-Al2O3衬底上制备了ZnO薄膜。通过不同温度下光致发光(PL)光谱的测量,对样品的紫外发光机理进行研究。 在较低温度(10 K)下的PL光谱中,观测到一个位于3.354 eV处的束缚激子(D0X)发射,随着温度的升高(~50 K),在D0X的高能侧观测到了自由激子的发射峰。在10 K温度下,3.309 eV处出现了一个较强的发光带A,此发光带强度随着温度升高先增大然后减小,并且一直延续到室温。重点讨论了此发光带的起源,并认为A带可归属于自由电子-受主之间的复合发射。 相似文献
30.
在不同衬底温度(室温~750 ℃)条件下,采用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英玻璃和单晶硅(111)衬底上制备了Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。结果显示:衬底温度的变化导致衬底表面吸附原子扩散速率和脱附速率的不同,从而导致合成薄膜结晶质量的差异,衬底温度450 ℃时制备的GZO薄膜具有最好的结晶特性;GZO薄膜中载流子浓度随衬底温度升高而单调减小的现象与GZO薄膜中的本征缺陷密切相关,晶界散射强度的变化导致迁移率出现先增大后减小的趋势,衬底温度450 ℃时制备的GZO薄膜具有最小的电阻率~0.02 Ω·cm;随着衬底温度的升高,薄膜载流子浓度的单调减小导致了薄膜光学带隙变窄,所有合成样品的平均可见光透过率均达到85%以上。采用PLD方法制备GZO薄膜,衬底温度的改变可以对薄膜的光电性能起到调制作用。 相似文献