一维微分方程的多项式特解方法（英文）

本文对一维常微分算子及发展微分算子提出一种基于解析多项式特解(MPPS)的求解方法,通过使用这些特解公式,将微分方程的解显式表达为多项式特解的线性组合来求解复杂的微分方程,如可以使用这些公式来求解右端具有不连续驱动项的微分系统.文中给出一系列数值例子,数值模拟结果精度很高,而且误差非常稳定.     

融合插值点优化的多项式结构宽带波束形成器设计方法*

多项式结构设计方法是主瓣指向可调宽带波束形成器设计的一类重要方法。多项式结构的阶数是有限的,导致主瓣实际指向与期望指向之间存在偏差,因而影响了波束形成器的指向性指数。针对这一问题,该文提出了一种基于插值点优化的多项式结构宽带波束形成器设计方法。首先,引入多项式结构插值点处阵列响应的空间导数约束,以减小主瓣指向偏差;进而利用粒子群优化算法对多项式结构中的插值点进行优化,以充分利用插值点位置提供的自由度进一步提升多项式结构宽带波束形成器的性能。优化设计结果表明,与现有设计方法相比,该文提出的方法不仅降低了主瓣的指向偏差,同时也提高了指向性指数,有效改善了多项式结构宽带波束形成器的性能。     

High throughput N-modular redundancy for error correction design of memristive stateful logic

Memristive stateful logic is one of the most promising candidates to implement an in-memory computing system that computes within the storage unit. It can eliminate the costs for the data movement in the traditional von Neumann system. However, the instability in the memristors is inevitable due to the limitation of the current fabrication technology, which incurs a great challenge for the reliability of the memristive stateful logic. In this paper, the implication of device instability on the reliability of the logic event is simulated. The mathematical relationship between logic reliability and redundancy has been deduced. By combining the mathematical relationship with the vector-matrix multiplication in a memristive crossbar array, the logic error correction scheme with high throughput has been proposed. Moreover, a universal design paradigm has been put forward for complex logic. And the circuit schematic and the flow of the scheme have been raised. Finally, a 1-bit full adder (FA) based on the NOR logic and NOT logic is simulated and the mathematical evaluation is performed. It demonstrates the scheme can improve the reliability of the logic significantly. And compared with other four error corrections, the scheme which can be suitable for all kinds of R-R logics and V-R logics has the best universality and throughput. Compared with the other two approaches which also need additional complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) circuits, it needs fewer transistors and cycles for the error correction.     

单细胞与空间转录组分析研究进展

单细胞的异质性在胚胎发育、神经系统发育、癌症病变等生物学过程中具有重要的研究意义。单细胞转录组测序利用测序技术解析细胞内转录本序列,为细胞异质性研究提供可靠、准确的研究手段及观测视野,为揭示生物发育规律、疾病发生发展机制等提供了重要的技术手段。该文围绕单细胞与空间组学分析,综述了近年来发展的各类单细胞转录组测序、单细胞多组学测序及空间转录组分析方法,分析了其优缺点。同时展望了单细胞与空间转录组分析领域的发展趋势,即开发低成本、全方位、高通量、高分辨的单细胞空间多组学分析方法以实现对单个细胞更为细致、全面及准确的描述和精准单细胞图谱构建。     

建筑风压数值模拟的几种并行化策略

针对四个处理机的Ｔｒａｎｓｐｕｔｅｒ并行计算机系统，建立了建筑风压数值模拟问题基于ＳＩＭ－ＰＬＥＣ算法的几种并行化策略：分区并行策略、方程并行策略和双重并行策略。对各种策略的计算流程、数据通讯及并行效率等进行了分析和比较，并通过实例计算作了验证。     

基于最新势能面的C(1D)+H2反应的环聚合分子动力学研究

本文利用环聚合分子动力学方法对C(¹D)+H₂反应开展了详细的理论研究. 计算中使用了最近构建的Zhang-Ma-Bian(ZMB)从头算势能面,该势能面对锥形交叉附近区域以及范德华区域均有精确的描述. 环聚合分子动力学计算得到的热反应速率常数与最新实验值吻合很好. 与前人计算结果比较,发现在?¹A′电子基态的ZMB-a势能面上获得的反应速率常数远大于前人构建的RKHS势能面上的结果,这是由于ZMB势能面上的范德华鞍具有与之前势能面上的范德华阱完全不同的动态学作用,表明环聚合分子动力学方法能够处理范德华作用引起的势能面拓扑结构所导致的动态学效应. 本文还揭示了b¹A′′电子激发态ZMB-b势能面以及量子效应对反应的重要性.     

101600例0～17岁人群末梢血铜元素参考值的研究

为确定全国0～17岁不同年龄组人群末梢血铜元素含量正常参考值范围,采用火焰原子吸收光谱法检测了来自全国8个省区的101 600名0～17岁健康个体末梢血中铜元素的含量,用百分位数法确定其参考值范围.结果表明,取第5 、第97百分位数值分别作为参考值下限和上限,参考值范围依次为:0岁:8.51～25.63 μmol/L,...     

Ba0.6Sr0.4TiO3/聚偏氟乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯复合材料的制备及其介电性能

采用流延热压工艺制备Ba_0.6Sr_0.4TiO₃(BST)/聚偏氟乙烯(PVDF)?聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合薄膜,研究了PMMA含量对复合材料微观组织结构和介电性能的影响规律。结果表明,BST相能够均匀分散在聚合物基体中,归因于PMMA与PVDF良好的相容性,2种聚合物之间的界面不分明;随着PMMA含量的增加,复合材料的介电常数先降低后升高,耐击穿强度和介电可调性先增加后减少。PMMA含量(体积分数)为15%的BST/PVDF?PMMA₁₅复合材料的综合性能最佳:介电常数为23.2,介电损耗为0.07,耐击穿强度为1412 kV·cm^-1,在550 kV·cm^-1偏压场下,介电可调性为26.2%。     

机翼主梁钛合金模拟件谱载疲劳寿命实验研究

确定某型飞机机翼主梁结构的使用寿命是保证该机使用安全的关键。本文对全机第一关键危险部位--机翼钛合金主梁下缘螺栓孔模拟件进行随机谱和程序块谱载荷下的疲劳寿命试验,获得了模拟件的疲劳裂纹形成寿命和疲劳全寿命,并对其寿命进行了统计处理和对比分析。结果表明,程序块谱较随机谱有更长的疲劳寿命。这说明随机谱比程序块谱要严重,对钛合金主梁模拟件的疲劳寿命有显著的影响。该结论可为机翼钛合金主梁构件疲劳寿命预测及疲劳设计提供试验依据。     

江苏弶港JC-1203钻孔沉积物粒度特征及其古环境意义

选取江苏弶港地区JC-1203钻孔, 通过分析其岩性、沉积物粒度参数和概率累计曲线, 结合已有文献资料和测年数据, 将JC-1203钻孔0~50.00m段自上而下分为5个沉积单元(DU1、DU2、DU3、DU4和DU5). 研究表明: DU1段(0~4.00m), 中值粒径(Md)为3.40~4.94Φ, 平均4.31Φ, 分选系数(δ1)为0.94~1.82, 平均1.24, 粒度概率累积曲线由跃移?–悬浮两组分构成, 滚动组分缺失, 反映了MIS1末期研究区为潮坪相沉积环境; DU2段(4.00~27.39m), Md为1.96~4.87Φ, 均值3.30Φ, δ1为0.54~2.17, 均值1.25, 曲线形态为跃移?–悬浮两单元构成, 反映研究区MIS1中?–末期为潮流沙脊相沉积; DU3段(27.39~37.33m), Md为1.90~4.18Φ, 均值2.79Φ, δ1为0.54~2.24, 均值1.34, 曲线形态为跃移?–悬浮两单元构成, 反映研究区MIS1早?–中期为滨海相沉积环境; DU4段(37.33~45.54m), Md为4.14~6.79Φ, 均值6.00Φ, δ1为1.5~2.3, 均值1.8, 概率累积曲线形态复杂多变, 反映研究区MIS3中?–末期的陆相河流沉积环境; DU5段(45.54~ 50.00m), Md为3.18~6.40Φ, 均值4.94Φ, δ1为0.99~1.97, 均值1.67, 曲线形态以滚动?–跃移?–悬浮三单元构成为主, 反映研究区MIS3早期的浅海相沉积环境.