液相混合铋系超导前驱粉体工艺研究

本研究采用溶胶凝胶颗粒包覆技术，将钙铜离子均匀包覆在2212颗粒表面，通过适当的热处理，使包覆层转变为Ca2CuO3 CuO相，同时确保2212相结构稳定，从而获得了均匀混合的装管前驱粉体．详细研究了钙铜溶胶体系的胶凝工艺，2212悬浮体系的稳定性以及Ca2CuO3成相温区等工艺参数，并利用XRD，SEM等分析手段，研究了粉体的粒度分布，形貌，相组成及其均匀性．     

Φ3英寸双面超导薄膜Jc均匀性测量

临界电流密度Jc是评价超导薄膜质量的重要参数之一.采用Jc测量装置可以准确、快速、无损检测Φ2～3英寸双面膜的Jc均匀性.该装置是利用高温超导薄膜的超导转变对线圈内感应电压产生的变化这一原理,测量线圈由初级和次级组成.所用信号频率为20kHz.次级信号在同样频率下由锁相放大器检测.测量过程全部由计算机控制.对于超导微波滤波器应用所要求的高质量Φ2～3英寸双面超导薄膜材料,必须具有高的Jc和低的Rs值.采用该装置测量超导薄膜的Jc均匀性,与Rs对应关系进行分析,将有助于超导薄膜的质量控制.     

D族END的随机变量和的精确大偏差

研究了非随机和的S_n=∑_i=1ⁿ X_i,n≥1的精确大偏差的问题,这里{X_i,i≥1}是服从控制变化尾分布族（D族）的非负的、END的随机变量,但不必是同分布的.在给定的一些假设条件下,得到了非随机和的渐近关系,推广了相应的独立同分布情形下的结论.     

表面氧化外延制备钇系涂层导体隔离层

采用表面氧化外延(SOE)方法, 在金属基底上研制NiO隔离层. 通过研究温度、时间等工艺参数对形成立方织构NiO的影响, 摸索出一套可获得单一、尖锐的立方织构NiO, 重复性好, 适合于长带发展的工艺技术. 同时研究了金属基带的表面状态、织构取向对NiO(100)表面的影响. X射线极图观测可直观地看到单一的立方织构, φ扫描检测其半高宽(FWHM)均为7.5°. 扫描电镜观察NiO(100)膜层表面形貌, 无裂纹且较为致密.     

1kA级铋系高温超导模型电缆的研制

我们研制了一根１０００Ａ级铋系高温超导模型电缆。电缆由不锈钢波纹管骨架、导体层、层间绝缘和外绝缘绑扎带组成。电缆的导体层由６层共１７１根Ｂｉ－２２２３／Ａｇ多芯带材绕制而成，电缆外径为４５．２ｍｍ，长度为１ｍ。在液氮下的通电实验表明，电缆的临界电流超过１１８０Ａ（１μＶ／ｃｍ判据），接头总电阻小于０．０６μΩ，均超过设计指标。经两次热循环实验，电缆的临界电流仅退化２．７％，在半小时传输电流１ｋＡ的     

反应溅射法连续制备CeO2隔离层

用带有反应溅射装置的走带系统在立方织构的Ni-5% W衬底上连续制备了长10 cm的CeO2隔离层.为避免金属衬底氧化,以H2O作为反应气体.论文主要研究了衬底温度、走带速率对CeO2隔离层外延生长的影响.用X射线θ～2θ扫描,ψ扫描对薄膜的取向和织构进行表征.结果显示在温度650 ℃,走带速度2.5 mm/s的条件下,连续制备的CeO2隔离层有效地继承并改善了基底的织构,平均平面内ψ扫描半高宽为6.18°,扫描电镜(SEM)观察表明薄膜表面致密,且无裂纹生成.     

涂层导体用金属基带表面对过渡层成核的机理研究

涂层导体用金属基带的表面状况对在其上制备的过渡层的形貌和取向有很大影响.在Ni单晶、轧制辅助双轴织构基带(RABiTS)Ni和经过硫化处理的Ni基带三种不同衬底上采用磁控溅射法制备了CeO₂过渡层.结果表明,在Ni单晶和硫化处理的Ni基带上制备的CeO₂薄膜取向较差,而在RABiTS Ni上制备的CeO₂薄膜完全呈c轴取向,表面平整致密.反射高能电子衍射图显示,RABiTS Ni具有的c(2×2)的S超结构对CeO₂薄膜的取向生长起到了很重要的作用. 关键词： 涂层导体 金属基带 超结构 过渡层