CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应

为研究空间高能粒子位移损伤效应引起的星用CMOS图像传感器性能退化,对国产CMOS有源像素传感器进行了中子辐照试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件的暗信号、暗信号非均匀性、饱和输出电压、像素单元输出电压等参数的变化规律。通过对CMOS图像传感器敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析,并根据半导体器件辐射效应理论,深入研究了器件参数退化机理。试验结果表明,暗信号和暗信号非均匀性随着中子辐照注量的增大而显著增大,饱和输出电压基本保持不变。暗信号的退化是因为位移效应在体硅内引入大量体缺陷增加了耗尽区内热载流子产生率,暗信号非均匀性的退化主要来自于器件受中子辐照后在像素与像素之间产生了大量非均匀性的体缺陷能级。另外,还在样品芯片上引出了独立的像素单元测试管脚,测试了不同积分时间下像素单元输出信号。     

一个得到1,1'-联-2-萘胺的合成新方法

以2-萘胺为原料,在甲醇溶液中与1.5eq的CuCl2·2H2O反应,氧化偶合得到1,1'-联-2-萘胺(1)与CuCl2的络合物沉淀。沉淀依次经沸水和氨水处理,得到产率56%的1。     

浙江省油桐生产动态的分析

浙江省栽培油桐的历史悠久 , 在抗日战争以前的本世纪二三十年代 ,国际市场桐油价格十分昂 贵 ,浙江省由于紧靠上海 ,出口便利 ,油桐种植相当发达 ,桐油的年产量曾高达 1 . 5× 10 7 kg,约相当于近 10年来我国年平均出口量的 70% ;抗日战争期间 ,桐油的销路受阻 ,浙江省的种桐业逐渐衰落 ;抗战胜 利后 ,由于国际市场购买力不旺 ,种桐业再也没有恢复往日的辉煌. 从 50年代初到现在 ,浙江省的油桐 连年减产 ,并有继续一路下滑的趋势 ,其原因一方面是由于国内外市场对桐油的需求有限 ,另一方面则 是由于农村产业结构的调整导致了浙江等沿海省份的桐农向其它收益更高的行业转移 .     

续流二极管续流瞬态反向恢复电压尖峰机理研究

电力电子变流装置中的开关续流元件功率二极管由续流到截止转换的反向恢复过程中会在负载上产生电压尖峰,且短时续流下电压尖峰会很大,极易造成器件过压失效. 为了有效指导电力电子装置的可靠性设计,基于半导体物理和功率二极管基本结构,深入论述了PIN结构续流二极管开关瞬态工作机理,利用存储电荷的分析方法推导出二极管续流瞬态下的反向恢复电压尖峰机理及其随续流时间的变化规律:电压尖峰在短时续流下较大,随续流瞬态时间的增大而减小. 以绝缘栅双极型晶体管和续流二极管组成的两电平半桥逆变单元为例进行实验,结果表明:二极管续流瞬态发生反向恢复的电压尖峰随续流瞬态时间的增大近似呈指数规律减小,待续流电流稳定后,电压尖峰趋于常数,并最终随着续流过程的结束而进一步减小直至恒定,验证了理论分析的正确性. 对完善续流二极管反向恢复机理以及提高电能变换装置的可靠性具有一定的理论意义和应用价值. 关键词： 续流二极管 正向导通 反向恢复 电导率调制     

基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究

对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究,着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si),测试点分别为30 krad(Si),100 krad(Si),150 krad(Si)和200 krad(Si),剂量率为50 rad(Si)/s.实验结果发现随着辐照总剂量的增加,器件的满阱容量下降并且暗电流显著增加.其中辐照使得传输门沟道掺杂分布发生改变是满阱容量下降的主要原因,而暗电流退化则主要来自于浅槽隔离界面缺陷产生电流和传输门-光电二极管交叠区产生电流.实验还表明样品器件的转换增益在辐照前后未发生明显变化,并且与3晶体管像素结构不同,4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器没有显著的总剂量辐照偏置效应.     

基于电压电流的IGBT关断机理与关断时间研究

基于半导体物理和IGBT基本结构, 深入论述了IGBT关断机理, 推导出IGBT关断时间随电压和电流的变化规律: 关断时间随电压的增大而增大, 随电流的增大而减小. 查明了变化规律的物理机理, 仿真和实验结果验证了理论推导与所得变化规律的正确性. 提出采用指数与双曲线复合规律描述IGBT关断时间的变化. 对深化IGBT关断机理和解决电力电子装置死区时间设置等工程问题具有一定的理论意义和应用价值. 关键词： 关断机理 耗尽层 载流子 关断时间     

N,N-二取代甘氨酸酯的ESI-MS/MS研究

应用多级质谱（＋）ESI—MS／MS考察了八种N,N-二取代甘氨酸酯化合物的质谱行为,并对其质谱裂解途径进行解析,为表征该类化合物提供了依据。     

采用“多层面讨论法”培养创新型人才

结合学科发展特点和需要,提出课堂教学采用多层面讨论法,层面分为:基础知识层面、知识运用层面、构建创新意识层面.使用这种教学方法有利于培养基础扎实、知识面宽、能力强、素质高的创新型人才.     

结构新颖的三并五元环倍半萜Capnellene及Capnellenols的全合成综述

对三并五元环倍半萜（±）－Δ９（１２）－Ｃａｐｎｅｌｅｎｅ的全合成进行了分类综述，并且介绍了Ｃａｐｎｅｌ－ｌｅｎｏｌｓ的全合成研究和（－）－Δ９（１２）－Ｃａｐｎｅｌｅｎｅ的手性全合成研究进展。参考文献３２篇。     

温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响

为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导,对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验,着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明,随着温度的升高,样品器件的转换增益从0.026 54 DN/e下降到0.023 79 DN/e,饱和输出从4 030 DN下降到3 396 DN,并且暗电流从22.9 e·pixel-1·s-1增长到649 e·pixel-1·s-1。其中器件转换增益的减小应主要归因于载流子迁移率随温度升高而下降使得像素后端读出电路增益降低;饱和输出的降低则是因为转换增益的降低,因为转换增益随温度变化对饱和输出的影响要大于满阱容量随温度变化对饱和输出的影响。