首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   215篇
  免费   124篇
  国内免费   103篇
化学   154篇
晶体学   9篇
力学   28篇
综合类   17篇
数学   56篇
物理学   178篇
  2024年   4篇
  2023年   22篇
  2022年   19篇
  2021年   15篇
  2020年   9篇
  2019年   16篇
  2018年   18篇
  2017年   9篇
  2016年   12篇
  2015年   11篇
  2014年   22篇
  2013年   24篇
  2012年   25篇
  2011年   19篇
  2010年   14篇
  2009年   13篇
  2008年   13篇
  2007年   7篇
  2006年   7篇
  2005年   6篇
  2004年   6篇
  2003年   8篇
  2002年   8篇
  2001年   9篇
  2000年   5篇
  1999年   10篇
  1998年   8篇
  1997年   5篇
  1996年   7篇
  1995年   9篇
  1994年   5篇
  1993年   7篇
  1992年   4篇
  1991年   12篇
  1990年   6篇
  1989年   6篇
  1988年   3篇
  1985年   2篇
  1984年   4篇
  1982年   3篇
  1981年   3篇
  1980年   7篇
  1979年   3篇
  1966年   2篇
  1965年   2篇
  1963年   2篇
  1962年   2篇
  1960年   2篇
  1956年   1篇
  1954年   1篇
排序方式: 共有442条查询结果,搜索用时 31 毫秒
81.
轩瑞杰  刘慧宣 《中国物理 B》2012,21(8):88104-088104
A battery drivable low-voltage transparent lightly antimony(Sb)-doped SnO2 nanowire electric-double-layer (EDL) field-effect transistor (FET) is fabricated on an ITO glass substrate at room temperature. An ultralow operation voltage of 1 V is obtained on account of an untralarge specific gate capacitance (- 2.14 μF/cm2) directly bound up with mobile ions-induced EDL (sandwiched between the top and bottom electrodes) effect. The transparent FET shows excellent electric characteristics with a field-effect mobility of 54.43 cm2/V. s, current on/off ration of 2 × 104, and subthreshold gate voltage swing (S = dVgs/d(logIds)) of 140 mV/decade. The threshold voltage Yth (0.1 V) is estimated which indicates that the SnO2 namowire transistor operates in an n-type enhanced mode. Such a low-voltage transparent nanowire transistor gated by a microporous SiO2-based solid electrolyte is very promising for battery-powered portable nanoscale sensors.  相似文献   
82.
Using three-dimensional technology computer-aided design (TCAD) simulation, parasitic bipolar amplification in a single event transient (SET) current of a single transistor and its temperature dependence are studied. We quantify the contributions of different current components in a SET current pulse, and it is found that the proportion of parasitic bipolar amplification in total collected charge is about 30% in both 130-nm and 90-nm technologies. The temperature dependence of parasitic bipolar amplification and the mechanism of the SET pulse are also investigated and quantified. The results show that the proportion of charge induced by parasitic bipolar increases with rising temperature, which illustrates that the parasitic bipolar amplification plays an important role in the charge collection of a single transistor.  相似文献   
83.
Electromagnetic field distribution in the vertical metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactor is simulated by using the finite element method (FEM). The effects of alternating current frequency, intensity, coil turn number and the distance between the coil turns on the distribution of the Joule heat are analysed separately, and their relations to the value of Joule heat are also investigated. The temperature distribution on the susceptor is also obtained. It is observed that the results of the simulation are in good agreement with previous measurements.  相似文献   
84.
Heat and mass transfer effects on the unsteady flow of a micropolar fluid through a porous medium bounded by a semi-infinite vertical plate in a slip-flow regime are studied taking into account a homogeneous chemical reaction of the first order. A uniform magnetic field acts perpendicular to the porous surface absorb micropolar fluid with a suction velocity varying with time. The free stream velocity follows an exponentially increasing or decreasing small perturbation law. Using the approximate method, the expressions for the velocity microrotation, temperature, and concentration are obtained. Futher, the results of the skin friction coefficient, the couple stress coefficient, and the rate of heat and mass transfer at the wall are presented with various values of fluid properties and flow conditions.  相似文献   
85.
硬弹性聚丙烯的排状堆积片晶   总被引:1,自引:0,他引:1  
用广角X射线衍射、小角X光散射等手段对硬弹性聚丙烯中排状堆积片晶的形成及结构进行了研究。结果表明,应力场下聚丙烯熔体结晶,得到的硬弹性聚丙烯具有垂直于挤出方向而又平行堆积的片晶结构(即排状堆积片晶)。熔融温度越高,排状堆积片晶所需的熔体拉伸比越高。而随着熔体所受拉伸比的增加,片晶厚度有所增加。随着熔融温度升高,片晶厚度下降。热处理温度在110-120℃之间,片晶厚度随热处理温度升高明显增加。  相似文献   
86.
为助力科技型创新企业准确且快速地从外部捕获创新技术机会, 提出一种企业技术机会发现和辅助决策方法. 首先, 挖掘领域内的技术热点、技术重点和有潜力的技术作为领域技术创新机会. 然后, 通过关联规则分析领域技术机会和企业已有技术之间的相关性, 进一步结合技术掌握度和新颖度, 识别更适合企业的技术创新机会. 最后, 创新性地采用Sen-BERT语言模型和K-means聚类方法构建技术功效矩阵, 辅助企业从功能需求的角度进行技术创新决策. 以电动汽车领域为例验证了该方法的可行性.  相似文献   
87.
将底部加热的半个肥皂泡作为一个新的热对流模型,结合了肥皂泡固有的球面与准二维特征,由此有助于理解行星大气流动中的复杂物理机制与热对流特性.本文使用直接数值模拟方法计算了旋转肥皂泡上的湍流热对流,研究了肥皂泡上的温度与黏性边界层以及拟热能和动能耗散规律.结合肥皂泡上温度场与速度场特征,分别根据温度脉动均方根最大值以及速度脉动边界处斜率延长线与最大值交点提出了肥皂泡上温度与黏性边界层的识别方法.研究发现,当肥皂泡从边界吸收能量时,拟热能耗散与动能耗散均集中在边界层中,肥皂泡上的温度边界层与黏性边界层厚度与瑞利数Ra存在明确的标度关系.相比经典Rayleigh-Bénrad对流(RB对流)模型,温度标度指数具有较为接近的结果,但速度标度指数存在一定的差异.此外,在混合区,均方根温度(T*)随纬度(θ)具有近似T*~θ0.5的标度关系,这与RB对流模型及其相应的理论预测一致.最后通过能量平衡方程发现,肥皂泡上拟热能内耗散率ε0/T和动能内耗散率ε0/u比拟热能外耗散率ε1/T和动能外耗散率ε1/u大1个量级,拟热能与动能的内部耗...  相似文献   
88.
第25届国际高能物理会议于1990年8月1-9日在新加坡召开.这是历年来高能物理方面一次规模巨大的盛会,也是我国代表在国际高能会议上首次获得热烈欢迎的一次盛会.因为自1988年以来,我国建成了一台其亮度是超纪录的,能域适用于粲物理研究的正负电子对撞机.为此,大会邀请了中国科学院高能物理研究所郑志鹏教授作了关于粲物理的大会邀请报告,同时又邀请了中国科学院高能物理研究所方守贤教授在加速器的分组会议上作有关BEPC的报告.世界各国大实验室的负责人和知名学者,都以浓厚的兴趣关注着中国高能物理的发展. 本届会议报道的一个重要结果,是…  相似文献   
89.
阐述涤纶中空纤维在生产过程中性能的变化,并讨论了纤维聚集态结构与中空纤维特有的膨松性、回弹性的关系。结果表明,在后加工过程中,随着拉伸进行,纤维取向越大,潜在卷曲展现越充分,膨松性V1、V2、卷曲性能和压缩回弹率与非晶区取向程度、结晶度等密切相关。  相似文献   
90.
六年制重点中学高中课本《代数与几何》第一册复习参考题一的第15题为求tim (1+1/2+1/4+…+1/2~n)/(1+1/3+1/9+…+1/3_n) 此题是将式中的分子、分母分别求和变形后,求得极限值为(1-1/3)/(1-1/2)=4/3观察式子结构特点:分子、分母分别是以1/2、1/3为公比的等比数列的前n项和,回味求解过程,不难作出以下推广。命题1 设{a_n}、{a'_n}分别是以q、q'(|q|、|q'|<1)为公比的等比数列,则 rim (a_1+a_2+…+a_n)/(a'_1+a'_2+…+a'_n)=a_1(1-q')/a'_1(1-q) 证明∵|q|、|q'|<1,∴lim q~n=0,lim q'~n=0,于是据等比数列前n项和公式得  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号