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241.
以多壁碳纳米管/氮化钒复合材料(MWCNT-VN)作为锂硫电池正极载体材料,利用VN的空心结构储存硫和限制多硫化物的穿梭效应。另外,MWCNT形成了一个导电网络,进一步提升了正极的导电性能。在1C的电流密度下,VN/S电极与MWCNT-VN/S电极的初始放电比容量分别为702.2和809.3 mAh·g~(-1),经过350圈循环后,每圈衰减量均小于0.1%。与单纯VN/S相比,所得MWCNT-VN复合材料的电化学性能均有提升,如较高的锂离子迁移率、稳定的倍率性能和长循环稳定性。 相似文献
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243.
XRD,TEM,N2-吸附等表征手段表明,在700℃下以碳热氢还原方法制备的粒径在1~4nm的β-Mo2C,能够均匀分散在活性炭载体上.在温和条件(100℃,氢压1.0MPa,3h)下,以水作为反应溶剂,质量分数为20.0%的Mo2C/AC催化剂催化香兰素的加氢脱氧反应转化率高达93.2%,2-甲氧基-4-甲基苯酚的选择性达到53.8%.随着负载量的增加,Mo2C/AC催化剂的比表面积呈下降趋势,其活性先增强后减弱,而当负载量增加到一定程度后,Mo2C粒子在载体上发生团聚,导致催化活性大幅度降低.根据原料和产物浓度随时间的变化曲线,提出加氢脱氧反应以香兰醇作为中间产物,经过2步加氢步骤生成2-甲氧基4-甲基苯酚,且第1步加氢反应速率大于第2步.使用多次后,Mo2C/AC催化剂的催化活性几乎不变,说明其具有工业应用前景. 相似文献
244.
利用扫描电镜观察710 mm~2碳纤维复合芯导线(ACCC)过滑车试验后股线的磨损形貌,分析滑车底径对股线损伤的影响及股线损伤机制.同时,考虑股线间的接触与摩擦行为,建立导线全尺寸模型进行导线过滑车非线性动力学有限元分析.试验结果表明:导线过滑车后股线出现塑性变形与磨损,在股线表面初始磨损处以黏着磨损的形式扩展,且股线损伤随滑车底径的增大有所改善;数值分析表明:股线等效塑性应变与摩擦能量损耗开始于导线过滑车时的弯曲过程,且随滑车底径增大而减小,股线损伤的模拟结果与试验情况吻合.在此基础上,研究股线间摩擦系数对股线损伤影响,得到股线损伤随摩擦系数的减小而减小.研究初步认为滑车底径为30倍导线直径时股线损伤在可接受范围内. 相似文献
245.
Output light power of InGaN-based violet laser diodes improved by using a u-InGaN/GaN/AlGaN multiple upper waveguide 下载免费PDF全文
The upper waveguide(UWG) has direct influences on the optical and electrical characteristics of the violet laser diode(LD) by changing the optical field distribution or barrier of the electron blocking layer(EBL). In this study, a series of In GaN-based violet LDs with different UWGs are investigated systematically with LASTIP software. It is found that the output light power(OLP) under an injecting current of 120 mA or the threshold current(Ith) is deteriorated when the UWG is u-In_(0.02)Ga_(0.98)N/GaN or u-In_(0.02)Ga_(0.98)N/Al_xGa_(1-x)N(0 ≤ x ≤ 0.1), which should be attributed to small optical confinement factor(OCF) or severe electron leakage. Therefore, a new violet LD structure with u-In_(0.02)Ga_(0.98)N/GaN/Al_(0.05)Ga_(0.95)N multiple layer UWG is proposed to reduce the optical loss and increase the barrier of EBL. Finally,the output light power under an injecting current of 120 mA is improved to 176.4 mW. 相似文献
246.
高性能的太赫兹器件在控制太赫兹波方面起到重要的作用,因此寻求一种简单有效的太赫兹器件加工方案非常必要。本文以太赫兹波导和太赫兹滤波器为例,分别选用Kagome型光子晶体结构的波导和一维光子晶体结构的滤波器,运用商用的3D打印机加工样品,并采用透射式太赫兹时域光谱系统对样品的参数进行测量。实验结果表明:加工的波导在0.2~1.0 THz范围内传输损耗平均值约为0.02 cm~(-1),最小值可达到0.002 cm~(-1),且可运用机械拼接的方式将多个波导进行简单的连接从而获得更长的波导而不引起严重的损耗;滤波器的透射谱在0.1~0.5 THz之间有两个明显高损耗带;这两组实验结果均与理论预计非常接近。本文运用太赫兹波导和滤波器的实例证实了3D打印技术加工太赫兹器件的可行性,将会成为获取性能可控、价格低廉的太赫兹器件的有效途径。 相似文献
247.
Different variation behaviors of resistivity for high-temperature-grown and low-temperature-grown p-GaN films 下载免费PDF全文
Two series of p-GaN films grown at different temperatures are obtained by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD). And the different variation behaviors of resistivity with growth condition for high- temperature(HT)-grown and low-temperature(LT)-grown p-GaN films are investigated. It is found that the resistivity of HT-grown p-GaN film is nearly unchanged when the NH_3 flow rate or reactor pressure increases. However, it decreases largely for LT-grown p-GaN film.These different variations may be attributed to the fact that carbon impurities are easy to incorporate into p-GaN film when the growth temperature is low. It results in a relatively high carbon concentration in LT-grown p-GaN film compared with HT-grown one. Therefore, carbon concentration is more sensitive to the growth condition in these samples, ultimately,leading to the different variation behaviors of resistivity for HT- and LT-grown ones. 相似文献
248.
249.
250.
环氧树脂与氰酸酯共固化反应的研究 总被引:19,自引:1,他引:18
应用DSC、FT IR对乙酰丙酮过渡金属络合物催化促进的环氧树酯与氰酸酯共固化反应行为、历程以及固化物的结构特征进行了研究探讨 .结果表明 ,促进剂能够明显的降低固化反应温度 ,缩短固化反应时间 .反应历程首先是氰酸酯发生自聚反应形成二聚体或三聚体 (三嗪环 ) ,然后二聚体可进一步共聚形成三嗪环 ,此过程伴随着环氧基的聚醚反应 ,最后是三嗪环与剩余的环氧基反应形成唑烷酮 .在氰酸酯欠量的条件下 ,固化树脂中主要是唑烷酮和聚醚结构 ,三嗪环结构很少 ;在氰酸脂适量或过量条件下 ,固化树脂主要是三嗪环和唑烷酮结构 ,聚醚结构很少 . 相似文献