超导复合氧化物BaPb_(1-x)Bi_xO_3的合成研究

为提高超导复合氧化物BaPb_(1-x)Bi_xO_3的品质,提出并采用了新的碳酸盐或硝酸盐化学混合体系的合成工艺,获得了单相的多晶样品。分析了烧结温度、时间和气氛因素的影响及其反应机制,并与用传统陶瓷工艺法合成的样品进行了比较。     

Ba-Y-Cu-O系统的高温超导电性和金属-半导体相变

对不同组分及烧结条件下的Ba_xY_(1-x)CuO_(3-y)多相和Ba_2YCu_3O_(9-δ)单相超导氧化物分别作了电阻、交流磁化率和比热随温度的变化,以及X射线衍射、X射线光电子谱的测量。结果支持样品中存在大块超导电性的观点,其中对超导起主要作用的是Ba_2YCu_3O(9-δ)相。并且对于较高Tc的样品具有较大的Fermi面态密度。但含Ba量仅为0.5％(x= 0.005)的样品仍可导致非界面的高温超导电性。因此不能排除Ba以杂质原子身份影响电子结构,从而导致超导电性的可能性。另外,在x=0处观察到可能由电子推动的金属-半导体相变。     

零电阻为106.5K的单相超导化合物Bi1.65Pb0.35Sr2Ca2Cu3Oy的制备与超导电性

采用固相反应法合成了名义组份为Bi_2-xPb_xSr₂Ca₂Cu₃O_y (x=0.30;0.35;0.40;0.45)的样品。对样品进行了物相和结构分析,同时测量了电阻-温度关系和直流磁化率。结果表明:x=0.35的样品为单相材料,X射线相分析和电子衍射表明其相结构类似2223相,为四方结构,其晶格常数为a=b=5.414?,c=37.106?,且沿a,b两个方向都观察到调制结构。电阻和直流磁化率测量结果显示:在温度高于50K以上,仅存在一个107K超导相。此外,单相材料的制备条件(组分、烧结温度、室温下淬火及淬火速率)非常苛刻。如同1-2-3相材料一样,氧含量不仅影响样品的成相规律、零电阻温度,而且还严重影响其正常态的输运性质。 关键词：     

零电阻温度超过90K的超导氧化物群体

已成功地合成了零电阻温度超过90K的七个ABO_3型结构的超导氧化物体系:Sr_(0.4)Y_(0.6)CuO_(3-y)和Ba_(0.4)Ln_(0.6)CuO_(3-Y)(Ln为Y,T,Tm,Dy,Gd,Er,Yb)。电测量结果表明,尽管各体系中的原子A的外层电子有明显的差别,其R(T)规律及高温超导转变行为几乎一致,而交流磁化率的测量则显示出由于磁性原子A不同所带来正常态△M(T)规律的差别。作者认为:在这些氧化物超导体中,ABO_3型结构中的Cu-O键会对电子的行为有着十分重要的作用,而且,在这种结构中,电子之间存在着很强的关联,磁散射的影响不足以破坏高温超导电性。     

Ba_(0.1)Y_(0.9)CuO_3的高温超导电性

用电阻法测量Ba_(0.1)Y_(0.9)CuO_3的电阻温度关系,在130K附近,其R(T)明显偏离线性。超导转变中点温度达90K,整个转变过程中电阻下降大于四个数量级。     

杂质对SnO2纳米小晶粒生长的影响

本文研究了杂质对ＳｎＯ２纳米晶粒生长的影响。结果表明，掺入Ｌｉ２Ｏ有利于ＳｎＯ２晶粒的生长，ＮｉＯ对ＳｎＯ２晶粒的生长没有明显的影响，Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｆｅ２Ｏ３在８００℃以下阻碍ＳｎＯ２晶粒的生长；在更高温度时，杂质相结晶，它们将不再阻碍ＳｎＯ２晶粒的生长。     

烧成温度对气敏材料性能的影响

选用SnO₂-ZrO₂和SnO₂-ThO₃体系作为气敏材料,研究了烧成温度对材料结构和粒度的影响。分别用以上体系制成气敏元件,研究了烧成温度对气敏材料的灵敏度和选择性的影响,结果发现,在本实验条件下,烧成温度不但影响材料的灵敏度,对材料的选择性也有很大的影响。     

溶剂热合成制备纳米In1-xAlxP固溶体

在160℃下,以1,2-二甲氧乙烷为溶剂和配合剂用溶剂热合成法成功地制得10～12 nm的In_1-xAl_xP固溶体,固溶度x在0～0.55之间。XRD和TEM用以鉴定产物的结构和形貌,XPS给出产物的固溶度和纯度。     

氧化物直接转化法制备汞的硫属化合物纳米材料

以低毒性的HgO与S,Se,Te单质为原料,乙二胺为溶剂,在室温下合成了汞的硫属化合物纳米材料HgS,HgSe和HgTe,并通过XRD,TEM和XPS对产物进行了表征.结果表明,所合成的产物为六方相α-HgS和立方闪锌矿结构的HgSe和HgTe,且纯度高,粒度分布均匀.对反应的机理进行了初步探讨.     

微接触印刷法控制硫化物晶体生长

十八烷基三氯硅烷;三氯硅烷;阵列;微接触印刷法控制硫化物晶体生长