含季戊四醇磷酸酯阻燃剂的合成与表征

采用1-氧代-4-羟甲基-2,6,7-三氧杂-1-磷杂双环[2.2.2]辛烷(PEPA)、三氯氧磷、双酚A和双酚S为反应物,合成了两个新型添加型阻燃剂:双酚A双[二(1-氧代-1-磷杂-2,6,7-三氧杂双环辛烷-4-亚甲基)]磷酸酯(BAPP)和双酚S双[二(1-氧代-1-磷杂-2,6,7-三氧杂双环辛烷-4-亚甲基)]磷酸酯(BSPP),通过元素分析、FT-IR和1H NMR等表征了标题化合物的结构,结果表明,所合成的标题化合物的结构与预期一致。热失重分析结果证明,BAPP和BSPP质量损失5%(wt)时的温度分别为343.6℃和352.3℃,600℃残余量分别达46.6%和55.5%,具有较高的热稳定性和结炭性能。阻燃性能实验证明,E-51环氧树脂中分别添加质量分数为18.2%(wt)的BAPP和BSPP时,极限氧指数分别为32.2%和31.8%,均能达到UL 94 V-0级。     

脉冲激光淀积Ba_（1－x）K_xBiO_3薄膜

我们用熔融法制备了Ｂａ１－ｘＫｘＢｉＯ３氧化物超导体，其超导转变温度２８．５Ｋ，零电阻温度２５．２Ｋ．以此为靶，用脉冲激光淀积技术，制备了Ｂａ１－ｘＫｘＢｉＯ３超导薄膜，Ｔｃ（ｏｎｓｅｔ）＝２４．５Ｋ，Ｔｃ（Ｒ＝０）＝２０．８Ｋ．     

近红外光谱法快速测定推进剂中N-甲基对硝基苯胺

采用近红外光谱法快速测定固体推进剂中N-甲基对硝基苯胺(MNA)的含量。评价了滤波平滑、一阶导数、二阶导数、多元散射校正(MSC)和标准正态变量校正(SNV)这5种不同光谱预处理方法的优化效果，基于建模参数优化结果建立了MNA定量模型，并对模型进行了准确性和重复性验证。结果表明，光谱最佳预处理方式是SNV，模型最佳主因子数为7，模型校正决定系数(R_C²)和验证决定系数(R_P²)分别为0.998 6和0.987 2，交互验证均方根误差(RMSECV)和预测均方根误差(RMSEP)分别为0.012 0和0.009 8，重复性极差和绝对误差均低于0.2%。近红外光谱法与液相色谱法测定结果相比相对偏差在6%以内，经t检验，两种方法测定结果无显著性差异。近红外光谱法快速、准确，可用于推进剂老化进程监控。     

Sin/Si-n(n=2-6)的结构和电子亲合能的密度泛函理论研究

选用四种不同的密度泛函理论方法(B3LYP,BLYP,BP86,B3P86),在全电子的双ζ加极化加弥散函数基组(DZP++)下,研究Sin/Si-n (n=2 -6 )体系的结构和电子亲合能.预测Si2 /Si-2 ,Si3 /Si-3 ,Si4 /Si-4 ,Si5 /Si-5 和Si6 /Si-6 的基态结构分别为C∞h(3Σ-g ) /C∞h(2Σ+g ),D3h(3A′2 ) /C2υ(2A1 ),D2h(1Ag) /D2h(2B2g),D3h(1A′1 ) /D3h(2A″2 )和C2υ(1A1 ) /D4h(2A2u).在电子亲合能方面,B3LYP方法预测的电子亲合能是最可靠的.预测Si2,Si3,Si4,Si5和Si6的电子亲合能分别为 2. 05, 2. 34, 2. 16, 2. 48和 2. 13eV.     

非晶态Cu_(125)Ni_(10)Zr_(41)Ti_(14)Be_(22.5)合金相分离的动力学标度

利用实时小角中子散射实验研究了非晶态Ｃｕ１２５Ｎｉ１０Ｚｒ４１Ｔｉ１４Ｂｅ２２５合金相分离的动力学标度性质．通过对相分离过程中实时小角中子散射谱进行详细的标度分析，揭示出散射函数Ｓ（ｑ，ｔ）（ｑ为散射波矢，ｔ为时间）在相分离的早期即达到动力学标度态，从而证明动力学标度假设也适用于描述深过冷液态的相分离过程     

Carlitz反演与Rogers-Ramanujan恒等式及五重积恒等式

应用Carlitz反演及Heine定理,建立了基本超几何级数的一个新的变换式。由此变换式出发,可以得到包含Rogcrs-Ramanujan恒等式,五重积恒等式在内的若干分拆恒等式。     

The Distinguished Charge-Trapping Capability of the Memory Device with Al2O3-Cu2O Composite as the Charge Storage Layer

A memory device Si/Al2O3/Al2O3-Cu2O/Al2O3/Pt is fabricated by using atomic layer deposition and r~magnetron sputtering techniques. The memory device including the composite of Al2O3 and Cu2O as the charge storage layer shows a distinguished charge trapping capability. At a working voltage of ±11 V a memory window of 9.22 V is obtained. The x-ray photoelectron spectroscopic study shows a shoulder from Cu2＋ ions around the peak of Cu1＋ ions. It is suggested that the charge-trapping mechanism should be attributed to the defect states formed by the inter-diffusion at the interface of two oxides.     

基于state-space-split法的滞回非线性系统随机动力响应分析

采用SSS(state-space-split)法,建立了引入Bouc-Wen滞回模型的杜芬非线性系统在高斯白噪声激励下的概率密度函数(PDF)的近似求解方法,分析了其随机动力响应变化规律.首先,将Bouc-Wen滞回模型引入杜芬非线性系统,分别考虑非线性系统中的几何非线性和材料非线性对动力响应的影响.随后,对该模型进...