首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   24775篇
  免费   3939篇
  国内免费   2783篇
化学   17565篇
晶体学   301篇
力学   1506篇
综合类   245篇
数学   2797篇
物理学   9083篇
  2024年   44篇
  2023年   518篇
  2022年   583篇
  2021年   778篇
  2020年   1043篇
  2019年   947篇
  2018年   789篇
  2017年   750篇
  2016年   1146篇
  2015年   1035篇
  2014年   1298篇
  2013年   1698篇
  2012年   2157篇
  2011年   2186篇
  2010年   1498篇
  2009年   1442篇
  2008年   1600篇
  2007年   1485篇
  2006年   1393篇
  2005年   1143篇
  2004年   913篇
  2003年   746篇
  2002年   657篇
  2001年   532篇
  2000年   534篇
  1999年   608篇
  1998年   518篇
  1997年   457篇
  1996年   459篇
  1995年   393篇
  1994年   368篇
  1993年   336篇
  1992年   278篇
  1991年   235篇
  1990年   242篇
  1989年   165篇
  1988年   126篇
  1987年   82篇
  1986年   98篇
  1985年   65篇
  1984年   37篇
  1983年   39篇
  1982年   37篇
  1981年   20篇
  1980年   8篇
  1979年   6篇
  1976年   1篇
  1957年   4篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 265 毫秒
141.
本文通过直接数值模拟对均匀各向同性湍流中颗粒对湍流的变动作用进行了研究.颗粒相的体积分数很小而质量载荷足够大,以至于颗粒之间的相互作用可以忽略不计,而重点考虑颗粒与湍流间能量的交换。颗粒对湍流的反向作用使得湍动能的耗散率增强,以至于湍动能的衰减速率增大.湍动能的衰减速率随颗粒惯性的增大而增大。三维湍动能谱显示,颗粒对湍动能的影响在不同的尺度上是不均匀的。在低波数段,流体带动颗粒,而高波数段则相反.  相似文献   
142.
The tunneling of a giant spin at excited levels is studied theoretically in mesoscopic magnets with a magnetic field at an arbitrary angle in the easy plane. Different structures of the tunneling barriers can be generated by the magnetocrystalline anisotropy, the magnitude and the orientation of the field. By calculating the nonvacuum instanton solution explicitly, we obtain the tunnel splittings and the tunneling rates for different angle ranges of the external magnetic field ( θ H = π/2 and π/2 < θ H < π). The temperature dependences of the decay rates are clearly shown for each case. It is found that the tunneling rate and the crossover temperature depend on the orientation of the external magnetic field. This feature can be tested with the use of existing experimental techniques. Received 12 March 2001 and Received in final form 18 October 2001  相似文献   
143.
对碳纳米管(CNT)掺杂MgB2超导体磁场处理后的行为进行了研究. 结果表明,CNT掺杂MgB2超导体经5T脉冲磁场处理后临界电流密度Jc(H)在低磁场下提高了2—3倍,高场下提高一个数量级以上,扫描电镜结果显示CNT沿着处理磁场方向规则排列并且成为MgB2基体的形核中心和高效的磁通钉扎中心. 关键词: 2')" href="#">MgB2 碳纳米管 脉冲磁场处理  相似文献   
144.
朱海平  郑春龙 《物理学报》2006,55(10):4999-5006
利用拓展的Riccati方程映射法与变量分离法,得到了(2+1)维广义Nizhnik-Novikov-Veselov(GNNV)系统新的含有两个任意函数的相当广义的变量分离严格解.根据其中的周期波解,找到了该系统的复合波,即在周期波背景下的孤立波,并简要讨论了其演化行为. 关键词: GNNV系统 拓展Riccati映射 周期波解 孤立波  相似文献   
145.
Au nanoparticles, which were photoreduced by a Nd:YAG laser in HAuCl4 solution containing TiO2 colloid and accompanied by the TiO2 particles, were deposited on the substrate surface. The film consisting of Au/TiO2 particles was characterized by the absorption spectra, scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction (XRD) analysis. The adhesion between the film and substrate was evaluated by using adhesive tape test. It was found that the presence of TiO2 dramatically enhanced the adhesion strength between the film and the substrate, as well as the deposition rate of film. The mechanism for the deposition of Au/TiO2 film was also discussed.  相似文献   
146.
A conclusive teleportation protocol of a d-dimensional two-particle unknown quantum state using three d- dimensional particles in an arbitrary pure state is proposed. A sender teleports the unknown state conclusively to a receiver by using the positive operator valued measure(POVM) and introducing an ancillary qudit to perform the generalized Bell basis measurement, We calculate the optimal teleportation fidelity. We also discuss and analyse the reason why the information on the teleported state is lost in the course of the protocol,  相似文献   
147.
In this paper, we consider the shadowing and the inverse shadowing properties for C^1 endomorphisms. We show that near a hyperbolic set a C^1 endomorphism has the shadowing property, and a hyperbolic endomorphism has the inverse shadowing property with respect to a class of continuous methods. Moreover, each of these shadowing properties is also "uniform" with respect to C^1 perturbation.  相似文献   
148.
The surface morphology evolution of Ni/W alloys was studied, as a function of the alloy composition. Using the modified plating baths developed in our laboratory recently, electroplated Ni/W alloys with different W content, in the range of 7–67 atom percent (a/o), can be obtained. This was found to lead to different structures, ranging from polycrystalline fcc-Ni type structure to amorphous, followed by orthorhombic with increasing W content in the alloy. Powder XRD was studied to determine the crystal structures. Ex situ STM, AFM and SEM were used to study in detail the surface morphologies of the different alloys, and their evolution with increasing W content.

The important findings are that a mixture of two crystalline forms can give rise to an amorphous structure. Hillocks that are usually a characteristic of epitaxial growth can also exist in the amorphous alloys. Oriented scratches caused by stress can also be formed.

Up to 20 a/o of W is deposited in the alloys in crystalline form, with the fcc-Ni type structure. Between 20 and about 40 a/o an amorphous structure is observed, and above that an orthorhombic crystal structure is seen, which is characteristic of the NiW binary alloy. Careful choice of the composition of the plating bath allowed us to deposit an alloy containing 67 a/o W, which corresponds to the composition NiW2.  相似文献   

149.
滕蛟  蔡建旺  熊小涛  赖武彦  朱逢吾 《物理学报》2002,51(12):2849-2853
采用一种新的种子层材料:(Ni081Fe019)1-xCrx,通过改变种子层中Cr原子的含量,使得在其上生长的NiFeFeMn双层膜的织构和晶粒尺寸产生极大的差异,系统研究了NiFeFeMn双层膜中FeMn晶粒尺寸和织构对交换偏置的影响.实验结果表明,在FeMn的γ相(111)织构较好的前提下,交换偏置场的大小与织构的差异没有关系;FeMn的晶粒尺寸对交换偏置场有很大影响,较小的反铁磁层晶粒对交换偏置场有利,过大的反铁磁层晶粒不利于交换偏置场.将(Ni081Fe019)05Cr05与传统的种子层材料Ta进 关键词: 交换偏置 晶粒尺寸 织构 种子层  相似文献   
150.
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当. 关键词: MOCVD InGaAs/InGaAsP 应变量子阱 分布反馈激光器  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号