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131.
132.
建立了一种可积的无穷维系统——时延范德波尔电磁系统,采用Poincaré映射分析了系统随参数E和λ变化发生的分岔与混沌现象,发现这种时延系统具有复杂的非线性动力学特性,例如吸引子共存、间歇性混沌、类似边界碰撞分岔通向混沌以及周期增加的现象.在研究系统时间混沌行为的同时,还对空间混沌行为进行了初步分析,通过描绘空间分布图发现时延范德波尔电磁系统随参数E和λ变化时,在空间中会呈现出周期和混沌等不同的图案.
关键词:
分岔
混沌
无穷维系统
时延范德波尔电磁系统 相似文献
133.
提出了将哈密顿算符对角化的一种方法.围绕一维谐振子讨论了如何将哈密顿算符对角化、引进的是玻色算符还是费米算符的问题,并分析了能量量子化的原因及能量子与声子的区别. 相似文献
134.
135.
In this paper the values of the crystalline-electric-field
parameters Anm for R2Fe17 and
R2Fe17H3 (R=Tb,Ho,Er) are evaluated by fitting
calculations to the magnetization curves measured on the single
crystal at several temperatures. The fitted Anm for
R2Fe17 are strikingly different from those for the
corresponding R2Fe17H3. The energy gaps between the
lowest four energy levels for Ho ions in Ho2Fe172 can be
reproduced by using the fitted Anm and exchange field
2μBHex, which estimated from the fit of the
temperature dependence of the spontaneous magnetization combined
with inelastic neutron scattering experiment. 相似文献
136.
137.
138.
139.
用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0.16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(F
关键词:
xZn1-xO薄膜')" href="#">MgxZn1-xO薄膜
射频磁控溅射
退火 相似文献
140.
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
关键词:
MOCVD
InGaAs/InGaAsP
应变量子阱
分布反馈激光器 相似文献