全文获取类型
收费全文 | 78843篇 |
免费 | 24358篇 |
国内免费 | 19357篇 |
专业分类
化学 | 49760篇 |
晶体学 | 1352篇 |
力学 | 5432篇 |
综合类 | 290篇 |
数学 | 10404篇 |
物理学 | 55320篇 |
出版年
2023年 | 725篇 |
2022年 | 885篇 |
2021年 | 775篇 |
2020年 | 988篇 |
2019年 | 1511篇 |
2018年 | 1490篇 |
2017年 | 2235篇 |
2016年 | 2229篇 |
2015年 | 2562篇 |
2014年 | 2445篇 |
2013年 | 4307篇 |
2012年 | 4575篇 |
2011年 | 6230篇 |
2010年 | 9696篇 |
2009年 | 9943篇 |
2008年 | 3836篇 |
2007年 | 3286篇 |
2006年 | 2939篇 |
2005年 | 3268篇 |
2004年 | 4052篇 |
2003年 | 3229篇 |
2002年 | 3053篇 |
2001年 | 3323篇 |
2000年 | 2618篇 |
1999年 | 2677篇 |
1998年 | 2201篇 |
1997年 | 1983篇 |
1996年 | 2297篇 |
1995年 | 2741篇 |
1994年 | 2820篇 |
1993年 | 2894篇 |
1992年 | 2454篇 |
1991年 | 2104篇 |
1990年 | 1764篇 |
1989年 | 1860篇 |
1988年 | 1852篇 |
1987年 | 1141篇 |
1986年 | 1189篇 |
1985年 | 851篇 |
1984年 | 980篇 |
1982年 | 889篇 |
1981年 | 738篇 |
1980年 | 770篇 |
1979年 | 528篇 |
1978年 | 532篇 |
1977年 | 633篇 |
1976年 | 1041篇 |
1973年 | 436篇 |
1972年 | 532篇 |
1971年 | 434篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
111.
本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。
关键词: 相似文献
112.
113.
本文首先将文[1]中的BLD映射推广为弱(L1,L2)-BLD映射,并证明了如下正则性结果:存在两个可积指数 P1=P1(n,L1,L2)<n<q1=q1(n,L1,L2),使得对任意弱(L1,L2)-BLD映射f∈(Ω,Rn),都有f∈(Ω,Rn),即f为(L1,L2)-BLD映射. 相似文献
114.
115.
116.
117.
118.
119.
120.